晶片製造中的差距不是一個單一的方面，而是工藝的所有方面。許多智慧手機或電腦是中國，製造的，但中國很少有“核心”
過去，國家對微電子重視不夠，1200億元人民幣扶持美元)價值200多億美元。僅美國就投資了這麼多。起初，半導體在我們國家還是可能的，因為每個人都剛剛起步，差距很小，但是後來各種各樣的金氧半導體、場效應電晶體、積體電路、中央處理器和儲存器都出現了。當半導體在春天出現時，我們失去了最好的機會。目前，半導體的各個方面都被外國控制，技術被封鎖，專利網路交織在一起。這對後者來說仍然是一個不利條件。此外，積體電路屬於高科技產業，所需的生產線成本巨大，這與建造核電廠沒有多大區別。
今年，美國國防部高階研究計劃局在美國投資了7500萬美元用於人體晶片的研究。在人工智慧方面，任何酷的技術都會落在晶片上，而中國的人工智慧晶片遠遠落後。如果一個工人想做好工作，他必須首先磨利他的工具。人工智慧的本質是一個智慧晶片。沒有晶片，你無法找到實現人工智慧的第二種方法。
言歸正傳，積體電路行業通常分為三大部分：設計、製造和封裝測試。首先，提到了製造差距：
(1)晶片製備中的間隙
目前，世界上主流的積體電路基板都是矽，透過化學反應提取電子級矽的精度為99.9999%。電子級矽用於製造矽錨。矽單晶生長技術主要有兩種，懸浮區熔法和直拉法。然後將矽錠切割成幾百微米厚的晶片。就晶片厚度和質量要求而言，中國的晶片製造與世界有差距。對於一些國內生產率較高的低端晶片，在中購買的大部分國外晶圓會自行切割、封裝並測試為成品。中國的早期技術不如國外，但隨著中國積體電路的發展，它已經實現了。
(2)光刻的技術差距
目前，32奈米和7奈米指的是柵極溝道寬度，最重要的一步是光刻技術。主要有兩種光刻過程，印恢復過程和蝕刻過程。光刻機器非常昂貴。大多數中國產機器將購買從國外淘汰的光刻機器。日本人很好地維護它們，並嚴厲地消除它們。華人更喜歡從日本購買。瓦森納協議將每隔幾年更新一次銷售禁令。例如，2010年，90奈米以下的裝置不允許出售給中國，2015年將改為65奈米以下的裝置。這些都受到美日的嚴格限制
(3)材料
半導體晶片的生產需要19種必需的材料，其中沒有一種是不可缺少的，而且大多數材料都有極高的技術壁壘。
事實上，回顧歷史並向我們的前輩致敬，我們的積體電路也有財政資源。
中國從蘇聯，的積體電路工程師從仿製到獨立設計，主要依靠從蘇聯和蘇聯電子管廠獲得的技術圖紙，在中的156專案的資助下，設計和生產自己的計算機。
1952年，華羅庚，數學研究所所長成立了一個電子計算機科學研究小組。
1954年，計算機隊調到中國科學院現代物理研究所，在錢三強的領導下工作。
1965年，第一個由中國獨立開發的積體電路在上海誕生(比美國晚5年)。從那時起，中國進入就是積體電路的時代。
中國早期積體電路發展的研究環境很差。中和蘇的關係惡化，中國無法從蘇聯獲得技術支援。西方對中國實施了嚴格的技術封鎖。科研力量和製造商在全國各地蓬勃發展，東、西、北、南都有。科研力量分散。未能將中央處理器開發與計算機開發分開；文化大革命期間，過於頻繁的政治運動影響了科學研究的正常發展。科學家們感到震驚，離開了科學研究的前線。
下圖顯示了我們用於實驗的光刻機器。當時，汞燈壞了，被修理了幾次，光刻製造了四次BJT。在光刻，呆了很長時間後，世界變成了粉紅色。
