簡單說就是把文字、圖片、影片經過編碼轉換成0和1這兩個數字，再把這些數字寫入儲存裝置。當需要讀取這些資訊時，經過反編譯把這些0和1還原成文字、圖片、影片。儲存介質通常有磁性裝置比如機械硬碟和快閃記憶體裝置比如儲存卡。

記憶體是baiROM——duread

only

memory，也就是隻讀儲存器、固化儲存器，一次寫入，反zhi復讀取

儲存卡卡呢，就是快閃記憶體卡啦——Flash

Card是利用快閃記憶體（Flash

Memory）技術達到儲存電子資訊的儲存器，隨身碟、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒都是一個原理

手機記憶體卡儲存原理是運用快閃記憶體技術。是一種電子式可清除程式化只讀儲存器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的儲存器。 快閃記憶體的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。 擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由於利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦儲存器不能按位元組擦除，而是全片或分塊擦除。 到後來，隨著半導體技術的改進，快閃記憶體也實現了單電晶體（1T）的設計，主要就是在原有的電晶體上加入了浮動柵和選擇柵， 在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層矽氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。資料是0或1取決於在矽底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。 快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除資料進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中匯出電子。即將有所資料歸“1”。 寫入時只有資料為0時才進行寫入，資料為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。 讀取資料時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（資料為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。 而在浮動柵有電子的狀態（資料為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。

擴充套件資料： 手機儲存卡的辨別： 一是要注意包裝和做工。假冒儲存卡的包裝和做工比較粗糙，和正品儲存卡放在一起對比明顯。 二是要注意防偽標識。知名品牌的儲存卡包裝上一般會印有帶有認證電話和識別碼的防偽標識，你可以撥打認證電話進行正品驗證。 三是要看價格。假冒儲存卡的價格一般要比正品便宜一半以上，網友們可以先看看相關行情資訊，以防購買到假冒儲存卡。

手機儲存用的是固態儲存器，就是flash，其實很多關注的不是基礎理論而是如何形象描述儲存器工作的。其實這個基礎是高中物理，就像一個電容的兩極加上正極電壓，電容就會有正電壓，記作1，反方向加點就是負電壓記作0。這個電容放電很慢可以到幾年甚至幾十年依然可以測到有效的±電壓。這就是儲存器儲存資料的形象解釋，用簡單的語言講清複雜的科學道理好難耶。關注我吧，一起把複雜科學道理簡單化描述也許會成為您的聊資偶