低配高價還理直氣壯 OPPO和vivo給使用者灌了什麼迷魂湯

在毫無徵兆的情況下高通突然公佈了2017年的旗艦晶片驍龍835，驍龍835是驍龍820/821的繼任者，是高通明年春季開始供貨的最高階手機晶片，筆者作為手機重度發燒友，對於旗艦手機晶片尤其關注，去年筆者印象深刻的驍龍820是在雙11期間也就是11月11日釋出的，今年的繼任者驍龍835相比去年晚了一週時間，那麼驍龍835有哪些值得期待的點呢?

高通驍龍835

①更先進的製程

高通官方宣稱驍龍835採用的是三星半導體最新的10nm製程工藝，三星表示10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%，效率提升40%。

而根據半導體制程工藝的規律來看，10nm相比14/16nm更多的是平滑升級，10nm是半導體技術從14/16nm節點向7nm過渡的中間節點，7nm工藝會採用非常先進的EUV極紫外光刻技術，而10nm算是一個不太重要的節點，其實包括臺積電的10nm工藝也只面向移動端，所以採用臺積電代工工藝的廠商英偉達明年的GTX系列顯示卡依然會是16nm工藝。

②更強的CPU

據傳言此次驍龍835採用8核心設計，彌補了驍龍820CPU多執行緒弱的缺點，而如果是八核設計，那驍龍835的單核效能註定不會特別強悍，至少不會超過蘋果A10晶片的單核效能，要不然功耗問題難以解決。

伴隨著VR時代的到來，VR對手機圖形處理能力的要求要比以往高得多，驍龍820搭載的Adreno 530GPU即使釋出一年了效能依然強悍，在手機端的效能僅次於目前蘋果A10的GPU，而驍龍835上的新一代Adreno GPU無疑會更加強悍。

由於蘋果A10的GPU相比高通驍龍820/821上的Adreno 530領先幅度並不是太大，所以驍龍835的GPU效能超過蘋果A10基本是沒有問題的，何況A10還是16nm工藝，但由於iOS與安卓平臺的最佳化不同實際遊戲表現就另說了。

④全新的圖形API：Vulkan

其實高通驍龍820/821就已經支援Vulkan這一革命性的API，只不過Vulkan的生態還不夠完善，所以除了三星曾經在S7 edge上演示過Vulkan遊戲其他的筆者就沒啥印象了，真正讓Vulkan為大眾所知的是華為海思麒麟960晶片上的Mali G71GPU支援Vulkan。

之所以說Vulkan是革命性的，是因為它對GPU效能的釋放起到至關重要的作用，改善CPU對GPU效能的限制，使多核GPU真正發揮出應有的效能。

⑤更快的充電速度

高通同步釋出新一代 QC4.0 快速充電技術。相比 QC 3.0 充電速度提升 20%，並支援 Type-C。能夠實現“充電 5 分鐘，通話五小時”。大約 15 分鐘內，可衝入 50% 的電量。另外，QC4.0 有更好的電源管理系統，能夠有效降低充電造成的電池損耗。

⑥深度學習的人工智慧

驍龍820內建Zeroth神經處理引擎，能夠自動根據使用者拍攝的照片進行分類，相信驍龍835會更進一步，帶來更加實用的人工智慧，畢竟如今包括谷歌在內的企業都在重視人工智慧，人工智慧在未來會顛覆很多現有的東西。

⑦更強的ISP/DSP

隨著雙攝手機的普及，預計驍龍835會對雙攝有更好的ISP支援方案，但具體如何實現只有等驍龍835真正釋出時才知道了，而新一代的Hexagon DSP預計會帶來更好的待機表現。

筆者今年去過幾次高通的沙龍會，高通高管透露其下一代基帶是下行速率高達1Gbps的X16基帶，無疑好馬配好鞍，驍龍835會首次採用X16基帶。但在這裡筆者要潑一下冷水，因為高通的客戶並不僅僅是手機廠商，還包括電信運營商，所以1Gbps下載速率的頻寬顯然不是為主流人群準備的，要想達到這麼高的下載速率還需要運營商的支援，至少在中國，明年三大運營商肯定不會商用高達1Gbps下行速率的網路，但不得不說高通的技術實力很強，雖然普通消費者用不到，但能夠做出這麼牛的基帶就是一種能力，是技術實力的展現。

