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氮化鎵即GaN，是一種氮和鎵的化合物，用於半導體發光二極體中，可以產生 405nm（紫光）鐳射。被稱為第三代半導體，未來應該會應用到我們日常生活中，
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3 # 竹音科技
氮化鎵技術發展多年也從未走進大眾人民的視野，而卻被OPPO和小米的一顆小小的電源介面卡拉入到了關注手機及科技領域的愛好者的面前！
至此，只要知道氮化鎵技術的人們，或許都不知道它具體能做什麼，但是可以確定的是，這個技術是真的牛！
那麼，究竟什麼是氮化鎵？而氮化鎵技術又能為我們帶來什麼呢？
什麼是氮化鎵？氮化鎵（GaN）是第三代半導體材料之一，以氮化鎵和碳化矽（SiC）為代表的第三代半導體材料，其具有禁頻寬度大、電子飽和漂移速率高、熱導率大、擊穿電場高、抗輻射能力強等各種優異效能！
而氮化鎵已然成為了人們最喜歡最感興趣的半導體材料之一！
資訊產業是近些年來發展最為高速的產業之一，而半導體技術在資訊產業中有著舉足輕重的地位！
氮化鎵結構式（圖源網路，侵刪）
氮化鎵已有的應用我想氮化鎵真正走進了科技愛好者及大眾人民的眼中很大程度上是因為OPPO和小米的65W氮化鎵電源介面卡！
其採用了氮化鎵材料作為電源介面卡的功率晶片，實現了充電更高效，充電溫度控制更良好，在超小的體積上實現了更大功率的輸出！
要知道，之前傳統的65W電源介面卡的體積是氮化鎵電源介面卡體積的兩倍有餘！
其次，氮化鎵在很多大家不熟知的領域應用也較為廣泛！
氮化鎵材料可用於製造藍、紫、綠和白光的發光二極體、藍色和紫色的鐳射器以及紫外光探測器等等！
為什麼說氮化鎵會站在下一個風口？氮化鎵材料比現在已經使用普遍的矽基材料貴！但是在整個系統的成本下，氮化鎵材料與傳統的矽基材料成本相差無幾！而且只要氮化鎵材料投入量產，氮化鎵材料可以實現比矽基材料更低的成本，而氮化鎵材料的效能卻遠好於矽基材料！
而且，氮化鎵目前被認定將會成為從無線基站到射頻能量等商業射頻領域市場的中流砥柱！
外加之現在所有人都說2020年將會是5G的元年，而射頻氮化鎵技術將會是5G技術的絕配！功耗及成本低，基站體積又小！
2020年氮化鎵技術將與5G技術互相推動發展，氮化鎵作為新型材料，將會是5G時代最大的受益者之一！
不光是在5G通訊領域，未來5G時代全行業上下游都有可能採用氮化鎵這個新材料！
氮化鎵半導體材料也將在節能照明、鐳射投影顯示、高速軌道交通、新能源汽車等領域都將會有非常廣闊的應用前景！
小米雷軍曾說過：順勢而為，站在風口，豬也能飛起來！
2020年中國乃至世界必將成為5G的元年，而作為與5G技術相輔相成的氮化鎵半導體材料將勢必成為下一個風口！
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一、特性：”氮化鎵即GaN，是一種氮和鎵的化合物，用於半導體發光二極體中，可以產生 405nm（紫光）鐳射。由於其具有較寬的禁頻寬度、強的化學鍵、高的熱導率和化學穩定性等優良特性，因此它是目前半導體研究的前沿和熱點。被譽為第三代半導體。
二、應用：目前用GaN材料已經制備出了金屬場效應電晶體（MESFET）、結場效應電晶體 (HFET)和調製摻雜場效應電晶體（MODFET）等新型器件，它們具有高頻大功率的效能。今年OPPO和小米紛紛推出65W氮化鎵充電器，也是蹭了一波熱度。其實充電器裡面僅用了一隻氮化鎵做的電源開關管，如果不用氮化鎵，市場上便宜的MOSFET也能做出同樣的充電器來。做充電器，遠遠沒有發揮出氮化鎵作為第三代半導體的價值。
另外，氮化鎵是製作大功率微波器件和短波長LED的理想材料。
三、缺點：一方面，載流子的質量較大，導致低電場遷移率低，因此高頻效能相對較差。另一方面，它難以透過高摻雜來獲得較好的金屬與半導體間的歐姆接觸，這是GaN器件製造中的難題。
四、展望：解決了上面的缺點，氮化鎵替代矽、鍺、砷化鎵等半導體是必然趨勢。