光刻機與光刻技術有區別。7nm晶片起步，就需要EUV光刻機，目前該光刻機只有國外的ASML可以製造，我國只有引進。近日，中科院宣佈有了5nm鐳射光刻技術，有些朋友認為我們不用買ASML光刻機了，這是概念混淆，實際是兩回事。

光刻技術不是晶片製造所需的光刻機。中科院研發的是鐳射直寫技術，指的是奈米狹縫電極陣列結構，與積體電路、晶片製造不是一回事。問題在於，光刻技術應用廣泛，不一定只用於光刻機，光靠技術不等於光刻機，差別很大。

光刻技術量產有難度。光刻技術即使可以用於光刻機，但是光刻機需要大量的頂級配件、精湛的整合技術，才能製造出光刻機。區域性5nm鐳射光刻技術的突破自然值得肯定，但是我們也要冷靜，晶片製造的光刻機我們還有很多關鍵技術需要突破，未來的研發之路還需努力。

大家知道我國進口最多的產品是什麼？是石油嗎？不是，我國進口量最大的產品是晶片，2019年進口的晶片達到3000多億美元合人民幣兩萬多億元，是石油進口量的1.3倍。

我國也是全球晶片最大的市場，但自給率只有15%，大量的晶片進口一方面需要大量的外匯，另一方面很容易被別人“卡脖子”，華為就被美國卡了。

所以，晶片不僅是我國消費外匯最多的產品，也可以說是戰略產品，國家的重視可想而知。

晶片的流程主要是設計，製造，封測。目前我國的晶片設計以華為海思為代表的，已經進入到世界先進行列。

先進的晶片製造非常複雜，難度也很大，不僅需要先進的光刻機，還需要先進的刻蝕機，先進的離子注入機，鍍膜機，還需要高品質的光刻膠，清洗液等高純度化學產品。所以即使是臺積電，三星也有產品抓在美國日本的手裡，日本也能制裁一下韓國的晶片製造。

晶片的封測方面，我國與先進的技術相比也有一些差距，但差距不算太大，且沒有美國不可替代的技術。

最主要的是製造需要的光刻機，我國國產光刻機目前已經量產的還是90nm的，預計明年可以生產28nm的，但與世界最先進的ASML比，差距還是非常大的。

就目前的情況看要想在短時間內趕上ASML，幾乎沒有可能，除非晶片摩爾定律失效，晶片光刻製程到1nm，不能再小，停下來。

所以，要想在比較短的時間，趕超先進，另闢蹊徑是一個選項。

1.更換矽基材料，目前已經有研究改用石墨烯作為基礎材料，可能不用最先進的光刻機，就能達到目前先進的矽基材料所能達到的效能。

2.改光源，目前用的極紫外光即EUV需要13.5nm波長的光源，而這技術正是掌握在美國手裡，我國得不到。中科院研究的用鐳射技術450nm波長即可達到5nm線寬，雖然能否用在光刻機上，還不清楚，但也可以是一個研究方向。誰能保證，荷蘭的ASML就是唯一呢？以前ASML可沒有這麼牛，日本光刻機最先進，ASML就是用了一個浸潤式技術一舉超過了日本大企業尼康，佳能。

很多人反感彎道超車這句話，但ASML就是靠彎道超過了如日中天的日本光刻機，當然彎道超車，不是每一次都能成功，但也不能說沒有可能成功。機會是給有準備的人的，你不去研究，就想當然肯定行或在肯定不行，不是科學的方法。