GTO是可關斷可控矽，其主要特點為當門極加負向觸發訊號時閘流體能自行關斷。

GTO是可關斷可控矽，與普通閘流體（可控矽SCR）的驅動觸發方法有本質的不同。普通閘流體靠門極正訊號觸發之後，斷開觸發訊號在相應的維持電流下亦能維持通態。想要使之關斷，必須要切斷電源，或者使通態電流低於維持電流，還可以施加反向高電壓強行關斷。實際運用中想要靈活的達到開和關的狀態需增加專門的關斷電路，而且極間紋波干擾也比較大。

​ 而GTO是可關斷可控矽，它既保留了普通閘流體耐壓高、電流大等優點，也具備自關斷能力，使用簡單方便，是比較理想的高壓、大電流開關器件。其特點為只要驅動電路提供足夠的前沿驅動電流給控制門極上即可觸發，關斷只需要門極上加負向觸發訊號即可關斷。

GTO（Gate-Turn-Off Thyristor），門極可關斷閘流體，是一種透過門極來控制器件導通和關斷的電力半導體器件，它的容量僅次於普通閘流體，它應用的關鍵技術之一是其門極驅動電路的設計。

門極驅動電路設計不好，常常造成GTO閘流體的損壞，而門極關斷技術應特別予以重視。門極可關斷閘流體GTO的電壓、電流容量較大，與普通閘流體接近，因而在兆瓦級以上的大功率場合仍有較多的應用。

GTO驅動電路的特點是：GTO要求其驅動電路提供的驅動電流的前沿應有足夠的幅值和陡度，且一般需要在整個導通期間施加正門極電流，關斷需施加負門極電流，幅值和陡度要求更高，其驅動電路通常包括開通驅動電路，關斷驅動電路和門極反偏電路三部分。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)， 絕緣柵雙極型電晶體的特點是：驅動電路具有較小的輸出電阻，IGBT是電壓驅動型器件，IGBT的驅動多采用專用的混合整合驅動器；GTR驅動電路的特點是：驅動電路提供的驅動電流有足夠陡的前沿，並有一定的過沖，這樣可加速開透過程，減小開通損耗；關斷時，驅動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅動電流，並加反偏截止電壓，以加速關斷速度；MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor），金氧半導體場效電晶體驅動電路的特點：要求驅動電路具有較小的，驅動功率小且電路簡單。