晶片設計，製造和光刻機，哪個環節難？讓我說都挺難。但是，對於中國企業目前而言，光刻機最難。

晶片設計我們已經積累了不少經驗，甚至，有了自己的設計架構，即便是ARM不授權給我們，中國工程師依然可以設計出效能上乘的晶片電路。

至於製造環節，製程工藝，我們也都掌握。畢竟中國不少企業為歐盟、美國廠家做晶片代工，對於晶片製造的工藝水準，中國工程師和熟練技工都有掌握，目前可以勝任任何晶片生產與加工。

最難的是裝置。比如，光刻機這種關鍵裝置，它是卡在中國晶片製造環節的一根刺。

多年來，中國本土企業只在晶片代工方面投入了較大精力，對於裝置製造沒有持續資金投入和技術攻關，所以，在這個環節比較落後，上海微電子算是中國比較先進的光刻機生產企業，但是還沒有達到7nm光刻機的水準，至於荷蘭ASML的5nm技術，目前還看不到影子，需要我們投入更多，但時間不在我們這邊。而且研發和製造一款光刻機不僅需要時間，還需要相關配件。

一款尖端光刻機，大約需要5000多家供應商，10000個配件，從研發到投入生產，一般5～7年一個週期。目前，製造光刻機所需配件都掌握在美國、歐盟和日本手中，他們都簽訂了《瓦森納協議》，對中國處處設限，這也是為什麼我們在光刻機研發方面乏善可陳的原因之一。

以我們掌握程度為難易判斷標準，我們掌握了就不算難，沒掌握的就算難。

晶片設計，手機通訊我們有華為，中興，展銳等。通用桌面伺服器有龍芯，華為，申威等。我們已經具有完整的正向設計能力，部分晶片設計已經接近頂尖水平，差距一代不到。

晶片製造，中芯國際量產14奈米，有望突破7奈米。華虹半導體也已經初步量產14奈米。跟最先進的臺積電和三星半導體比還有很大的差距，差距一代多。

光刻機，我們可以完全自主量產90奈米光刻機。現在最先進的極紫外光刻機只有荷蘭ASML能夠供貨，我們跟ASML差了三代。根據公開資訊，我們28奈米光刻機關鍵部件已經全部完成攻關，今年底有望出整機樣機，兩年內量產。28奈米現在世界上有兩個國家量產，荷蘭和日本。我們今年如果能夠踏入這個陣營，差距縮小到一代。

綜合起來，光刻機差距現在最大，是最難的。但我認為不管什麼技術，只要持續不斷的投入，不被眼前的困難嚇倒，培養人才梯隊，追趕和超越是遲早的。

光刻機的7nm，5nm只是製程中導線的寬度，三極體的溝道長度並沒有縮減太多(估計還是28奈米左右)，不然根據量子尺寸效應管子早變導體，而且會有各種神奇的量子效應。SMEE能生產28奈米的光刻機說明技術已經上路了，不用太著急。

反倒是EDA軟體，沒做出來或者缺點功能，那還是沒法用。。。

國際半導體行業歧視受經濟不景氣拖累，都極端的缺錢，所以聯合起來搞掉華為高階機來保蘋果(三星高階機已陣亡)。但圍魏救趙的操作線太長，估計華為手機沒崩他們先崩了(只有兩個客戶了，一個TSMC一個三星)。

所以中芯國際捨得砸錢引進人才、技術和裝置，短期內量產7nm晶片也不是太困難的事。現在N甚至N-1的技術就夠量產7nm了，N+1得賣給TSMC保證領導性，N+2就算了，估計他們自己都沒吃透。。。

晶片行業需設計嚴密，製造精密，光刻機是晶片製造環節的核心。整個工藝流程從設計到成品產生都是環環相扣都十分重要！

個人認為三個環節是環環相扣的關係，都很難，接下來我說說自己的看法

目前世界上具有移動晶片設計能力的公司屈指可數，例如華為、聯發科、三星、高通。而且都是基於ARM授權的指令集和架構開發的，其中華為、聯發科和三星使用的是公開版架構；而高通是基於公開版架構再次開發的架構。看到這些大家可能以為，那華為、三星和聯發科的晶片設計就沒什麼難度，拿過來公開版架構直接使用，高通的可能比它們稍微複雜點。其實不是這樣的。

ARM公版架構可能從理論上來說像是提供一個大框架，但具體的資訊還需根據自己的需求去搭建，比如聯發科的處理器同樣是用了ARM公開版架構，但是這幾年來，聯發科的處理器效能一直不是很好，而華為的麒麟處理器力經過多年的發展投入，已經開始走在世界前列。從這一點就可以看出設計晶片包括架構這一部分，完全不是一般的企業能夠承受的，這不僅是對資金的要求，還有對技術的要求。

晶片製造需要先進的製程工藝和封裝技術，目前掌握先進製程工藝的企業只有臺積電和三星，臺積電略勝一籌。臺積電可量化生產最先進的製程工藝是7nm，預計今年下半年會提升到5nm。

晶片製造是一個點砂成金的過程。晶圓製造出來後，會在晶圓上塗抹感光材料，利用光刻機將複雜的電路結構轉印到感光材料上，被曝光的部分會溶解並被水沖掉，從而在晶圓表面暴露出複雜的電路結構，再使用刻蝕機將暴露出來的矽片的部分刻蝕掉。接著經過離子注入等數百道複雜的工藝，這些複雜的結構便擁有了特定的半導體特性，並能在幾平方釐米的範圍內製造出數億個有特定功能的電晶體。再覆蓋上銅作為導線，就能將數以億計的電晶體連線起來。

一塊晶圓經過數個月的加工，在指甲蓋大小的空間中集成了數公里長的導線和數以億計的電晶體器件。再經過千挑萬選後，一塊真正的晶片就這麼誕生了。

在晶片製造過程中是離不開光刻機的。晶片的整合水平取決於光刻機的精度，光刻機的兩套核心系統——光學系統和對準系統的精度越高，可以在矽片上刻的溝槽越細小，晶片的整合度越高、計算能力越強。

目前世界上最先進的光刻機是荷蘭ASML生產的EUV光刻機。多年來荷蘭ASML在光刻機的研發上一直保持著高投入，期間幾次瀕臨破產，後引進三星、臺積電、英特爾的投資才得以繼續研發，最終將EUV光刻機技術實現併產業化。

綜上所述，晶片設計，晶片製造和光刻機制造都是含金量非常高的領域，都需要資金和技術的持續大量投入才能獲得成功。

都不簡單，但，光刻機這部分，不是難不難的問題。最尖端的光刻機，我們是根本生產不了,即使拿到圖紙，我們都生產不了。

其他部分，只要透過一段時間努力，還是可以追趕上的。但光刻機這部分,短期內，看不到任何追趕上最先進技術的希望。

晶片設計，製造，光刻機哪個更難？當然是晶片設計，不過美國想搞死華為的是光刻機目前5NM的我們還是受制於人的，希望中國能很快搞出來

光刻機難度最大。涉及的基礎學科很多，其原理也複雜，可以說即使是目前，也比半個世紀前中國研發原子彈難。原子彈的原理很簡單，上過高中的都知道，所涉及的學科也相對少。