這個問題，這個得從三極體構造說起了，你只需要記住三極體正常工作的時候NPN型基極電壓高於發射極，電流從集電極流向發射極就可以了，如果電壓加反了超過一點電壓會擊穿

集電極反向電壓也就是所謂的集電極反偏！

三極體分為pnp型三極體和npn型三極體，集電極用c表示！基極用b表示！發射極用e表示！不管是什麼型號的電路圖中，凡是發射極都是有箭頭的。發射極箭頭的方向就是電流的方向！

三極體屬於小電流控制大電流器件！

三極體導通條件:發射結正偏，集電結反偏！

三極體裡邊實際是兩路電流

（1）npn型三極體第一路電流為基極流向發射極這一路電流為正偏，第二路電流為集電極流向發射極，這一路電流為大電流，這就是集電極反偏！

集電極反向電壓如何理解?

●集電極反向電壓僅僅只是三極體的主要引數中的一部分引數。集電極反向電壓對於NPN型三極體可以理解為，把三極體的基極b斷開，在集電極c與發射極e之間加上直流正向電壓(c-、e+)時的擊穿電壓。對於PNP型三極體則是(c+、e-)。見下圖所示。

●無論NPN、PNP三極體都可以理解為兩個PN接面二極體結合在一起的形式。集電極、發射極反向擊穿電壓該電壓是指當電晶體的基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。

●PN接面的擊穿特性 當PN接面上加的反向電壓增大到一定數值時，反向電流突然劇增，這種現象稱為PN接面的反向擊穿。PN結出現擊穿時的反向電壓稱為反向擊穿電壓，用VB表示。反向擊穿可分為雪崩擊穿和齊納擊穿兩類。

一旦超過PN接面擊電壓後會造成PN接面穿雪崩擊穿， 當反向電壓較高時，結內電場很強，使得在結內作漂移運動的少數載流子獲得很大的動能。當它與結內原子發生直接碰撞時，將原子電離，產生新的"電子一空穴對"。這些新的"電子一空穴對"，又被強電場加速再去碰撞其它原子，產生更多的"電子一空穴對"，此時電流會迅速增加而失去三極體的放大能力。

●三極體的內部兩個PN接面，由於摻雜濃度很高，PN接面很窄，這樣即使施加較小的反向電壓（5V以下），結層中的電場卻很強（可達左右）。在強電場作用下，會強行促使PN接面內原子的價電子從共價鍵中拉出來，形成"電子一空穴對"，從而產生大量的載流子。它們在反向電壓的作用下，形成很大的反向電流，出現了擊穿。

三極體有三個電極分別叫基極b、發射極e和集電極c，這三個電極加上不同的電壓就會使三極體處於不同的狀態，這三種狀態我們分別可稱作放大狀態、飽和狀態和截止狀態。在這三種狀態中其中有兩種狀態必須要使三極體的集電極處於反向電壓狀態，我們一般都稱為集電極的反偏狀態。下面我將和朋友們談談三極體集電極反向電壓這件事。

要說起三極體的反向電壓我們最好從三極體的內部說起，下面我們以三極體NPN為例子來說明這個問題，從三極體內部的結構可以看出它裡面包含兩個接觸面（PN接面），這兩個接觸面把內部三極體分成三塊，每一塊稱為一個區分別稱為發射區、基區和集電區。

由此可以看作三極體內部相當於兩個二極體連線而成，按照以前二極體的導通要求來說只要P區加正向電壓N區加反向電壓（一般要高於它的導通壓降），那麼二極體就會導通，對於NPN三極體來說如果基極b加電壓正極，集電極c和發射極e加電壓負極這時我們就稱為集電極處於正偏、發射極也處於正偏，這時候三極體應該處於飽和狀態；

當給NPN三極體基極b加負電壓，集電極c和發射極e加正電壓這時我們就稱為集電極處於反偏、發射極也處於反偏，這時候三極體應該處於截止狀態。因此我們對集電極反向電壓可以這樣理解：對於NPN三極體來說只要給三極體基極b加電壓負極，集電極c加電壓正極，這個狀態下就稱為集電極反向電壓；對於PNP管子來說只要給三極體基極b加電壓正極，集電極c加電壓負極，這個狀態也稱為集電極反向電壓。

從外部看三極體的三個電極用三個金屬絲引出，根據三極體的型號不同其基極b、集電極c和發射極e排列順序也是不一樣的。在三極體外部我們用電源Ec的正極透過集電極電阻Rc與集電極c相接，這時基極b透過基極電阻Rb與電源Eb正極相連線，發射極e與兩者電源負極相連線，這時就稱為集電極反向電壓。這也稱為集電結C的反偏，它也是三極體處於放大狀態的必要條件之一。

要使三極體真正處於放大狀態，在三極體的外部的集電極C要加反向電壓，發射極E要加正向電壓；要使三極體處於截止狀態，三極體外部集電極C要加反向電壓，發射極E也要加反向電壓；要使三極體處於飽和狀態，三極體外部集電極C要加正向電壓，發射極E也要加正向電壓。