答：場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別：結型場效電晶體（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。
怎樣理解場效電晶體引數
場效電晶體引數很多，包括直流引數、交流引數和極限引數，但一般使用時只需關注以下主要引數：飽和漏源電流IDSS、夾斷電壓UP（結型管和耗盡型絕緣柵管）或開啟電壓UT（增強型絕緣柵管）、跨導gm漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。
(1)飽和漏源電流
飽和漏源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。
(2)夾斷電壓
夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕型場效電晶體中，使漏源間剛截止上時的柵極電壓。如圖4-25所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明確看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UDS-ID曲線。
(3)開啟電壓
開肩電壓UT是指增強型絕緣柵場效電晶體中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明確看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
(4)跨導
跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID控制能力，即漏極電流ID變化與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是衡量場效電晶體放大能力的重要引數。
(5)漏源擊穿電壓
漏源擊穿電樂BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效電晶體正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限引數，加在場效電晶體上的工作電壓必須小於BUDS。
(6)最大耗散功率
最大耗散功率PDSM也是一項極限引數，足指場效電晶體效能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時場效電晶體實際功耗應小於PDSM並留有一定餘量。
(7)最大漏源電流
最大漏源電流IDSM是另一項極限引數，是指場效電晶體正常工作時，漏源間所允許透過的最大電流。場效電晶體的工作電流不應超過IDSM。
場效電晶體特點
與雙極型電晶體相比，場效電晶體具有如下特點。
（1）場效電晶體是電壓控制器件，它透過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；
（2）場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；
（5）場效電晶體的抗輻射能力強；
（6）由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。
答：場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別：結型場效電晶體（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
場效電晶體（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，並以此命名。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。
怎樣理解場效電晶體引數
場效電晶體引數很多，包括直流引數、交流引數和極限引數，但一般使用時只需關注以下主要引數：飽和漏源電流IDSS、夾斷電壓UP（結型管和耗盡型絕緣柵管）或開啟電壓UT（增強型絕緣柵管）、跨導gm漏源擊穿電壓BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源電流IDSM。
(1)飽和漏源電流
飽和漏源電流IDSS是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中，柵極電壓UGS=0時的漏源電流。
(2)夾斷電壓
夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕型場效電晶體中，使漏源間剛截止上時的柵極電壓。如圖4-25所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明確看出IDSS和UP的意義。如圖4-26所示為P溝道管的UDS-ID曲線。
(3)開啟電壓
開肩電壓UT是指增強型絕緣柵場效電晶體中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。如圖4-27所示為N溝道管的UGS-ID曲線，可明確看出UT的意義。如圖4-28所示為P溝道管的UGS-ID曲線。
(4)跨導
跨導gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID控制能力，即漏極電流ID變化與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是衡量場效電晶體放大能力的重要引數。
(5)漏源擊穿電壓
漏源擊穿電樂BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效電晶體正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限引數，加在場效電晶體上的工作電壓必須小於BUDS。
(6)最大耗散功率
最大耗散功率PDSM也是一項極限引數，足指場效電晶體效能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時場效電晶體實際功耗應小於PDSM並留有一定餘量。
(7)最大漏源電流
最大漏源電流IDSM是另一項極限引數，是指場效電晶體正常工作時，漏源間所允許透過的最大電流。場效電晶體的工作電流不應超過IDSM。
場效電晶體特點
與雙極型電晶體相比，場效電晶體具有如下特點。
（1）場效電晶體是電壓控制器件，它透過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；
（2）場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數；
（5）場效電晶體的抗輻射能力強；
（6）由於它不存在雜亂運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。