晶片製造中的差距不是一個單一的方面，而是工藝的所有方面。許多智慧手機或電腦是中國，製造的，但中國很少有“核心”
過去，國家對微電子重視不夠，1200億元人民幣扶持美元)價值200多億美元。僅美國就投資了這麼多。起初，半導體在我們國家還是可能的，因為每個人都剛剛起步，差距很小，但是後來各種各樣的金氧半導體、場效應電晶體、積體電路、中央處理器和儲存器都出現了。當半導體在春天出現時，我們失去了最好的機會。目前，半導體的各個方面都被外國控制，技術被封鎖，專利網路交織在一起。這對後者來說仍然是一個不利條件。此外，積體電路屬於高科技產業，所需的生產線成本巨大，這與建造核電廠沒有多大區別。
今年，美國國防部高階研究計劃局在美國投資了7500萬美元用於人體晶片的研究。在人工智慧方面，任何酷的技術都會落在晶片上，而中國的人工智慧晶片遠遠落後。如果一個工人想做好工作，他必須首先磨利他的工具。人工智慧的本質是一個智慧晶片。沒有晶片，你無法找到實現人工智慧的第二種方法。
言歸正傳，積體電路行業通常分為三大部分：設計、製造和封裝測試。首先，提到了製造差距：
(1)晶片製備中的間隙
目前，世界上主流的積體電路基板都是矽，透過化學反應提取電子級矽的精度為99.9999%。電子級矽用於製造矽錨。矽單晶生長技術主要有兩種，懸浮區熔法和直拉法。然後將矽錠切割成幾百微米厚的晶片。就晶片厚度和質量要求而言，中國的晶片製造與世界有差距。對於一些國內生產率較高的低端晶片，在中購買的大部分國外晶圓會自行切割、封裝並測試為成品。中國的早期技術不如國外，但隨著中國積體電路的發展，它已經實現了。
(2)光刻的技術差距
目前，32奈米和7奈米指的是柵極溝道寬度，最重要的一步是光刻技術。主要有兩種光刻過程，印恢復過程和蝕刻過程。光刻機器非常昂貴。大多數中國產機器將購買從國外淘汰的光刻機器。日本人很好地維護它們，並嚴厲地消除它們。華人更喜歡從日本購買。瓦森納協議將每隔幾年更新一次銷售禁令。例如，2010年，90奈米以下的裝置不允許出售給中國，2015年將改為65奈米以下的裝置。這些都受到美日的嚴格限制
(3)材料
半導體晶片的生產需要19種必需的材料，其中沒有一種是不可缺少的，而且大多數材料都有極高的技術壁壘。
事實上，回顧歷史並向我們的前輩致敬，我們的積體電路也有財政資源。
中國從蘇聯，的積體電路工程師從仿製到獨立設計，主要依靠從蘇聯和蘇聯電子管廠獲得的技術圖紙，在中的156專案的資助下，設計和生產自己的計算機。
1952年，華羅庚，數學研究所所長成立了一個電子計算機科學研究小組。
1954年，計算機隊調到中國科學院現代物理研究所，在錢三強的領導下工作。
1965年，第一個由中國獨立開發的積體電路在上海誕生(比美國晚5年)。從那時起，中國進入就是積體電路的時代。
中國早期積體電路發展的研究環境很差。中和蘇的關係惡化，中國無法從蘇聯獲得技術支援。西方對中國實施了嚴格的技術封鎖。科研力量和製造商在全國各地蓬勃發展，東、西、北、南都有。科研力量分散。未能將中央處理器開發與計算機開發分開；文化大革命期間，過於頻繁的政治運動影響了科學研究的正常發展。科學家們感到震驚，離開了科學研究的前線。
下圖顯示了我們用於實驗的光刻機器。當時，汞燈壞了，被修理了幾次，光刻製造了四次BJT。在光刻，呆了很長時間後，世界變成了粉紅色。