儲單元分為兩類：SLC（Single Layer Cell 單層單元）和MLC（Multi-Level Cell多層單元）。SLC的特點是成本高、容量小、速度快，而MLC的特點是容量大、成本低，但是速度慢。MLC的每個單元是2bit的，相對SLC來說整整多了一倍。不過，由於每個MLC儲存單元中存放的資料較多，結構相對複雜，出錯的機率會增加，必須進行錯誤修正，這個動作導致其效能大幅落後於結構簡單的SLC快閃記憶體。此外，SLC快閃記憶體的優點是複寫次數高達100000次，比MLC快閃記憶體高10倍。此外，為了保證MLC的壽命，控制晶片 都要做 校驗和智慧磨損平衡技術演算法，使得每個儲存單元的寫入次數可以平均分攤，達到100萬小時故障間隔時間(MTBF)。
對MLC和SLC兩大架構現在網上存在一個普遍的認識誤區，那就是大家都認為MLC架構的NAND快閃記憶體是劣品，只有SLC架構的NAND快閃記憶體才能在質 量上有保障。殊不知採用MLC架構的NAND快閃記憶體產品在2003年就已經投入市場使用，至今也沒有見哪位使用者說自己曾經購買的大容量CF、SD卡有質量問題。可能你會說這是暫時的，日後肯定出問題，那麼我們就先來回憶一下MLC的發展歷程以及SLC目前的發展狀況再來給這個假設做定論吧。
MLC技術開始升溫應該說是從2003年2月東芝推出了第一款MLC架構NAND Flash開始，當時作為NAND Flash的主導企業三星電子對此架構很是不屑，依舊我行我素大力推行SLC架構。第二年也就是2004年4月東芝接續推出了採用MLC技術的4Gbit和 8Gbit NAND Flash，顯然這對於本來就以容量見長的NAND快閃記憶體更是如虎添翼。三星電子長期以來一直倡導SLC架構，聲稱SLC優於 MLC，但該公司於2004和2005年發表的關於MLC技術的ISSCC論文卻初步顯示它的看法發生了轉變。三星在其網站上仍未提供關於MLC快閃記憶體的任何營銷材料，但此時卻已經開發出了一款4Gbit的MLC NAND快閃記憶體。該產品的裸片面積是156mm2，比東芝的90nm工藝MLC
儲單元分為兩類：SLC（Single Layer Cell 單層單元）和MLC（Multi-Level Cell多層單元）。SLC的特點是成本高、容量小、速度快，而MLC的特點是容量大、成本低，但是速度慢。MLC的每個單元是2bit的，相對SLC來說整整多了一倍。不過，由於每個MLC儲存單元中存放的資料較多，結構相對複雜，出錯的機率會增加，必須進行錯誤修正，這個動作導致其效能大幅落後於結構簡單的SLC快閃記憶體。此外，SLC快閃記憶體的優點是複寫次數高達100000次，比MLC快閃記憶體高10倍。此外，為了保證MLC的壽命，控制晶片 都要做 校驗和智慧磨損平衡技術演算法，使得每個儲存單元的寫入次數可以平均分攤，達到100萬小時故障間隔時間(MTBF)。
對MLC和SLC兩大架構現在網上存在一個普遍的認識誤區，那就是大家都認為MLC架構的NAND快閃記憶體是劣品，只有SLC架構的NAND快閃記憶體才能在質 量上有保障。殊不知採用MLC架構的NAND快閃記憶體產品在2003年就已經投入市場使用，至今也沒有見哪位使用者說自己曾經購買的大容量CF、SD卡有質量問題。可能你會說這是暫時的，日後肯定出問題，那麼我們就先來回憶一下MLC的發展歷程以及SLC目前的發展狀況再來給這個假設做定論吧。
MLC技術開始升溫應該說是從2003年2月東芝推出了第一款MLC架構NAND Flash開始，當時作為NAND Flash的主導企業三星電子對此架構很是不屑，依舊我行我素大力推行SLC架構。第二年也就是2004年4月東芝接續推出了採用MLC技術的4Gbit和 8Gbit NAND Flash，顯然這對於本來就以容量見長的NAND快閃記憶體更是如虎添翼。三星電子長期以來一直倡導SLC架構，聲稱SLC優於 MLC，但該公司於2004和2005年發表的關於MLC技術的ISSCC論文卻初步顯示它的看法發生了轉變。三星在其網站上仍未提供關於MLC快閃記憶體的任何營銷材料，但此時卻已經開發出了一款4Gbit的MLC NAND快閃記憶體。該產品的裸片面積是156mm2，比東芝的90nm工藝MLC