答：mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。
MOS管工作原理
NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V， 其他電壓，看手冊）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高階驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高階驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用NMOS。
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
1，MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至於為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。
在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載（如馬達、繼電器），這個二極體很重要，用於保護迴路。順便說一句，體二極體只在單個的MOS管中存在，在積體電路晶片內部通常是沒有的。
MOS管的正確用法詳解由美國aos萬代半導體代理泰德蘭電子提供參考資料（一）三極體和MOS管的基本特性
三極體是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極體和PNP型三極體兩種，符號如下：
（二）三極體和MOS管的正確應用
（1）NPN型三極體，適合射極接GND集電極接負載到VCC的情況。只要基極電壓高於射極電壓（此處為GND）0.7V，即發射結正偏（VBE為正），NPN型三極體即可開始導通。
基極用高電平驅動NPN型三極體導通（低電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND；優點是，①使基極控制電平由高變低時，基極能夠更快被拉低，NPN型三極體能夠更快更可靠地截止；②系統剛上電時，基極是確定的低電平。
（2）PNP型三極體，適合射極接VCC集電極接負載到GND的情況。只要基極電壓低於射極電壓（此處為VCC）0.7V，即發射結反偏（VBE為負），PNP型三極體即可開始導通。
基極用低電平驅動PNP型三極體導通（高電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC；優點是，①使基極控制電平由低變高時，基極能夠更快被拉高，PNP型三極體能夠更快更可靠地截止；②系統剛上電時，基極是確定的高電平。
所以，如上所述：
對NPN三極體來說，最優的設計是，負載R12接在集電極和VCC之間。不夠周到的設計是，負載R12接在射極和GND之間。
對PNP三極體來說，最優的設計是，負載R14接在集電極和GND之間。不夠周到的設計是，負載R14接在集電極和VCC之間。
這樣，就可以避免負載的變化被耦合到控制端。從電流的方向可以明顯看出。
（3）PMOS，適合源極接VCC漏極接負載到GND的情況。只要柵極電壓低於源極電壓（此處為VCC）超過Vth（即Vgs超過-Vth），PMOS即可開始導通。柵極用低電平驅動PMOS導通（高電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高，PMOS能夠更快更可靠地截止。
（4）NMOS，適合源極接GND漏極接負載到VCC的情況。只要柵極電壓高於源極電壓（此處為GND）超過Vth（即Vgs超過Vth），NMOS即可開始導通。柵極用高電平驅動NMOS導通（低電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND，使柵極控制電平由高變低時，柵極能夠更快被拉低，NMOS能夠更快更可靠地截止。
所以，如上所述
對PMOS來說，最優的設計是，負載R16接在漏極和GND之間。不夠周到的設計是，負載R16接在源極和VCC之間。
對NMOS來說，最優的設計是，負載R18接在漏極和VCC之間。不夠周到的設計是，負載R18接在源極和GND之間。
（三）設計原則
為避免負載的變化被耦合到控制端（基極Ib或柵極Vgs）的精密邏輯器件（如MCU）中，負載應接在集電極或漏極。
MOS管優勢
1.場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效電晶體可以用作可變電阻。
4.場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5.場效電晶體可以用作電子開關。
6.場效電晶體在電路設計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零，三極體只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高，可以減輕訊號源負載，易於跟前級匹配。
答：mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導體(semiconductor)場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能。這樣的器件被認為是對稱的。
MOS管工作原理
NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到一定電壓（如4V或10V， 其他電壓，看手冊）就可以了。
PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高階驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高階驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高階驅動中，通常還是使用NMOS。
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
1，MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至於為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。
MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。
在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載（如馬達、繼電器），這個二極體很重要，用於保護迴路。順便說一句，體二極體只在單個的MOS管中存在，在積體電路晶片內部通常是沒有的。
MOS管的正確用法詳解由美國aos萬代半導體代理泰德蘭電子提供參考資料（一）三極體和MOS管的基本特性
三極體是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極體和PNP型三極體兩種，符號如下：
（二）三極體和MOS管的正確應用
（1）NPN型三極體，適合射極接GND集電極接負載到VCC的情況。只要基極電壓高於射極電壓（此處為GND）0.7V，即發射結正偏（VBE為正），NPN型三極體即可開始導通。
基極用高電平驅動NPN型三極體導通（低電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND；優點是，①使基極控制電平由高變低時，基極能夠更快被拉低，NPN型三極體能夠更快更可靠地截止；②系統剛上電時，基極是確定的低電平。
（2）PNP型三極體，適合射極接VCC集電極接負載到GND的情況。只要基極電壓低於射極電壓（此處為VCC）0.7V，即發射結反偏（VBE為負），PNP型三極體即可開始導通。
基極用低電平驅動PNP型三極體導通（高電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC；優點是，①使基極控制電平由低變高時，基極能夠更快被拉高，PNP型三極體能夠更快更可靠地截止；②系統剛上電時，基極是確定的高電平。
所以，如上所述：
對NPN三極體來說，最優的設計是，負載R12接在集電極和VCC之間。不夠周到的設計是，負載R12接在射極和GND之間。
對PNP三極體來說，最優的設計是，負載R14接在集電極和GND之間。不夠周到的設計是，負載R14接在集電極和VCC之間。
這樣，就可以避免負載的變化被耦合到控制端。從電流的方向可以明顯看出。
（3）PMOS，適合源極接VCC漏極接負載到GND的情況。只要柵極電壓低於源極電壓（此處為VCC）超過Vth（即Vgs超過-Vth），PMOS即可開始導通。柵極用低電平驅動PMOS導通（高電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到VCC，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高，PMOS能夠更快更可靠地截止。
（4）NMOS，適合源極接GND漏極接負載到VCC的情況。只要柵極電壓高於源極電壓（此處為GND）超過Vth（即Vgs超過Vth），NMOS即可開始導通。柵極用高電平驅動NMOS導通（低電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到GND，使柵極控制電平由高變低時，柵極能夠更快被拉低，NMOS能夠更快更可靠地截止。
所以，如上所述
對PMOS來說，最優的設計是，負載R16接在漏極和GND之間。不夠周到的設計是，負載R16接在源極和VCC之間。
對NMOS來說，最優的設計是，負載R18接在漏極和VCC之間。不夠周到的設計是，負載R18接在源極和GND之間。
（三）設計原則
為避免負載的變化被耦合到控制端（基極Ib或柵極Vgs）的精密邏輯器件（如MCU）中，負載應接在集電極或漏極。
MOS管優勢
1.場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效電晶體可以用作可變電阻。
4.場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5.場效電晶體可以用作電子開關。
6.場效電晶體在電路設計上的靈活性大。柵偏壓可正可負可零，三極體只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作。另外輸入阻抗高，可以減輕訊號源負載，易於跟前級匹配。