二極體正向導通時會有一定壓降

二極體具有單向導通的特性，當二極體正向導通時會有一定的壓降壓，矽二極體的正向導通壓降壓大約為0.6V~0.8V，鍺二極體的正向導通壓降大約為0.2V~0.3V。有些功率較大的矽二極體正向導通壓降達1V左右。如果正向導通壓降為0V，應該是內部擊穿短路了。

二極體正向導通時，等效於一個很小的電阻，電阻雖小，但只要有電流經過，就會有壓降。如果經過二極體過大，一般會燒壞二極體的PN接面，根據不同二極體的工藝，PN燒壞後可能是斷路，也可能是短路，如果PN接面處於短路狀態，並且持續大電流，融化了的PN接面也可以在大電流下，進一步被燒斷而開路，但也不是必然的。

如果大家以後二極體擊穿後都是開路，那就大錯特錯了。像玻璃封閉的穩壓二極體，如果反向擊穿，會燒燬PN接面，內部形成短路。這種內部短路的二極體，測量出來的正向壓降當然是0V了。

在帶穩壓二極體的介面電路中，當電壓超出二極體的規格時，就會使得穩壓二極體擊穿短路，我們在設計電路的時候需要選擇合適規格的穩壓二極體，並具留有足夠的設計餘量。

一般來說，二極體正向導通都會有壓降的。矽材料二極體壓降一般為0.6-0.7V。鍺材料二極體壓降一般為0.2-0.3V。

如果壓降為零可能二極體被短路或擊穿了。

如果還不確定，可以用萬用表測定法來測定二極體的好壞。

一、辨別出二極體的正負極，有白線的一端為負極，另一端為正極

二、將萬用表上的旋鈕撥到通斷檔位，並將紅黑表筆插在萬用表的正確位置。

三、將紅表筆接二極體正極，黑表筆接負極。然後觀察讀數，如果滿溢（即顯示為1），則二極體已壞。若有讀數，則交換表筆，若還有讀數而不滿溢，則二極體壞。

四、如果是發光二極體，若二極體正常，則可以看到微弱的亮光，長腳為正極。

二極體作為半導體元器件在電子電路中應用十分普遍，它在電路中一般作為整流、穩壓、檢波等作用。電子管在電路中出現故障也是“大機率”事件，這主要是與它本身的結構有關。我們知道半導體就有一個PN接面，它是在P型半導體與N型半導體之間形成很薄的一層結構。它承受電壓的能力是有限定的，對於突入其來等高電壓在瞬間就會造成擊穿故障。下面和朋友們探討一下對於二極體正向導通壓降是0伏我說說我的看法。

我認為的一種可能是所測的二極體是鍺材料製作的二極體，我們知道製作二極體的材料有矽材料和鍺材料兩種，矽材料製作的二極體正向導通壓降是0.6V而鍺材料製作的二極體正向導通壓降是0.2V。如果你是用指標萬用表進行測量，再加之誤差比較大會給你的測量帶倆一種“假象”，此時我們再用萬用表測它的反向電壓看一下情況，如果正反向都為0V說明二極體已經擊穿了無法使用。

為了進一步核實是不是二極體擊穿我們最直接的方法是使二極體處於斷電狀態，用萬用表測量其正反向阻值，如果正反向電阻阻值都很小則說明確實是擊穿了，如果正反阻值相差比較大，說明二極體是好的，有可能是別的元器件有故障導致了二極體的壓降拉低到0V了，這要根據電路圖來具體分析。

二極體在正常工作時是存在正向導通壓降的，但這個壓降不是0V，受工藝以及半導體材料的影響，矽二極體的壓降大約為0.7V,鍺二極體的壓降大約為0.3V，有些會在1V左右，而做不到0V。如果正向導通壓降為0V，那麼說明這個二極體是存在問題，可能是因為擊穿而發生短路了。

二極體內部結構是由P型半導體和N型半導體構成的，當PN接面正向偏置，即在P型半導體加電源正極，在N型半導體上加電源負極，並且電壓滿足一定條件時，二極體處於導通狀態，並且二極體兩端的電壓處於穩定狀態，這個電壓就是二極體的正向導通壓降。

當二極體的PN接面反向偏置時，即在P型半導體上加電源負極，在N型半導體上加電源正極，此時二極體處於截止狀態，當反向電壓持續增大時，二極體可能會被反向擊穿。

如果檢測到二極體的正向導通壓降為0V，將電路斷電後，用萬用表測一下二極體。將萬用表的檔位打到二極體檔，紅表筆接正極，黑表筆接負極，如果電壓表顯示0.7左右的數值則表明完好，如果顯示0或者無窮大則表明二極體有問題。

二極體的基本特性

二極體是單PN接面的電子元件，它的基本特性是單向導通，即正向導通反向截止。二極體雖然能夠正向導通，但是他在導通時是存在一定的壓降的，這個壓降通常為0.7V，當然不同材料不同型號的二極體，導通壓降是存在差別的。

正常使用時的二極體，是具有正向導通反向截止的，但是當反向電壓電流等引數超過了二極體的額定引數時，就有可能造成二極體損壞擊穿。當二極體擊穿時，測得的正向壓降就會接近0V。所以二極體在使用時，需要選擇合適的引數，並且工作在合適的溫度。

利用二極體的基本特性，最基本的應用就是整流，透過二極體的單向導通特性，將交流電轉換成直流電。由於二極體存在導通壓降，所以二極體在導通時就會產生一定的功耗，這個功耗最多的被轉換成熱量散失。二極體的發熱一方面會浪費掉一部分的能量，影響效率，另一方面溫度過高也有可能造成二極體損壞。

