從兩個方面：電流和電壓，來探討整流橋在引數方面的選型所需要注意的問題。一般情況下我們講到的電壓是指整流橋晶片承受反向衝擊電壓的能力，與電路工作電壓不相同。整流橋的結構其實就是由四個整流二極體晶片構成的橋式電路，二極體晶片反向時受大功率電容放電與電路電壓疊加產生的高壓衝擊，一旦超過整流橋的承受範圍，就會引發炸機的情況發生。設計電路時一定需要計算到電路的疊加電壓總和，已便於選擇反向耐壓更高的整流橋產品。例如 ASEMI 半導體DB107 整流橋的反向耐壓為 100V，則電路中反向衝擊電壓不能超過 1000V。 另外一個需要說的是電流方面，我們這裡講到的電流是指整流橋平均最大輸出電流，按照現在電源行業慣用比例 1:3 的配比，也就是說整流橋電流選型應當大於實際工作電流的三倍。例如設計一款小功率充電器，工作電流為 300 毫安大小的電路，那麼選型整流橋的電流則可以選擇 ASEMI 半導體的 DB107 整流橋。倘若實際工作電流超過 500 毫安，那麼需要用 DB207 整流橋。

橋式整流輸出電壓計算公式如下：

uo=ui-2Ud

即，橋式輸出電壓=輸入電壓(變壓器次級輸出電壓)減去二個二極體的正向壓降。

橋式整流器是利用二極體的單向導通性進行整流的最常用的電路，常用來將交流電轉變為直流電。

橋式整流電路的工作原理如下：

輸入電壓u2為正半周時，對D1、D3加正向電壓，Dl、D3導通;對D2、D4加反向電壓，D2、D4截止。電路中構成u2、D1、RFz 、D3通電迴路，在Rfz 上形成上正下負的半波整流電壓;

輸入電壓u2為負半周時，對D2、D4加正向電壓，D2、D4導通;對D1、D3加反向電壓，D1、D3截止。電路中構成u2、D2、Rfz 、D4通電迴路，同樣在Rfz 上形成上正下負的另外半波的整流電壓。如此重複下去，結果在Rfz 上便得到全波整流電壓。其波形圖和全波整流波形圖是一樣的。從圖還不難看出，橋式電路中每隻二極體承受的反向電壓等於變壓器次級電壓的最大值，比全波整流電路小一半。橋式整流是對二極體半波整流的一種改進。

分析1：電源濾波的過程分析：

電源濾波是在負載RL兩端並聯一隻較大容量的電容器。由於電容兩端電壓不能突變，因而負載兩端的電壓也不會突變，使輸出電壓得以平滑，達到濾波的目的。

波形形成過程：輸出端接負載RL時，當電源供電時，向負載提供電流的同時也向電容C充電，充電時間常數為τ充=（Ri∥RLC）≈RiC，一般Ri〈〈RL，忽略Ri壓降的影響，電容上電壓將隨u2迅速上升，當ωt=ωt1時，有u2=u0，此後u2低於u0，所有二極體截止，這時電容C透過RL放電，放電時間常數為RLC，放電時間慢，u0變化平緩。當ωt=ωt2時，u2=u0，ωt2後u2又變化到比u0大，又開始充電過程，u0迅速上升。ωt=ωt3時有u2=u0，ωt3後，電容透過RL放電。如此反覆，週期性充放電。由於電容C的儲能作用，RL上的電壓波動大大減小了。電容濾波適合於電流變化不大的場合。LC濾波電路適用於電流較大，要求電壓脈動較小的場合。

分析2：計算濾波電容的容量和耐壓值選擇

電容濾波整流電路輸出電壓Uo在√2U2~0.9U2之間，輸出電壓的平均值取決於放電時間常數的大小。

橋式整流要注意的事項，理論上無非是整流元件和濾波電容的耐壓，以及根據負載的功率大小來決定濾波電容的容量，整流元件的電流的引數。

我從網上隨便下載了一個簡單開關電源的輸入部份來講一下。按你問題說的155V直流輸出，可以大概估計出輸入電壓在：155/√2即AC110V左右。透過計算可算出整流元件的耐壓至少要達到110*2√2即310V以上，市面上最接近的整流元件耐壓級別是400V，不過一般整流元件耐壓引數不形響報價，為了防止電源的紋波等，安全起見還是選用600V耐壓以上的更穩妥。濾波電容選擇比輸出電壓要高的耐壓即可以，這裡選擇200V，或都250V的都可以滿足要求了。因為問題沒說負載的大小和形式，濾波電容的容量我就亂算了。可以參考網上的公式估算，這裡就不詳述了。

以上只是理論計算，實際實用還要考慮更多問題，如155V輸出負載是開關電源等干擾較大的負載，還要在電路上加如圖中的共模電感，X電容。防止負載損壞還要考慮增加保險絲等保護元件。如果對電壓要求精確還要考慮增加穩壓電路。