您說的應該是5NM晶片吧？

目前5奈米晶片的工藝是目前刻蝕機的極限，也是人類晶片領域的一次突破，但是也不會因此而停止！還會出現3nm 1nm甚至更小的晶片誕生，或許小於NM一下的晶片誕生才是人類科技的重大事件！

下面解釋一下什麼是刻蝕機

什麼是刻蝕機呢，刻蝕機就是利用離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走，形成所謂的電路，而工藝越高，奈米數越少意味著可能節省越來越多的空間，從而是整體晶片做的越來越小，眾所周知，現在手機內部空間做的越來越精細化，但是還是會有一些由於晶片空間位置和大小帶來的問題無法解決，如果晶片的的工藝精度越高就意味著在目前效能的基礎上手機設計會越來越自由。

目前公佈5nm及3nm計劃的只有臺積電和三星兩家，半導體公司沒幾家了，聯電已經放棄了12nm以下的先進工藝，英特爾還掙扎在10nm節點。其中又以臺積電走在第一佇列的頭部，因為臺積電已經提前一年開始建設5nm的生產工廠，預計明年4月可以量產標準，5奈米晶片是不是就意味著中國已經突破了製造晶片的難關了嗎，而的3nm臺南園區工廠已經通過了環評初審，預計最快2022年底投產，這速度也是讓其他晶圓代工廠望塵莫及的了。總之，晶片是未來會不會被卡脖子的關鍵節點，同時晶片製造難度也非常大。要想能造出好的晶片，必須有非常高的技術積累，高規格的晶片生產工藝，還需要需要非常強大的通力合作的人才團隊，克服如上問題，才能造出好的晶片。

50奈米晶片

50奈米晶片的量產對於人類來說已經沒有多少意義了，但是對於某個公司來說可能是很大的進步，目前手機處理器晶片使用的是7奈米的製造工藝，接下來臺積電將會推出5納米制造工藝的晶片，並且訂單已經幾乎被蘋果華為包場了，其他公司想要推出只有靠後了，濃縮的都是精華用在晶片製造商再貼切不過了

目前中國產晶片製造處於中低端水平，高階晶片仍舊被歐美控制，要擺脫這種困境除了需要高階晶片的製造裝置，而這些裝置自己製造不出來又買不到，在這方面即使有人有錢也不是一下子能做出來的，別人也是千辛萬苦花費鉅額資金和人類物力開發出來的，所以想要從外面買到真的很難，相比在地面上蓋房子，在一個比頭髮絲還細的光纖上蓋房子難度更大

1.首先給大家介紹下問題的背景:2020年4月14號，合肥某家半導體公司成功研發了面相物聯網應用的50奈米128M高速低功耗NOR Flash儲存晶片，目前已在武漢實現量產。

2.意味著什麼:該晶片具有尺寸小，功耗低，速度快，成本低的特點，目前主要可用於人工智慧AI，物聯網，無人駕駛，5G手機，安防監控等領域，他的上一代65nm NOR Flash系列晶片就已經廣泛用於智慧穿戴裝置，電腦，手機，物聯網和人工智慧等領域，累計出貨超10億顆，可以實現在一定程度上中國晶片領域的獨立。算得上是中國晶片領域的一個進步，但是和南韓和美國這些晶片產業佈局早的國家相比還有一定的差距。

你說的應該不是50奈米晶片，而是五奈米晶片，這個意義在於什麼呢？晶片製成功率越高，它所能在相同面積內容納的電晶體數量越多，也就是說他的能力越強大，例如咱們的12奈米晶片g90，和七奈米的810，雖然都是同一性能的手機處理器，但是兩者在日常使用中的區別就很大。這裡我用個不恰當的比方，和你說一下不同奈米工藝製程下晶片的一個差距，這個就像同樣面積下奔騰四處理器和I79代處理器的差距

說明智慧市場的推進速度上來了!雖然與臺積電的7奈米差距大，但用在汽車，無人機，家電等方面哪怕90奈米也夠用!

前面有回答搞錯了，確實有中國產50nm儲存晶片量產，而不是5nm（真要量產5nm，就真的厲害了，臺積電會表示佩服的）。這個訊息（見下圖）透露的技術資訊，意味著中國產儲存晶片在低端市場有飯恰了，但要論對三星有啥影響，三星表示：你先看到我的背影再說哈！

後面說具體原因。

篩選新聞通稿，得到資訊如下：

NOR Flash快閃記憶體，屬於非易失性儲存的一種，斷電後仍能儲存資料；

主打物聯網市場，128MB的容量滿足物聯網裝置問題不大，畢竟很多資料是不儲存在裝置上，應用於手機和安防監控，是指做成儲存卡；

50nm的製造工藝，實話實說，在晶片界屬於上古工藝，英特爾和美光的快閃記憶體實現50nm量產是在2007年。也就是說，合肥這家公司和國際先進儲存器製造水平相差13年，代數上落後八九代；

