電晶體飽和狀態Uce越小，它的開關效能越好

電晶體也叫三極體，有NPN和PNP兩種，NPN型三極體由兩塊N型半導體材料夾住一塊P型半導體材料組成，而PNP型三極體則由兩塊P型半導體材料夾住一塊N型半導體材料組成。三極體有三個工作區，分別是截止區、放大區和飽和導透過。三極體工作在截止區和飽和導通，可以用於驅動LED、直流電機、繼電器、蜂鳴器等負載的開和關。電晶體在飽和導通狀態下Uce越小，說明它的壓降越低，自身的發熱會更少。

我們都知道三極體有一個放大倍數引數β，而Ic=β * Ib，在放大區時，Ic的電流受基極電流Ib控制，當Ib增大到一定閥值後，三極體就會進入飽和導通區後，工作電流Ic不再受Ib控制，它的壓降壓Uce也不會隨著工作電流的增大而升高，集電極(C)和發射極(E)之間相當於開關的導通狀態。以NPN三極體為例，飽和導通和載止狀態的等效電路如下圖，三極體導通時，基極電流很大，對矽管來說，發射結的飽和壓降Ubes=0.7V(鍺管Ubes=-0.3V)，而Uces=Ic*Rces，三極體導通後，飽和電阻Rces是很小的，可以視為短路，所以Uces<Ubes是正常的。Uces越小，它自身的損耗也會越小哦。

以NPN型三極體為例，因為三極體飽和導通時BE之間的PN要處於正偏狀態（Ube=0.7V），我們把三極體的E極接地，所驅動的負載接在三極體集電極（C）將會更可靠。因為三極體與負載是串聯的，透過負載和三極體的電流是相等的。發熱損耗=I*I*R，三極體的飽和電阻Rces越小，它的飽和壓降壓Uces越低，三極體工作時發熱量就越低，可以驅動的負載功率就越大哦。

實際情況下，三極體的飽和和放大界限不是像開關那樣有很清晰的界限,而是一種逐步過渡的過程.你說的UCE等於0,這是在理想狀態下的說法.實際上,更多地是使用UCE（SAT）（臨界飽和電壓）來描述飽和和放大的界限,小於這個值就可以認為是飽和（當然還可以使用其他工程估算值）.比較常用的是小功率三極體UCE（SAT）=0.7V,大功率一般為2-3V.

當UCE小於這個值時,可以認為三極體開始飽和（注意,飽和是一個過程,有深淺之分,UCE越小,飽和程度越深）.

在工程計算時,我們一般不會按照UCE=0來計算（小功率三極體）,而是用UCE=0.3V,這樣更貼近實際.

這是由NPN的特性決定的，Uce越小說明管子的飽和特性越好。

典型的應用是電子開關，CE間相當於短路。當電晶體截止時，開關關閉。這時，沒有放大區。

臨界飽和是指管子處於飽和和放大的交界處,對NPN管.VC再大一點 管子放大 ,再小一點 ,管子飽和的特殊狀態.管子飽和跟IB有關,IB越大,UCE就會越低,直至IB大到管子飽和.

計算臨界飽和電流的用意本來是方便我們判斷電路元件引數選擇是否合適,是否會讓管子進入飽和.也就是,保證管子不飽和的上限值.則不難理解計算飽和的電流是取UCES=0.3V(矽).