答:開關MOS寄生二極體的多種妙用詳細解析
寄生二極體作用
當電路中產生很大的瞬間反向電流時,可以透過這個二極體匯出來,不至於擊穿這個MOS管。(起到保護MOS管的作用)
溝槽Trench型N溝道增強型功率MOSFET的結構如下圖所示,在N-epi外延層上擴散形成P基區,然後透過刻蝕技術形成深度超過P基區的溝槽,在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層,再用多晶矽填充溝槽,利用自對準工藝形成N+源區,背面的N+substrate為漏區,在柵極加上一定正電壓後,溝槽壁側的P基區反型,形成垂直溝道。
由美國aos萬代半導體代理泰德蘭電子提供的下圖結構中可以看到,P基區和N-epi形成了一個PN接面,即MOSFET的寄生體二極體。
MOSFET剖面結構
體二極體主要引數
二極體特性測試電路
二極體恢復曲線
MOSFET體二極體反向恢復過程波形
MOSFET體二極體應用場合
1、全橋逆變電路
2、三相橋電路
3、LLC半橋諧振電路ZVS
4、移相全橋PSFB ZVS
5、HID照明(ZVS)
MOSFET體二極體應用分析
1、MOSFET體二極體反向恢復
2、LLC半橋諧振變換器
3、LLC電壓增益
4、LLC變換器 ZVS狀態下模態切換
LLC變換器工作波形
LLC啟動過程 - 二極體反向恢復
HID照明電源(帶載切換成開路)
答:開關MOS寄生二極體的多種妙用詳細解析
寄生二極體作用
當電路中產生很大的瞬間反向電流時,可以透過這個二極體匯出來,不至於擊穿這個MOS管。(起到保護MOS管的作用)
溝槽Trench型N溝道增強型功率MOSFET的結構如下圖所示,在N-epi外延層上擴散形成P基區,然後透過刻蝕技術形成深度超過P基區的溝槽,在溝槽壁上熱氧化生成柵氧化層,再用多晶矽填充溝槽,利用自對準工藝形成N+源區,背面的N+substrate為漏區,在柵極加上一定正電壓後,溝槽壁側的P基區反型,形成垂直溝道。
由美國aos萬代半導體代理泰德蘭電子提供的下圖結構中可以看到,P基區和N-epi形成了一個PN接面,即MOSFET的寄生體二極體。
MOSFET剖面結構
體二極體主要引數
二極體特性測試電路
二極體恢復曲線
MOSFET體二極體反向恢復過程波形
MOSFET體二極體應用場合
1、全橋逆變電路
2、三相橋電路
3、LLC半橋諧振電路ZVS
4、移相全橋PSFB ZVS
5、HID照明(ZVS)
MOSFET體二極體應用分析
1、MOSFET體二極體反向恢復
2、LLC半橋諧振變換器
3、LLC電壓增益
4、LLC變換器 ZVS狀態下模態切換
LLC變換器工作波形
LLC啟動過程 - 二極體反向恢復
HID照明電源(帶載切換成開路)