紫外光源

曝光系統最核心的部件之一是紫外光源。

常見光源分為:

可見光：g線：436nm

紫外光（UV），i線：365nm

深紫外光（DUV）,KrF 準分子鐳射：248 nm, ArF 準分子鐳射：193 nm

極紫外光（EUV），10 ~ 15 nm

對光源系統的要求

a.有適當的波長。波長越短，可曝光的特徵尺寸就越小；[波長越短，就表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對於精度控制要求越高。]

b.有足夠的能量。能量越大，曝光時間就越短；

c.曝光能量必須均勻地分佈在曝光區。[一般採用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分佈]

常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光後使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。

對於波長更短的深紫外光光源，可以使用準分子鐳射。例如KrF 準分子鐳射（248 nm）、ArF 準分子鐳射（193 nm）和F2準分子鐳射（157 nm）等。

曝光系統的功能主要有：平滑衍射效應、實現均勻照明、濾光和冷光處理、實現強光照明和光強調節等。