⑨更高的記憶體頻寬

據傳言驍龍835會率先支援傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運存，頻寬提升明顯。

驍龍835可能依然仍存在的不足：

①峰值效能的持續性問題

CPU發熱降頻一直是老生常談，目前在CPU領域對發熱降頻做得最好的是英特爾以及蘋果公司，英特爾的酷睿系列晶片以及蘋果的A系列晶片的峰值效能持續時間令人印象深刻，而反觀高通/海思/聯發科的晶片一發熱就降頻，導致效能下降，這一點在玩遊戲時尤為明顯。功耗控制表現出色的驍龍820在峰值效能持續性上依然不如蘋果A9，所以驍龍835會有何改進值得期待。

②三星電子的產能是否能跟上

去年高通釋出驍龍820之後在很長一段時間內的供貨一直很緊張，最直接的原因是由於量產初期產能還沒跟上，高通把大部分的產能都供給三星S7/S7 edge這兩款機器，導致中國產廠商拿不到貨，而明年初這一問題可能依然會持續，不過到了2018年這一問題有望緩解，有傳言高通會在2018年的半導體7nm製程節點回歸臺積電代工陣營，而同期三星的全網通基帶也已成熟，所以高通與三星可能就此分道揚鑣，筆者預計三星Galaxy S9會全部採用自家Exynos系列晶片。

至於驍龍835是否有一定機率出現驍龍810過熱問題，筆者認為，10nm相較14/16nm的工藝進步不算是非常大，技術難度相對較小，7nm才是重要的節點，另外再加上高通已經對64位架構晶片駕輕就熟，所以綜合評估來看驍龍835不大可能會出現過熱問題。

另外值得關注的點：哪家手機廠商首發驍龍835其實並無意義

至於今年底或者明年初哪家手機廠商首發驍龍835，其實這更多的是象徵意義，實際意義不大，因為明年驍龍835真正首批開始大規模供應的手機可能依然會是三星的S8系列，一方面，高通驍龍835是三星半導體代工的，另一方面，高通拋棄臺積電選擇三星作為晶片代工廠商也是有條件的，在三星還沒搞定全網通基帶的情況下依然會在有全網通需求的國家比如中國、美國市場採用高通晶片，在驍龍835晶片量產初期也就是明年一季度，除了三星以外的其他廠商未必能拿到很多貨。

除了三星S8，目前已經確認還有明年初發布的小米6、OPPO Find 9也均將搭載驍龍835處理器。下面，我們主要簡單來分別介紹下驍龍835一些值得重點關注的特性部分。

10nm工藝QC4.0快充 三星S8首發驍龍835嗎?

近日，高通公司宣佈將與三星電子合作共同開發下一代驍龍835處理器，最大特色是採用三星10納米制程工藝打造，同時支援Quick Charge 4.0快充技術。

三星S8或首發搭載高通驍龍835

高通方面表示，由於採用全新的10納米制程工藝，驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高效能，從而提升移動裝置的使用者體驗。

據悉，今年10月份，三星就率先公佈了10奈米工藝的量產，與上代14奈米工藝相比，10奈米可以減少30%的晶片尺寸，同時提升27%的效能以及降低40%的功耗。

藉助10奈米工藝製程，高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸，讓OEM廠商可以進一步最佳化移動裝置的機身內部結構，比如增加電池或是實現更輕薄的設計等等。此外，製程工藝的提升也會改善電池續航能力。

目前驍龍835已經投入生產，預計搭載驍龍835處理器的裝置將會在2017年上半年陸續出貨。

除了驍龍835處理器之外，高通還正式釋出了全新的Quick Charge 4.0快充技術，支援驍龍835處理器。QC 4.0將會在前幾代方案的基礎上繼續提升充電效率，官方稱充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對USB-C的支援，適配範圍更廣泛。

網友熱議：

麒麟960剛剛趕上高通821的效能，這還沒有兩個月，835又要出來了，你讓花粉情何以堪??

