要打的字多，選一吧，lpddr執行記憶體常用，生活中在手機上每一項操作，跟它關係密切，ufs指儲存，大型檔案讀寫好一點，比如說玩個王者，有優勢一點，但不常用啊，

LPDDR全稱是Low Power Double Data Rate，簡稱“低功耗記憶體”，是美國JEDEC固態技術協會面向低功耗記憶體所指定的通訊標準，以低功耗和小體積著稱，專門用於移動式電子產品。而LPDDR5就是最新的標準。

美國固態技術協會吧LPDDR5標準命名為JESD209-5。標準規定了LPDDR5將以6400MT/S的速度執行，式LPDDR4速度的兩倍，比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。

簡單點來說，就是LPDDR5有三大優勢，分別是多車道Bank Group架構，速率跨越式升級最多可達50%效能優勢提升和超低功耗。

相比之下，LPDDR4X只支援Single Bank Group，而LPDDR5支援多Bank Group模式，這裡可以理解為資料可以多通道傳輸，從而進一步提升了傳輸資料頻寬。也正是因為Bank Group模式，從LPDDR4X的4226MT/S的傳輸速率提升至了5500MT/S，傳輸頻寬從34GB/S提升至了44GB/S。

同時LPDDR5內部有三組電壓，VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分為VDD2H和VDD2L，相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，另外還有新加入的DVFSC和DVFSQ功能，可在低速工作時切換至更低的0.9V和0.3V電壓，因此，LPDDR5的功耗會更低。正是因為這樣，所以功耗相比前一代產品，功耗下降了2成以上。

UFS3.1最早是由IQOO搭載的，然後基本成為今年旗艦標配。

相較UFS3.0，UFS3.1主要加入了三個新特性寫入增強器(Write Turbo)、深度睡眠(Deep Sleep)和效能限制通知(Performance Throttling Notification)，同時還發布了可選的配套標準“UFS Host Performance Booster（主機效能增強器）”即UFS HPB。

Write Turbo這個很好理解，就是提高裝置的寫入速度。有了這個特性，UFS3.1的寫入速度提升至700MB/s，而UFS3.0的順序寫入最高為500MB/s。就和從機械硬碟換成固態硬碟一個感覺，當然效果肯定沒有這麼明顯。

DEEP Sleep（深度睡眠）既然是睡眠，就和我們睡眠過一樣，降低耗電，會延長手機待機時間。

HPB意在解決手機越用越卡的"老毛病"，具體效果需要拭目以待。

在實際測試中UFS 3.1的效能想較UFS 3.0具有很大的提升，這次測試分別從順序讀取、順序寫入、隨機讀取、隨機寫入這四方面來比較，其結果分別是

1、順序讀取：實測為1772.65MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高19.4%

2、順序寫入：實測為728.67MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高37.5%

3、隨機讀取：實測為286.03MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高14.5%

4、隨機寫入：實測為239.15MB/S UFS 3.1比UFS 3.0速度提高10.5%

總的來說UFS 3.1的綜合性能想較UFS 3.0提升了大約百分之15左右，還是挺強的。

但是UFS3.1需要SOC支援，有些釋出較早的SOC並不支援3.1，具體是誰家就不說了。