第三代半導體的重要分支，特斯拉和20多家國際車廠都開始使用，量產時點就在明年

功率半導體的主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，下游包括新能源汽車、光伏、充電樁等等。目前功率半導體普遍使用矽（Si）器件，但是隨著成本的下降，SiC基器件的普及即將到來，這是一個400億美元的市場。

1）新能源汽車正處於向SiC期間過度的階段

①逆變器：目前特斯拉Model3的逆變器採用了意法半導體生產的全SiC功率模組，其逆變器具有24個電源模組，每個模組有2個SiC MOSFET管芯，合計一輛Model 3使用了48個SiCMOSFET管芯。

②車載OBC和DC/DC：國際上有超過20家汽車廠商在車載充電機OBC中使用SiC器件，全SiC方案也有望從2020/21年左右開始量產。

2）SiC效能優勢明顯，是更好的襯底材料

受益於新能源汽車及光伏領域需求量的高速增長，預計到2025年SiC功率半導體市場規模預計將達25.6億美元，2019-2025年CAGR達30%。

SiC的主要優勢包括：

①低能量損耗。SiC具有3倍於矽的禁頻寬度，使得SiC器件洩漏電流比矽器件大幅減少，從而降低功率損耗。

②耐高壓。SiC擊穿電場強度是矽的10餘倍。

目前各類SiC器件成本仍比Si基器件高2.4-8倍，因此成本是制約SiC的主要瓶頸，但是目前已經逐步接近商業化應用的拐點。預計2022-2023年為達到 SiC達到合理性價比的關鍵節點，主要原因在於：

①根據Cree官網，Cree龍頭廠商預計2022年擴產完成，產能擴大至30倍，大規模量產帶來的規模效應將導致SiC器件成本大幅下降；

②據CASA第三代半導體白皮書，目前國內6寸線良率較低，約20%~30%左右，隨著國內加速研發及擴產，未來6寸線良率將逐步上升，提高每片晶圓利用率，從而降低成本，且6寸線的應用較4寸線將節省30%左右的成本；

3）裝置廠商迎來風口

國內SiC產業鏈完善、市場規模巨大，材料裝置迎來風口。國內基本已實現SiC襯底、外延、器件設計、製造、封測、生產裝置等全產業鏈覆蓋。未來2年SiC廠商規劃擴產產能達98萬片，測算SiC生長、外延裝置市場空間達到50~80億元。隨著下游需求的逐步釋放，預計後續擴產專案將不斷湧現，擁有多年積累的裝置、材料廠商具備先發優勢，有望率先受益。

相關公司：晶盛機電（SiC長晶爐/外延爐製造商）、華峰測控（SiC檢測裝置製造商）、天通股份（SiC生長爐及材料製造商）。

風險提示：股市有風險，入市需謹慎