答：MOS管失效的原因如下：
1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，並且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。
2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區引起失效，分為Id超出器件規格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
3：體二極體失效：在橋式、LLC等有用到體二極體進行續流的拓撲結構中，由於體二極體遭受破壞而導致的失效。
4：諧振失效：在並聯使用的過程中，柵極及電路寄生引數導致震盪引起的失效。
5：靜電失效：在秋冬季節，由於人體及裝置靜電而導致的器件失效。
6：柵極電壓失效：由於柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
mos管失效模式分析-雪崩失效、SOA失效重點分析（一）mos管失效模式分析-雪崩失效分析（電壓失效）
到底什麼是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由於母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由於就是MOSFET漏源極的電壓超過其規定電壓值並達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單瞭解下。
可能我們經常要求器件生產廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析，大多數廠家都僅僅給一個EAS.EOS之類的結論，那麼到底我們怎麼區分是否是雪崩失效呢，下面是一張經過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效。
雪崩失效的預防措施
雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。
1：合理降額使用，目前行業內的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據企業的保修條款及電路關注點進行選取。
2：合理的變壓器反射電壓。
3：合理的RCD及TVS吸收電路設計。
4：大電流佈線儘量採用粗、短的佈局結構，儘量減少佈線寄生電感。
5：選擇合理的柵極電阻Rg。
6：在大功率電源中，可以根據需要適當的加入RC減震或齊納二極體進行吸收。
（二）mos管失效模式分析-SOA失效（電流失效）
再簡單說下第二點，SOA失效
SOA失效是指電源在執行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發熱而導致的破壞模式。或者是晶片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續的發熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式。
關於SOA各個線的引數限定值可以參考下面圖片。
1：受限於最大額定電流及脈衝電流
2：受限於最大節溫下的RDSON。
3：受限於器件最大的耗散功率。
4：受限於最大單個脈衝電流。
5：擊穿電壓BVDSS限制區
我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處於上面限制區的範圍內，就能有效的規避由於MOSFET而導致的電源失效問題的產生。
這個是一個非典型的SOA導致失效的一個解刨圖，由於去過鋁，可能看起來不那麼直接，參考下。
SOA失效的預防措施
1：確保在最差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內。
2：將OCP功能一定要做精確細緻。
在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流餘量的工程師居多，然後就根據IC的保護電壓比如0.7V開始除錯RSENSE電阻。有些有經驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內。但是此時有個更值得關注的引數，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什麼影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖。
從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點後又有一段的上升時間，這段時間其本質就是IC在檢測到過流訊號執行關斷後，MOSFET本身也開始執行關斷，但是由於器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那麼在變壓器餘量設計不足時，就極有可能產生磁飽和的一個電流衝擊或者電流超器件規格的一個失效。
3：合理的熱設計餘量，這個就不多說了，各個企業都有自己的降額規範，嚴格執行就可以了，不行就加散熱器。
MOS管發熱分析
1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作線上性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高几V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全開啟而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小於最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。
答：MOS管失效的原因如下：
1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，並且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。
2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區引起失效，分為Id超出器件規格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
3：體二極體失效：在橋式、LLC等有用到體二極體進行續流的拓撲結構中，由於體二極體遭受破壞而導致的失效。
4：諧振失效：在並聯使用的過程中，柵極及電路寄生引數導致震盪引起的失效。
5：靜電失效：在秋冬季節，由於人體及裝置靜電而導致的器件失效。
6：柵極電壓失效：由於柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
mos管失效模式分析-雪崩失效、SOA失效重點分析（一）mos管失效模式分析-雪崩失效分析（電壓失效）
到底什麼是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由於母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由於就是MOSFET漏源極的電壓超過其規定電壓值並達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單瞭解下。
可能我們經常要求器件生產廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析，大多數廠家都僅僅給一個EAS.EOS之類的結論，那麼到底我們怎麼區分是否是雪崩失效呢，下面是一張經過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效。
雪崩失效的預防措施
雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。
1：合理降額使用，目前行業內的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據企業的保修條款及電路關注點進行選取。
2：合理的變壓器反射電壓。
3：合理的RCD及TVS吸收電路設計。
4：大電流佈線儘量採用粗、短的佈局結構，儘量減少佈線寄生電感。
5：選擇合理的柵極電阻Rg。
6：在大功率電源中，可以根據需要適當的加入RC減震或齊納二極體進行吸收。
（二）mos管失效模式分析-SOA失效（電流失效）
再簡單說下第二點，SOA失效
SOA失效是指電源在執行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發熱而導致的破壞模式。或者是晶片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續的發熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式。
關於SOA各個線的引數限定值可以參考下面圖片。
1：受限於最大額定電流及脈衝電流
2：受限於最大節溫下的RDSON。
3：受限於器件最大的耗散功率。
4：受限於最大單個脈衝電流。
5：擊穿電壓BVDSS限制區
我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處於上面限制區的範圍內，就能有效的規避由於MOSFET而導致的電源失效問題的產生。
這個是一個非典型的SOA導致失效的一個解刨圖，由於去過鋁，可能看起來不那麼直接，參考下。
SOA失效的預防措施
1：確保在最差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內。
2：將OCP功能一定要做精確細緻。
在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流餘量的工程師居多，然後就根據IC的保護電壓比如0.7V開始除錯RSENSE電阻。有些有經驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內。但是此時有個更值得關注的引數，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什麼影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖。
從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點後又有一段的上升時間，這段時間其本質就是IC在檢測到過流訊號執行關斷後，MOSFET本身也開始執行關斷，但是由於器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那麼在變壓器餘量設計不足時，就極有可能產生磁飽和的一個電流衝擊或者電流超器件規格的一個失效。
3：合理的熱設計餘量，這個就不多說了，各個企業都有自己的降額規範，嚴格執行就可以了，不行就加散熱器。
MOS管發熱分析
1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作線上性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高几V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全開啟而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小於最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。