2020年3月28日，中國計算機學會做了一個 CCF YOCSEF 技術論壇：量子計算機離我們還有多遠？的主題，主題上 張輝（合肥本源量子計算科技有限責任公司副Quattroporte，中國科學技術大學博士）做主題演講時候有提到，3nm是經典計算機的工藝極限，就是因為量子的問題。本源量子是國內中科院旗下的做量子計算機方面的公司。

之前中芯國際副總曾經在喜馬拉雅的音訊節目中回答過這一提問，他說1nm的光刻機工藝並不是技術上難以逾越的門檻。只是目前採用投影或浸入式的技術還難以做到1nm工藝，但其實世界上已有直寫技術可以做到1nm了，只是採用直寫技術的矽片沒有商用價值，只能製作掩膜版用，所以說3nm更不是極限了，那麼光刻機的極限在哪裡呢？接著往下看。

其實光刻機極限已經快到了，因為矽這種材料的極限在1奈米左右，如果想要超越1nm,那就得換材料了，但是目前地球上已經發現的材料中，沒有比矽更適合的了，所以末來十年都很難超越1nm工藝，除非科學家能發現一種新材料，當然，這種可能很小。

超越1nm很難，那麼達到1nm呢？目前要想達到1nm，目前當晶片內部線寬窄到3nm，電路中用於導電的銅線之間的間距太小，就會發生短路，所以說達到1nm都很難，只能寄希望於量子技術的突破了。

在EUV光刻機方面，荷蘭ASML（阿斯麥）公司壟斷了目前的EUV光刻機，去年出貨26臺，創造了新紀錄。據報道，ASML公司正在研發新一代EUV光刻機，預計在2022年開始出貨。

根據ASML之前的報告，預計2020年將會交付35臺EUV光刻機，到2021年則會達到45臺到50臺的交付量，是2019年的兩倍左右。目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C，兩者基本結構相同，但NXE:3400C採用模組化設計，維護更加便捷，平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時，支援7nm、5nm。

與之前的光刻機相比，ASML新一代光刻機的解析度將會提升70%左右，可以進一步提升光刻機的精度，畢竟ASML之前的目標是瞄準了2nm甚至極限的1nm工藝的。不過新一代EUV光刻機還有點早，至少到2022年才能出貨，大規模出貨要到2024年甚至2025年，屆時臺積電、三星等公司就可以考慮3nm以下的製程工藝了，所以說到2022年光刻機的精度有望達到3nm,要想達到1nm，估計要到2030年了。