美光本週宣佈，其已開始提供業界首個集成了 LPDDR5-6400 動態隨機儲存器（DRAM）和 96 層 3D NAND 快閃記憶體的多晶片封裝（MCP）樣品。

對於需要快速 DRAM 和高效能儲存的 5G 中端智慧機等產品來說，該公司的 uMCP5 產品可提供上佳的解決方案。

【資料圖，來自：Micron】

據悉，美光 uMCP5 器件打包了雙通道的 12GB LPDDR5-6400 運存、以及 256GB 的 UFS 儲存（96 層 3D TLC NAND + 板載控制器）。

隨著業界對 LPDDR5 和更高效能的儲存器件的需求變得日漸旺盛，智慧手機制造商可藉助美光 uMCP5 器件，極大地減少對機身空間的佔用。

此外隨著 5G 的普及，移動裝置對資料吞吐有著更高的需求，攝像頭和螢幕引數亦有望迎來飛速的增長，但這對資料儲存和載入也提出了更高的要求。

該公司稱，其 uMCP5 方案較兩塊獨立的 RAM / ROM 儲存晶片減小了 40% 。同時與上一代方案相比，新器件的容量和頻寬也增加了 50% 。

最後，除了 5G 移動裝置，美光 uMCP 方案對於高階 4G / LTE 智慧機的意義也同樣重大。目前該公司正在向某些合作伙伴提供樣品，預計最終產品將很快與大家見面。

記憶體和儲存解決方案領先供應商 Micron Technology， Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票程式碼：MU）宣佈，開始出樣業界首款同時搭載低功耗 DDR5 （LPDDR5） DRAM 的通用快閃記憶體 （UFS） 多晶片封裝 （uMCP） 產品。這款 uMCP 產品為纖薄緊湊的中端智慧手機設計提供了高密度、低功耗的儲存解決方案。

美光的新款 uMCP5 封裝採用了公司在多晶片封裝方面的創新和前沿技術，集成了低功耗 DRAM、NAND 和板載控制器，其與雙晶片解決方案相比，佔用空間減少 40%。這種最佳化的架構可降低功耗，縮小記憶體晶片尺寸，支援更小、更靈活的智慧手機設計。

美光移動產品事業部高階副Quattroporte兼總經理 Raj Talluri 博士表示：“這款業內首創的 uMCP5 封裝解決方案銜接了新款 LPDRAM 和 UFS，使記憶體和儲存頻寬提高 50%，同時帶來更低功耗。該款產品使中端 5G 智慧手機能夠在超低延遲響應時間和低功耗模式下執行，從而可以支援旗艦智慧手機所具備的各種功能，如搭載多枚高解析度攝像頭、多人遊戲和 AR / VR 應用。”

美光 uMCP5 採用先進的 1y 奈米 DRAM 製程技術和全球最小尺寸的 512Gb 96層 3D NAND 裸片。297 引腳球柵陣列 （BGA） 封裝支援雙通道 LPDDR5，速度高達 6，400Mbps，效能比上一代介面提升了 50%。這款新型封裝還為當今市場上的 uMCP5 提供了最高的儲存和記憶體密度，分別為 256GB 和 12GB。

uMCP5 為美光 LPDDR5 DRAM 提供了理想的解決方案。5G 網路將於 2020 年開始在全球進行大規模部署，而美光下一代 LPDDR5 記憶體可滿足其對更高記憶體效能和更低能耗的需求，同時讓 5G 智慧手機能以高達 6.4Gbps 的速度處理資料，在解決資料處理瓶頸問題方面會起到至關重要的作用。

美光的LPDDR5 uMCP5封裝現已能立即出樣給特定的合作伙伴。