將直流50V電壓降至40V，由於常用的穩壓IC最高輸入電壓一般都在40V以下，像2596HV這類高壓版的IC最高輸入電壓雖然可達60V，但其輸出電壓達不到40V，故這種直流50V轉40V無法使用上述的穩壓IC來實現。下面我們介紹一款採用三極體構成的直流50V轉40V穩壓電路。電路如上圖所示。VD是一個穩壓值為20V的穩壓管，U1（TL431）是一個基準電壓可調的精密基準電壓源IC，其與VD串聯後在Q1的基極產生一個40.7V左右的基準電壓。Q1是一款大功率NPN型三極體，在這裡用於擴流。由於NPN型矽三極體的發射極電壓總是比其基極電壓低約0.7V，而本電路中Q1的基極電壓為40.7V，故Q1發射極輸出電壓為40V，這樣即可將輸入的50V電壓轉為40V。由於本電路採用大功率管TIP41C擴流，在散熱良好的情況下，電路的輸出電流不低於2A。

電路輸入端的整流橋用於輸入直流電壓極性的轉換，加入該整流橋後，即使輸入的50V直流電壓極性接反也不會損壞該穩壓電路。電路中的W1是一個微調電阻，調節其值，可以使電路的輸出電壓為準確的40V。431基準電壓源IC的引腳排列如上圖所示。該IC有多種外形封裝，上圖為TO-92及SOP-8封裝的引腳圖，由於SOP-8封裝的有5個空腳，使用不便，建議選用TO-92封裝的。圖1電路中的大功率管Q1可以選用常用的3DD15D或TIP41C。上圖為TIP41C的外形封裝，該管的Icm為6A，功率可達65W。為了減小Q1的工作壓差，降低其發熱量，亦可以在其集電極與50V電源正極之間串聯6個1N5401二極體來降壓。實際製作時，Q1應外接散熱片來散熱，以免其過熱損壞。

根據提問者的意思，想要將50V的直流電壓降到40V，有什麼辦法？

這屬於電源設計部分內容，DCDC直流降壓型電壓變換，輸入電壓為50V，輸出40V，輸入與輸出之間的壓差為10V，壓降有點高，若採用線性的方式降壓，負載電流不能太高，一般500mA以內最佳，否則降壓晶片自身功耗太大，不但散熱不好處理，而且效率低，浪費能量。線性降壓方式降壓晶片的功耗P=（輸入-輸出）×負載電流，若負載電流500mA，功耗P為10V×500mA=5W，若1A自身功耗P達10W。

LM117HV的封裝為TO-3，具體設計時一般貼在散熱器表面上，利於散熱。雖然該晶片最大輸出電流可達1.5A，但是實際使用時負載電流不要太大，小於500mA最佳。若負載電流500mA該晶片功耗已達5W；若負載電流1.5A，功耗高達15W！不是不行，而是建議不要這麼使用，當然散熱處理得好也完全可以使用，但是效率低，功率內損嚴重，而且散熱也不好處理，若電流較大建議採用開關電源晶片方式降壓。

注：線性降壓方式除了使用專用的線性電源晶片設計之外，還可以使用大功率電晶體、場效電晶體等進行降壓設計。比如使用穩壓管與NPN型功率三極體配合的設計方式，透過穩壓管控制三極體基極的電壓，那麼發射極的電壓約為基極的電壓-0.6V，50V電源輸入端為三極體的集電極。也可以使用比較器、場效電晶體組成的負反饋電路控制場效電晶體的內阻，從而實現40V穩壓輸出。

下面介紹一款TPS54560B開關電源晶片，該晶片屬於TI公司生產，輸入電壓範圍4.5V~60V，輸出電壓範圍0.8V~58.8V，最大輸出電流高達5A，工作溫度範圍-40~150℃，轉換效率90%左右。其輸出電壓公式為Vout=0.8(1+RHS/RLS），比如下圖為官方參考例項，輸入7V~60V，輸出5V，其中R5=53.5k，R6-10.2k，代入公式計算Vout=0.8(1+53.5k/10.2k)≈5。

要求輸出40V，根據計算公式0.8(1+RHS/RLS）=40，可得RHS/RLS=49，可選RHS=62K，RLS=1.27K。

該晶片屬於SO-8封裝，晶片個頭很小，卻能輸出5A電流，這就是線性電源晶片與開關電源晶片的不同之處，開關電源晶片功耗低、轉換效率高，不需要作散熱處理，在體積和重量方面都有很大優勢。

總結：50V降壓40V，這個電壓有點高，超出36V安全電壓，具有一定的危險性。由於電壓較高，很多常規的電源晶片都無法滿足設計要求，其實這兩款晶片也是很常用的晶片，LM117HV和LM317類似，輸入電壓範圍較高，TPS54560B屬於TI很常用的開關電源晶片。若找不到合適的電源晶片時，可到TI官網查詢，官網上有很多型別的電源晶片，可根據輸入電壓範圍、輸出電壓範圍、輸出電流大小篩選。

你的問題不明朗。50V降到40V方法太多了，關鍵要看你的負載是什麼情況，不同的負載情況降壓方式不同。另外還得看你的50V是如何提供的，是變壓器整流後得到的，就得看變壓器功率和負載功率了。沒有50V電源形式的描述，沒有負載情況的描述，恐怕給你提供的方式，不一定適合你的實際情況