“得碳化矽者得天下”。碳化矽是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較矽材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。碳化矽材料實現量產後，將打破國外壟斷，推動國內5G晶片技術和生產能力的提升
雖然學術界和產業界很早認識到碳化矽相對於傳統矽材料的優點，但是由於製造裝置、製造工藝與成本的劣勢，多年來只是在小範圍內得到應用，無法挑戰Si基器件的統治地位，但是隨著5G 、汽車等新市場出現，製備技術的進步，需求拉動疊加成本降低，碳化矽時代即將迎來。
SiC生產過程分為SiC單晶生長、外延層生長及器件製造三大步驟，對應的是產業鏈襯底、外延、器件與模組三大環節。
全球碳化矽產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。其中美國全球獨大，全球SiC產量的70%~80%來自美國公司，典型公司是科銳、道康寧、SiCrystal、昭和電工等;歐洲擁有完整的碳化矽襯底、外延、器件以及應用產業鏈，典型公司是英飛凌、意法半導體等;日本是裝置和模組開發方面的領先者，典型公司是羅姆半導體、三菱電機、富士電機等
華為近期透過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天嶽公司，佔股10%，後者是一家以碳化矽為主的半導體材料公司，此舉顯示華為正在佈局新一代半導體技術。
三安光電披露定增預案，擬募資不超過70億元，其中，先導高芯擬認購50億元，格力電器擬認購20億元。格力電器表示，投資三安光電有助於業務板塊打入半導體制造行業。
由於碳化矽產業鏈全球來看仍處於起步階段，國內企業更是大部分處於早期研發階段，遠未成熟，行業體量較小，重點關注已經在碳化矽研發上投入大量資源並且取得一定成果的公司。對映到A股上市公司，建議關注三安光電、揚傑科技、捷捷微電。
除上述說的三安光電外，捷捷微電與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發的是以碳化矽為代表第三代半導體材料的半導體器件，公司目前有少量碳化矽器件的封測，尚未進入量產階段，楊傑科技可批次供應650V、1200V碳化矽JBS器件，正在積極研發碳化矽MOS產品。
“得碳化矽者得天下”。碳化矽是製造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較矽材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。碳化矽材料實現量產後，將打破國外壟斷，推動國內5G晶片技術和生產能力的提升
雖然學術界和產業界很早認識到碳化矽相對於傳統矽材料的優點，但是由於製造裝置、製造工藝與成本的劣勢，多年來只是在小範圍內得到應用，無法挑戰Si基器件的統治地位，但是隨著5G 、汽車等新市場出現，製備技術的進步，需求拉動疊加成本降低，碳化矽時代即將迎來。
SiC生產過程分為SiC單晶生長、外延層生長及器件製造三大步驟，對應的是產業鏈襯底、外延、器件與模組三大環節。
全球碳化矽產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。其中美國全球獨大，全球SiC產量的70%~80%來自美國公司，典型公司是科銳、道康寧、SiCrystal、昭和電工等;歐洲擁有完整的碳化矽襯底、外延、器件以及應用產業鏈，典型公司是英飛凌、意法半導體等;日本是裝置和模組開發方面的領先者，典型公司是羅姆半導體、三菱電機、富士電機等
華為近期透過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天嶽公司，佔股10%，後者是一家以碳化矽為主的半導體材料公司，此舉顯示華為正在佈局新一代半導體技術。
三安光電披露定增預案，擬募資不超過70億元，其中，先導高芯擬認購50億元，格力電器擬認購20億元。格力電器表示，投資三安光電有助於業務板塊打入半導體制造行業。
由於碳化矽產業鏈全球來看仍處於起步階段，國內企業更是大部分處於早期研發階段，遠未成熟，行業體量較小，重點關注已經在碳化矽研發上投入大量資源並且取得一定成果的公司。對映到A股上市公司，建議關注三安光電、揚傑科技、捷捷微電。
除上述說的三安光電外，捷捷微電與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發的是以碳化矽為代表第三代半導體材料的半導體器件，公司目前有少量碳化矽器件的封測，尚未進入量產階段，楊傑科技可批次供應650V、1200V碳化矽JBS器件，正在積極研發碳化矽MOS產品。