華為的麒麟面對驍龍就已經十分吃力了。這個835對於華為會是一個巨大的挑戰了。

高通驍龍835是幾核?高主頻重回八核

雖然八核心設計的驍龍810沒有獲得好評，四核心設計的驍龍820卻大獲成功。但在下一代驍龍835身上，高通又要重回八核心設計了。在曝光Helio X30/P35規格的同時，業內人士@草包科技還透露了驍龍835和驍龍660的具體規格，有興趣的不妨一看。

高通驍龍835是幾核?高主頻重回八核

具體來說，驍龍835將採用10nm八核心設計，大小核均為Kryo架構，大核心頻率3GHz，小核心頻率2.4GHz，GPU為Adreno 540，支援4K屏、UFS 2.1、雙攝、QC4.0以及LPDDR4x四通道記憶體，整合了Cat.16基帶。

雖然高通表示搭載驍龍835的手機會在明年初上市，但@草包科技的表格顯示要到明年二季度才能看到驍龍835手機。

接著是驍龍660，同樣是八核心設計，不過工藝換成了14nm，架構為A73和A53組合，GPU為Adreno 512，支援2K屏。

其餘規格還包括雙通道LPDDR4x記憶體、LTE Cat.10基帶，QC4.0、以及UFS 2.1等等。此外，搭載驍龍660的手機有望在明年第三季度和我們見面。

高通驍龍835基帶規格公佈 搭載X16 LTE千兆基帶

高通今天在深圳舉辦技術會議，官方明確表示，下一代驍龍800處理器將搭載X16 LTE基帶。

其實X16 LTE首次公佈在今年2月，它是全球首款移動平臺千兆Modem，用以取代驍龍820/821上的X12基帶。所謂的下一代驍龍800系列應該至少包括剛剛宣佈的驍龍835晶片。

X16基帶支援Cat.16，下行速率可達1Gbps，也就是千兆，而X12為600Mbps(Cat.12 DL)，150Mbps(Cat.13 UL)。

當然，要達到理論峰值，需要支援4x20MHz CA、256-QAM和4×4MIMO，澳洲電信在9月份聯合高通和愛立信實測了979Mbps的下載和129Mbps的上傳。

關於驍龍835的其他特性，目前確定的還有三星10nm FinFET製程，效能提升27%等，外界認為這是一款8核Big.Little晶片，大核是Kryo 200，主頻逼近3GHz。

驍龍835是高通今年釋出的一顆旗艦晶片。

核心數方面，驍龍835採用的是八核心設計，大小核均為Kryo280架構，大核心頻率2.45GHz，小核心頻率1.9GHz，GPU為Adreno 540，相比上代效能提升25%，支援4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4X四通道記憶體，整合了Cat.16基帶。

下面我們以小米6為例，用測試工具對其進行理論測試，看看驍龍835到底會有怎樣的表現。

1、安兔兔拷機測試

↑↑↑安兔兔滿載拷機測試，驍龍835的效能在60%-100%之間浮動，整體負載介於50%-100%之間。

具體到單個核心上面，CPU負載都能達到100%，做到滿頻執行。安兔兔拷機測試的是極限效能，日常使用八核滿載執行的情況極少，CPU會根據實際任務量的大小智慧呼叫核心，以節省電量。

2、安兔兔跑分

↑↑↑驍龍835在安兔兔跑分中的成績達到了181118分，與榜單中的iPhone 7 Plus僅僅相差3000分左右。單從跑分資料來看，驍龍835的表現媲美曾經的霸主A10 Fusion。透過右圖的對比可以看出，驍龍835在CPU效能方面還是弱於A10 Fusion，而其GPU效能則遠超對手（從3D《孤立》得分中看出）。

↑↑↑從以上表格對比中看出，得益於驍龍835的強勁效能，小米6在安卓陣營中傲視群雄，遠遠超過了競爭對手，相比iPhone 7 Plus，小米6所搭載的驍龍835還是略遜於蘋果A10 Fusion。

3、GeekBench CPU測試

↑↑↑GeekBench CPU測試

↑↑↑從對比結果來看，驍龍835無論是單核成績還是多核成績均完勝競爭對手，相比上一代驍龍821，其效能提升非常明顯，尤其是多核表現非常搶眼。

4、GFXBench GPU測試

↑↑↑GFXBench GPU測試

↑↑↑對比結果非常明顯，驍龍835的GPU效能遠遠超過了對手麒麟960，和上一代驍龍821相比也有非常明顯的進步。無論是大型3D遊戲還是日常應用，驍龍835都能流暢執行毫無壓力。

5、PCMark測試 ↑↑↑PCMark是一款綜合效能測試軟體，它的測試基於日常活動而不是抽象演算法，分數反映的是實際應用效能，而不是理論上的最高效能。當然，分數越高代表其綜合表現越好。

透過測試可以看出，小米6的PCMark綜合效能位居第一，遠遠超過了榜單上的對手（包括自家手機）。

綜上所述，驍龍835的效能是安卓陣營的頂尖水平。