CMP拋光液談不上是晶片製造工藝中的瓶頸，因為CMP拋光液早已實現國產自主化，國內企業生產的此類產品與國外的已無差異，甚至有些品類做得更好。

晶片製造工藝，可分為兩道工序，一是晶圓製造工序，二是晶圓上光刻積體電路圖工序。

晶圓製造工序的核心技術：

CMP拋光液技術和CMP拋光墊技術

目前這兩種核心技術，國內企業已經實現了技術壁壘突破，完全可以自主生產。包括相關的拋光機，國內的產品與國外產品已經旗鼓相當。

CMP拋光液由磨料（常用的有奈米級二氧化矽粒子和奈米級三氧化二鋁粒子）、穩定劑、氧化劑、PH調節劑、有腐蝕功效的表面活性劑、成膜劑等組成。

CMP拋光液的核心材料是磨料，國產的磨料技術，有的品類已經比國外產品好很多。

綜上所述，CMP拋光液不能說是晶片國產化的瓶頸，目前晶片製造的技術壁壘是光刻機和光刻膠製造技術。

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