為了降低二極體導通時候的功耗，就需要使二極體的正向壓降儘可能小。所以在大功率的開關電源的整流輸出通常會使用降壓較小的肖特基二極體。單純從整流的角度來講，也有效率更高的方式，同步整流這種利用mos管作為整流元件的方式。

雖然說二極體具有單向正向導通反向截止的基本特性，但是也有一部分二極體工作在非正常的狀態，比如穩壓二極體、瞬態抑制二極體、觸發二極體等等。以穩壓二極體為例，這種二極體是具有二極體的基本特性的，但是它在正常使用時是工作在反向擊穿的狀態的。

從穩壓二極體的伏安特性曲線能夠看出，它在正向導通時也具有一定的壓降，工作在反向時，反向電壓達到一定值後，會迅速導通並且能夠恆定在一定範圍。穩壓二極體就是利用了這個特性實現穩壓的。

雖然穩壓二極體工作在反向擊穿的狀態，但是通入的電壓也不是能夠無限增加的，當電壓超過一定值，就會造成二極體永久擊穿。所以穩壓二極體在使用時，除了需要根據電路的引數選擇合適穩壓值及功率外，它是不允許不透過電阻直接並聯在電源兩端使用的。

正常情況下二極體的正向導通壓降不可能是0V！二極體一般由矽和鍺兩種材料組成，矽材料二極體的正向導通壓降一般為0.5V~1.2V左右，鍺材料二極體的正向導通壓降一般為0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想狀態）！若使用萬用表電壓檔測量二極體的正向導通壓降為0V，有可能該二極體已擊穿，或者該二極體後端完全懸空（無電流），或者該二極體並聯有其它幾乎無壓降電路造成。

1、二極體擊穿。二極體被擊穿時，有短路和開路兩種狀態，當二極體擊穿短路時，此時測量二極體的正向壓降確實是0V！

2、二極體後端懸空（完全空載）。由於完全空載，二極體上無電流時，二極體兩端是不存在壓降的，由U=IR可知，電流I=0時，無論阻抗R多大，電壓U仍然為0。比如5V電源串聯一個整流二極體後端完全懸空，二極體輸出端的電壓仍然為5V，只有接上負載後其輸出電壓才下降為4.3V左右。

3、二極體並聯有其它電路。當電路板上的二極體並聯有其它元器件時，直接在電路板上測量其正向導通壓降是有可能為0V的情況！為什麼呢？因為二極體並聯的電路中幾乎無壓降！既然無壓降但是為什麼還要並聯二極體呢？有許多電路看似二極體不起作用，但是沒有這個二極體往往不能正常工作！

比如上圖使用場效電晶體當二極體的防反接電路，使用場效電晶體當二極體的好處就是幾乎“零壓降”，因為場效電晶體的導通內阻較小，一般只有幾十mΩ，小的甚至幾mΩ！比如導通內阻20mΩ的場效電晶體，工作電流為1A時，壓降只有20mV，幾乎零壓降！

上圖是採用P溝道的場效電晶體代替普通二極體作為防反接電路，其具體工作過程為：（假設電源為10V，二極體D1的壓降為0.7V）上電瞬間，場效電晶體控制端G極串聯電阻R1接負極，電壓為0V，漏極D電壓為10V，S極電壓為0V，VGS=0V，場效電晶體截止；然後電流從二極體D1流過形成迴路，電流經過場效電晶體S極時，S極的電壓為9.3V，此時VGS=-9.3V，場效電晶體Q1飽和導通，此時二極體的壓降幾乎為零。

由此可見，雖然正常工作時二極體D1的壓降幾乎為零，完全不起作用！但是去掉這個二極體就不行，去掉之後場效電晶體Q1永遠無法導通！這個二極體D1起到觸發場效電晶體導通的作用！

使用二極體時，其正向導通是有壓降的！這個壓降並不是0V！雖然這個壓降並不大，但在電路設計時往往不能忽略！若忽略壓降問題就有可能導致電路工作不正常！比如電源輸出電壓為5V，為了防止電源輸入端接反，在正輸入端串聯一個整流二極體給負載供電，負載端的電壓可能只有4.3V~4.5V左右了，極有可能會導致負載不能正常工作。

總結：二極體是很常用的半導體元器件，由一個PN接面構成，其主要特性為正向導通、反向截止。正常情況下二極體會有0.2V~1V左右的壓降，雖然很小，但並不是完全0壓降！若測量幾乎0壓降，極有可能是本人分析的以上幾種情況。

二極體具有單向導通的特性，當二極體正向導通時都會有一定的電壓降，矽材料二極體壓降一般為0.6-0.7V。鍺材料二極體壓降一般為0.2-0.3V。如果導通時壓降為0V那可能二極體被短路或擊穿了。

當二極體正向導通壓降是0V時，可以用萬用表來測量二極體的好壞。具體測量方法如下：

一、辨別出二極體的正負極，有白線的一端為負極，另一端為正極

二、將萬用表上的旋鈕撥到通斷檔位，並將紅黑表筆插在萬用表的正確位置。

三、將紅表筆接二極體正極，黑表筆接負極。然後觀察讀數，如果滿溢（即顯示為1），則二極體已壞。若有讀數，則交換表筆，若還有讀數而不滿溢，則二極體壞。

四、如果是發光二極體，若二極體正常，則可以看到微弱的亮光，長腳為正極。