10nm和14nm的區別，我就長話短說……因為要上班，10nm的電晶體比14nm更多，更省電，面積要更少，還有就是發熱要低好多……

10nm和14nm指的是處理器的製作工藝，工藝水平越高，相同效能的條件下功耗越小，發熱也就越小，因此處理器也就越省電，同時由於發熱減小，因此在相同溫度閥值的情況下，處理器可以把頻率做得更高，也就得到更高的效能，並且有利於長時間高頻執行。非常有利於減少手機發熱現象的發生，提升手機的綜合體驗

功耗和發熱不同 如果功耗相同的情況下10nm的處理器效能一定高，如果效能一樣的話功耗一定低，最主要的是10nm是最新的處理器，支援的硬體效能更高，功耗更低。

在描述手機晶片效能的時候，消費者常聽到的就是14nm、10nm 這些數值，這是什麼？

這是晶片市場上，一款晶片製程工藝的具體數值是手機效能關鍵的指標。製程工藝的每一次提升，帶來的都是效能的增強和功耗的降低，而每一款旗艦手機的釋出，常常與晶片效能的突破離不開關係。

驍龍835用上了更先進的10nm製程， 在集成了超過30億個電晶體的情況下，體積比驍龍820還要小了35%，整體功耗降低了40%，效能卻大漲27%。

深入來說，這幾十奈米怎麼計算出來的？我們從晶片的組成單位電晶體說起。

得益於摩爾定律的預測，走到今天，比拇指還小的晶片裡集成了上億個電晶體。蘋果 A10 Fusion晶片上，用的是臺積電16nm的製造工藝，集成了大約33億個電晶體。

另外，驍龍835用上了10nm的製程工藝，設計製造成本相比14nm工藝增加接近5成。大廠需要持續而巨大的資金投入到10nm晶片量產的必經之路。

從頭看到最後一個，沒有一個說到點上。看來大家都不是學微電子的，只是去網上抄襲，甚至是黏貼了一些文章，但畢竟具體針對這個問題的，網上沒有，所以大家只好各說各話。我也不是搞微電子的，但因為學過一些電子知識，也對它比較感興趣，在這裡也來裝逼一下。

晶圓廠是怎樣為手機晶片廠商代工的呢？它拿到有關圖紙，製成掩膜，曝光到矽晶圓上，用光刻機燒錄，它在晶圓片上刻錄的是一個個的電晶體，也就是場效電晶體。現在三星臺積電都採用Fin FET 工藝，這個先進的工藝是華人(具體說是臺灣人)發明的，即鰭式場效電晶體，應用這個技術可以把電晶體極間距做到25nm 以下，不然，要產生漏電。至於什麼原理，我也沒搞懂。所謂10nm 或14nm ，也就是場效電晶體源極和漏極間的距離(也叫溝道的寬度)，10nm 就是極間距(溝寬)是10個nm，什麼概念，一根頭髮絲直徑是50nm， 也就是它是頭髮直徑的1/5，所以這些場效電晶體，眼睛是看不清的，用放大鏡也只看到些坑坑窪窪。

所以，處理器製程10nm 和 14nm 的區別，就是處理器晶片裡，場效電晶體的源極和漏極之間的距離(也叫溝道)大小的不同，一個電晶體最小線寬(也就是最小極間距)是10nm ，一個電晶體最小線寬是14nm 。我們知道數位電路是靠電極間的通和斷來工作的，極間距越短，電阻越小，通斷越容易，需要的電壓越低，工作頻率越快，性耗比越大，這同樣的頻率下，發熱就越小，能耗越少。當然，也不能光看數字，因為矽晶圓的燒錄工藝，並不像我們這裡說說這樣簡單，是一個十分精細複雜的技術，它牽涉到許多知識，經驗和成本的方方面面，我們畢竟不是他們內部高層，只能看看廠商公佈的資料。所以同一個層次的臺積電16nm 和三星14nm ，到底哪個更好，有許多爭論，財大氣粗的蘋果選了臺積電(畢竟FinFET 發明人是我們臺灣人，經驗足，工藝成熟)，講究成本的高通選了三星，(三星是從28nm 直接跳到14nm ，大躍進的產物。)這是題外話。

10nm和14nm這表示的是一個晶片的製程，製程工藝表現在功耗上，製程越好功耗越低！10nm比14nm的功耗低！