目前國際比較先進的快閃記憶體製造工藝是10nm，三星在2013年就實現量產，現在最先進的快閃記憶體製造工藝大概是7nm。

當然，50nm快閃記憶體晶片量產的價值是，將來不用擔心我們的5G和物聯網在儲存器上被卡脖子。

最新的訊息，NOR Flash的市場規模在逐漸提升，而中國合肥恆爍半導體於近日推出第一款面向物聯網應用的50nm 128Mb高速低功耗NOR Flash儲存晶片，這款晶片尺寸為業界最小，並且擁有很強的成本和效能優勢，對於迎接IoT時代有著深刻的意義。

NOR Flash的再次復甦得益於IoT市場，據瞭解這款恆爍50nm NOR Flash具有晶片尺寸小、功耗低、速度快、成本低等特點。因此，對於未來佈局IoT時代頗有意義。

更為主要的是，這是在DRAM和NAND Flash儲存晶片下，探索的又一條路。但是，我們很擔憂的是，到底何時我們能夠打破光刻機的束縛呢？

我們知道中芯雖然獲得了一臺荷蘭ASML的7nm工藝的光刻機，可是它並非是EUV光刻機，而在中國目前在售的光刻機是上海微電子的90nm光刻機，隨著這個裝置主要用於8寸線以及12寸線的大規模工業生產，可是也不得不讓我們擔心，到底什麼時候我們有自己不輸於荷蘭的光刻機。

這裡我們要和大家聊的是一個重點的內容——

光刻機的束縛問題。我們知道這裡有幾個問題束縛了我們光刻機發展：

1.歐美國家技術的封鎖。在《瓦森納協議》的技術封鎖下，儘管規定成員國自行決定是否發放敏感產品和技術的出口許可證，並在自願基礎上向“安排”其他成員國通報有關資訊。但“安排”實際上完全受美國控制。所以，我們的技術，或者說像光刻機半導體的關鍵技術是被禁止出售給我們的。

2.光刻機的複雜程度以及技術難度。本來光刻機的技術就被壟斷，而且數萬零件都基本上被國外給封鎖。特別是德國蔡司鏡頭，美國光源，以及它的股東Intel、臺積電、三星等等技術的供給，這成就了ASML，也束縛了我們。

我們需要做的可能就是打破技術的封鎖，另闢蹊徑。據說，中科院製造出2奈米晶片，全稱為垂直奈米環珊電晶體，如果像中科院等中國的技術研究能夠突破這種束縛，我相信一定會有第一的可能。

    合肥成功研發了50nm 128M的高速低功耗NOR Flash晶片，主要面向物聯網領域。這塊晶片只有128M，與我們手機裡動輒64GB、128GB的儲存晶片有什麼區別呢？NOR Flash有什麼優勢呢？知識點來了。

    上圖就是手機裡常用的NAND Flash，以及物聯網裝置、BIOS經常採用的NOR Flash，相比來說NOR Flash單位成本遠遠高於NAND Flash。至於他們各自的電氣原理，這裡就不說了，很多人也不感興趣，主要說說兩者的共性和特性上。

    ①都是非易失儲存介質，也就是說掉電後不會丟失內容。

    ②寫入之前都要先擦除，然而兩者的機制不同：NOR Flash的一個bit可以從1變成0，而從0變成1這要整塊擦除；NAND Flash都需要擦除。

    不同的型別的Flash，特性是不同的，也決定了應用場合不同，如下圖所示▼。

    簡單來說，NOR相比NAND，讀取速度更快，寫入速度慢，支援XIP特性，可以直接執行二進位制程式碼，價格更高。

    NOR Flash

    NOR Flash支援XIP（eXecute In Place）的特性，也就是說可以像普通記憶體一樣支援隨機訪問，可以像普通ROM那樣執行程式，這一特性讓NOR Flash成為BIOS等開機就可以執行的程式碼的絕佳載體。

    現在幾乎所有的BIOS、一些機頂盒都使用了NOR Flah，也可以用於大量的物聯網裝置，比如智慧穿戴、智慧音箱、無線藍芽耳機等等。

    NAND Flash

    NAND Flash主要用於各種儲存卡、隨身碟、SSD、eMMC、UFS等大容量裝置，根據顆粒的每個儲存單元可以儲存的位元個數不同，分為SLC、MLC、TLC三類，其中，在一個儲存單元中，SLC可以儲存1個bit，MLC可以儲存2個bit，TLC則可以儲存3個bit。

    單個儲存單元儲存的位元位數越多，讀寫效能變差，壽命變短，成本降低。因此高階的SSD會採用MLC，甚至是SLC，低端的SSD採用了TLC，SD卡一般也會使用TLC。

    總之，在眾多的半導體儲存器中，NAND Flash、DRAM佔據了98%的市場份額，Nor Flash市場規模較小，不到1%，然而隨著5G、AMOLED、TWS等下游市場的推動，Nor Flash市場規模逐漸恢復，在物聯網時代將會有大量的需求。

近日，恆爍半導體推出了一款面向物聯網應用的50nm/128Mb高速低功耗NOR Flash儲存晶片，具有很強的成本和效能優勢，力爭在該市場中站穩腳跟，迎接IoT時代的真正爆發。

