GaN是指材料，IGBT是功能器件。有矽基的IGBT器件，也有基於GaN襯底基礎的器件，目前GaN工藝是熱點，但是成本較高。

何為IGBT？

所謂IGBT(絕緣柵雙極型電晶體），是由 BJT(雙極結型晶體三極體) 和 MOS(絕緣柵型場效電晶體) 組成的複合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特徵。

在電力電子裡面，最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。

一說起IGBT，半導體制造的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm積體電路製造一樣，是國家“02專項”的重點扶持專案，這玩意是現在目前功率電子器件裡技術最先進的產品，已經全面取代了傳統的Power MOSFET，其應用非常廣泛，小到家電、大到飛機、艦船、交通、電網等戰略性產業，被稱為電力電子行業裡的“CPU”，長期以來，該產品（包括晶片）還是被壟斷在少數IDM手上(FairChild、Infineon、TOSHIBA)，位居“十二五”期間國家16個重大技術突破專項中的第二位（簡稱 “02專項”）。

GAN:

氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁頻寬度Eg=4.9eV，其導電效能和發光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作於Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。這些是氧化鎵的傳統應用領域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

　　雖然氧化鎵的導熱效能較差，但其禁頻寬度(4.9eV)超過碳化矽(約3.4eV)，氮化鎵(約3.3eV)和矽(1.1eV)的。由於禁頻寬度可衡量使電子進入導通狀態所需的能量。採用寬禁帶材料製成的系統可以比由禁帶較窄材料組成的系統更薄、更輕，並且能應對更高的功率，有望以低成本製造出高耐壓且低損失的功率元件。此外，寬禁帶允許在更高的溫度下操作，從而減少對龐大的冷卻系統的需求。

　　日本的相關機構在氧化鎵功率器件研究方面一直處於業界領先水平。早些年，日本資訊通訊研究機構(NICT)等研究小組使用Ga2O3試製了“MESFET”(metal-semiconductorfield effect transistor，金屬半導體場效應電晶體)。儘管是未形成保護膜(鈍化膜)的非常簡單的構造，但試製品顯示出了耐壓高、漏電流小的特性。而使用SiC及GaN來製造相同構造的元件時，要想實現像試製品這樣的特性，則是非常難的。

氮化鎵目前逐步應用於各大領域，分別是射頻領域，GaN射頻器件適合高頻高功率場景，是5G時代的絕佳產品，將替代Si基晶片，應用在5G基站、衛星通訊、軍用雷達等場景。功率器件領域，GaN器件在高頻、高轉換效率、低損耗、耐高溫上具有極大的優勢，應用在充電器、變頻器、新能源汽車等電子電力轉換場景。而IGBT絕緣柵雙極型電晶體，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。