答：1、VCC：電源管理晶片供電
2、VDD：門驅動器供電電壓輸入或初級控制訊號供電源
3、VID-4CPU與CPU：供電管理晶片VID訊號連線引腳，主要指示晶片的輸出訊號，使兩個場管輸出正確的工作電壓。
4、RUNSDSHDNEN：不同晶片的開始工作引腳。
5、PGOODPGcpu：核心供電電路正常工作訊號輸出。
6、VTTGOODcpu：外核供電正常訊號輸出。
7、UGATE：高階場管的控制訊號。
8、LGATE：低端場管的控制訊號。
9、PHASE：相電壓引腳連線過壓保護端。
10、VSEN：電壓檢測引腳。
11、FB：電流反饋輸入即檢測電流輸出的大小。
12、COMP：電流補償控制引腳。
13、DRIVEcpu：外核場管驅動訊號輸出。
14、OCSET12v：供電電路過流保護輸入端。
15、BOOT：次級驅動訊號器過流保護輸入端。
17、VOUTcpu：外核供電電路輸出端與晶片連線。
18、SS：晶片啟動延時控制端，一般接電容。
19、AGNDGNDPGND：模擬地地線電源地
20、FAULT：過耗指示器輸出，為其損耗功率：如溫度超過135度時高電平轉到低電平指示該晶片過耗。
21、SET：調整電流限制輸入。
22、SKIP：靜音控制，接地為低噪聲。
23、TON：計時選擇控制輸入。
24、REF：基準電壓輸出。
25、OVP：過壓保護控制輸入腳，接地為正常操作和具有過壓保護功能，連VCC喪失過壓保護功能。
26、FBS：電壓輸出遠端反饋感應輸入。
27、STEER：邏輯控制第二反饋輸入。
28、TIME/ON5：雙重用途時電容和開或關控制輸入
29、RESET：復位輸出V1-0v跳變，低電平時復位。
30、SEQ：選擇PWM電源電平輪換器的次序：SEQ接地時5v輸出在3.3v之前。SEQ接REF上，3.3v5v各自獨立。SEQ接v1上時3.3v輸出在5v之前。
31、RT：定時電阻。
32、CT：定時電容。
33、ILIM：電流限制門限調整。
34、SYNC：振盪器同步和頻率選擇，150Khz操作時，sync連線到GND，300Khz時連線到REF上，用0-5v驅使sync使頻率在340-195Khz.35、VIN電壓輸入
36、VREFEN：參考電壓
37、VOUT：電壓輸出
38、VCNTL：供電
答：1、VCC：電源管理晶片供電
2、VDD：門驅動器供電電壓輸入或初級控制訊號供電源
3、VID-4CPU與CPU：供電管理晶片VID訊號連線引腳，主要指示晶片的輸出訊號，使兩個場管輸出正確的工作電壓。
4、RUNSDSHDNEN：不同晶片的開始工作引腳。
5、PGOODPGcpu：核心供電電路正常工作訊號輸出。
6、VTTGOODcpu：外核供電正常訊號輸出。
7、UGATE：高階場管的控制訊號。
8、LGATE：低端場管的控制訊號。
9、PHASE：相電壓引腳連線過壓保護端。
10、VSEN：電壓檢測引腳。
11、FB：電流反饋輸入即檢測電流輸出的大小。
12、COMP：電流補償控制引腳。
13、DRIVEcpu：外核場管驅動訊號輸出。
14、OCSET12v：供電電路過流保護輸入端。
15、BOOT：次級驅動訊號器過流保護輸入端。
17、VOUTcpu：外核供電電路輸出端與晶片連線。
18、SS：晶片啟動延時控制端，一般接電容。
19、AGNDGNDPGND：模擬地地線電源地
20、FAULT：過耗指示器輸出，為其損耗功率：如溫度超過135度時高電平轉到低電平指示該晶片過耗。
21、SET：調整電流限制輸入。
22、SKIP：靜音控制，接地為低噪聲。
23、TON：計時選擇控制輸入。
24、REF：基準電壓輸出。
25、OVP：過壓保護控制輸入腳，接地為正常操作和具有過壓保護功能，連VCC喪失過壓保護功能。
26、FBS：電壓輸出遠端反饋感應輸入。
27、STEER：邏輯控制第二反饋輸入。
28、TIME/ON5：雙重用途時電容和開或關控制輸入
29、RESET：復位輸出V1-0v跳變，低電平時復位。
30、SEQ：選擇PWM電源電平輪換器的次序：SEQ接地時5v輸出在3.3v之前。SEQ接REF上，3.3v5v各自獨立。SEQ接v1上時3.3v輸出在5v之前。
31、RT：定時電阻。
32、CT：定時電容。
33、ILIM：電流限制門限調整。
34、SYNC：振盪器同步和頻率選擇，150Khz操作時，sync連線到GND，300Khz時連線到REF上，用0-5v驅使sync使頻率在340-195Khz.35、VIN電壓輸入
36、VREFEN：參考電壓
37、VOUT：電壓輸出
38、VCNTL：供電