Nor Flash 50nm實現量產（一種非易失快閃記憶體技術），只能說明NOR Flash市場重新開始火爆起來。製程方面，NOR對先進節點的要求不高，一般採用46nm、55nm和65nm。NOR的擦除和寫入速度相對較慢，但讀取速度非常快。NOR的核心應用價值是預設好資訊、程式碼並存儲，之後僅作讀取用途，這是它依然佔據著市場的原因。

儲存晶片主要包括DRAM和Flash（Flash分為NAND和NOR這兩種）。在眾多半導體儲存器中，市場規模最大的是 DRAM 和 NAND Flash，兩者佔比達到 98%左右。而NOR Flash的市場規模曾一度隨著功能手機的消亡而逐漸降低，佔比不足 1%。

近年來隨著智慧穿戴、AMOLED 屏、 TDDI 觸控模組、印表機、數碼相機、IoT 裝置、路由器/交換機、PC/伺服器、汽車電子、5G 基站、AR/VR、功能手機、機頂盒等下游市場的持續推動，NOR Flash 的市場空間正逐漸恢復，並再次獲得業內廠商的重視。智慧穿戴、AMOLED 屏、 IoT 裝置、汽車電子、5G 基站，這五大應用場景具備較大增長空間，而增量最大的為智慧穿戴，包括 TWS 耳機、手錶手環、AR/VR。

高階NOR Flash產品多由Micron、 Cypress供應，採用最領先的46nm工藝製程，供應容量為128-256Mb 及以上，應用於汽車和工控；旺宏、華邦以NOR Flash中低端產品供應為主，採用56/46nm 工藝製程，多供應1Mb-1Gb產品，應用於通訊、消費、工控和汽車等；

從 2016 年開始，海外大廠因追求高毛利產品相繼減產，臺系、大陸廠商相繼擴產爭奪份額。2016 年底，Micron淘汰中低容量NOR晶片產能讓位3D NAND，僅保留高容NOR晶片，2017 年停產其生產NOR的8寸產線，對應月產能2萬片/月，僅保留另一條月產能 1.2 萬片/月、用於生產汽車和工控產品的12寸線。同年，Cypress也宣佈退出中低容量的NOR，將在未來2-4年減產50%至1萬片/月，轉而專注汽車與工控領域。臺系廠商藉此擴大NOR產能，旺宏擴充產能至2.8萬片/月，華邦在現有2.2萬片/月基礎上擴產4000片/月，2019年進一步擴產至3.0-3.3萬片/月。

目前，全球90%的NOR Flash市場被旺宏、華邦、美光、Cypress和兆易創新這五大廠商佔據。在中國大陸，除了兆易創新之外，NOR Flash廠商還有芯天下、武漢新芯、普冉、博雅、易儲等。隨著國際儲存巨頭紛紛淡出中低容量NOR Flash市場，國內企業也迎來歷史性發展機遇，國記憶體儲IC企業逐漸成熟壯大起來，開始有能力競逐高階市場。

2019年度，兆易創新的NOR Flash產品累計出貨量已經超過100億顆。兆易創新的產品成功打入蘋果供應鏈，使其吃到了NOR Flash在TWS耳機行業的最大蛋糕，TWS耳機的需求高漲為兆易創新的NOR Flash業務貢獻超過10%的收入。

總體來看，2018 年，NOR Flash市場需求較為疲軟，而供貨商的產能卻在持續提升，導致2018年NOR Flash的價格進入下行週期。NOR Flash價格在2019第三季度開始回升。從旺宏、華邦和兆易的營收增速也能看出這一趨勢，這三家的營收增速均從2019年第二季度開始好轉，第三季度的營收增速仍在提升，這表明NOR Flash市場已經進入了上行週期。根據Morgan Stanley研究報告評估，預計2020年NOR Flash全球營收較2019年相比將迎來3%的增長，NOR Flash產品將有望迎來更多增量需求。

隨著供需關係的變化，以及整個儲存器市場行情的回暖，NOR Flash的地位愈發顯得重要，特別是新興應用市場的大規模崛起，NOR Flash的重要性正在被市場重新評估。

在中國來說是很大的進步了，應該政府獎勵，企業推廣，政策扶持。

羅馬不是一天建成的，咱家剛三歲兒子也不可能比隔壁王阿姨家正在上大學的兒子更強壯，把他們放在一起去打架，咱家兒子就會天天被打哭，所以我們要把他保護起來，給他好吃好喝，讓他茁壯成長，才能有朝一日去和隔壁王阿姨家兒子掰掰手腕。

不過我們面臨這個兒子不知道長大成器不成器的問題，所以我們應該多養幾個兒子，在國內同時扶植幾個同產業競爭對手，促進有序競爭，共同發展。

這種晶片可以並不先進，但儲存器而已，只要技術過關，質量可靠，大多數場合用幾毫米的也都差不多，在國內搞政策優惠，用這個，給企業餵奶。