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相比驍龍820有多少提升?
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  • 1 # 凱凱學長

    驍龍835是高通驍龍處理器,高通驍龍835晶片在2017年初發布,支援Quick Charge 4.0快速充電技術,基於三星10nm製造工藝打造。

    高通驍龍835晶片基於三星10nm製造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%,效率提升40%,高通驍龍835芯片面積將變得更小。

    2016年10月,三星宣佈率先在業界實現了10奈米 FinFET工藝的量產。與其上一代14奈米FinFET工藝相比,三星10奈米工藝可以在減少高達30%的晶片尺寸的基礎上,同時實現效能提升27%或高達40%的功耗降低。透過採用10奈米FinFET工藝,驍龍835處理器將具有更小的晶片尺寸,讓OEM廠商能夠在即將釋出的產品中獲得更多可用空間,以支援更大的電池或更輕薄的設計。製程工藝的提升與更先進的晶片設計相結合,預計將會提升電池續航。

    核心

    驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz,並採用八核設計。驍龍835將採用10nm八核心設計,大小核均為Kryo280架構,大核心頻率2.45GHz,大核心簇帶有2MB的L2 Cache,小核心頻率1.9GHz,小核心簇帶有1MB的L2 Cache,GPU為Adreno 540@670MHz,相比上代效能提升25%,支援4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道記憶體,整合了Cat.16基帶。[3]

    快速充電

    新的驍龍835處理器,支援Quick Charge 4快速充電,比起Quick Charge 3.0,其充電速度提升20%,充電效率提升30%。另外其具備更小的晶片尺寸,能為手機廠商提供更靈活的內部空間設計。

    Quick Charge 4.0快充技術充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時,此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支援,適配範圍更廣泛。

    效率提升

    高通並未公佈驍龍835的更多資訊,但表示10nm工藝將會帶來更好的效能,提升功率效率,作為對比高通驍龍820基於14nm製造工藝打造。[1]三星表示10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%,效率提升40%。[4]

    更高的記憶體頻寬

    驍龍835會率先支援傳輸速率相比LPDDR4更快的LPDDR4x運存,頻寬提升明顯。

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