虛擬記憶體設在ssd上不會很傷的，假如你的ssd是120g的，快閃記憶體顆粒壽命是一萬pe，那就是說可以寫入120✖️10k GB，到時快閃記憶體沒掛，主控都先掛了，每天寫入200m，可以用好久了。

ssd不要用碎片整理，會增加寫入量。

擦寫次數如何算？

要了解SSD固態硬碟的壽命，需要先了解一下SSD固態硬碟中的儲存介質NAND快閃記憶體。NAND快閃記憶體原理上是一個CMOS管，有兩個柵極，一個是控制柵極(Control Gate), 一個是浮柵(Floating Gate). 浮柵的作用就是儲存電荷，而浮柵與溝道之間的氧化層(Oxide Layer)的好壞決定著浮柵儲存電荷的可靠性，也就是NAND快閃記憶體的壽命。

在NAND快閃記憶體中，P/E Cycle，也稱為擦除次數，是判斷NAND快閃記憶體壽命的關鍵引數。隨著P/E Cycle的增加，浮柵與溝道之間的氧化層被磨損的越來越嚴重，導致浮柵中電子的控制越來越艱難，最終結果就是，NAND的壽命走到了盡頭。每顆NAND快閃記憶體，不管MLC或者TLC，在出廠的那刻，壽命就固定了，所以，減少PE cycle，是延長SSD固態硬碟壽命的主要方式。

Host擦除次數與NAND擦除次數的區別

當我們從電腦上(也就是Host端)往SSD固態硬碟中寫入一些資料，然後再擦除，這部分只能算是Host端的擦除次數，並不是SSD儲存介質NAND快閃記憶體真正的擦除次數。在這裡有一個關鍵的引數，叫做寫放大(WA, Write Amplification). WA=NAND快閃記憶體寫入資料量/Host寫入資料量。

當我們順序寫入資料時，NAND快閃記憶體端與Host端寫入的資料量基本一致，這是寫入放大WA=1.

當我們隨機寫入資料時，NAND快閃記憶體端與Host端寫入的資料量就會產生差異，因為這個過程中涉及到了垃圾回收(Garbage Clean).

比如，我們寫入在上圖的Block X寫入4頁資料A,B,C,D, 之後我們寫入新的資料E,F,G,H以及A,B,C,D的更新資料A",B",C,D".這樣的話，原來的A,B,C,D已經是無效資料。由於NAND快閃記憶體只能以塊為單位進行擦除。之後，SSD啟動垃圾回收GC，這樣的話就需要把E,F,G,H,A",B",C,D"這8個數據搬到新的Block Y, 然後把Block X擦除。

所以，當我們從Host端寫入一個檔案時，NAND快閃記憶體增加的寫入次數可能會比Host端看到的多。

1. SSD的最佳化技術. 現在的SSD中，SSD主控廠商和SSD協議都努力優化了SSD的壽命問題。比如主控廠商對GC的最佳化，NVMe協議中Multi Stream等功能，都儘可能的減少對NAND快閃記憶體的寫入次數，延長SSD的壽命。

2. SSD質保值得信賴。在SSD的產品資訊中，我們經常會看到兩個引數: 質保年限和終生寫入量TBW. 質保年限，很好理解，就是SSD廠商對SSD品質保證期，目前市場上質保年限一般都是3~5年。終生寫入量TBW，是允許SSD固態硬碟在整個壽命週期內寫入的資料總量。

不過，需要強調一點的是，SSD廠商的承諾中，質保年限和終生寫入量TBW並不是並列的關係，如下圖。

二者之間是"或"的關係，意思是，只要滿足其中一個條件，那麼，這個SSD的保質期就過了。

(1) 假設從購買SSD開始，時間到了3年，但是呢，我們對SSD資料寫入量很少，即使只有10GB，那麼，對不起，保質期過了；(2) 假設從購買SSD開始，時間才不到1個月，但是呢，我們對SSD寫入的資料量就超過了400TB，那麼，還是對不起，保質期過了。

不過，對我們普通使用者來說，對SSD的寫入量一般不會很大，如果對SSD保護的好，用個5年以上，應該不成問題。所以，對於SSD壽命的這個問題，不必過濾，放心使用就好。

問題一的話開虛擬記憶體確實會怎大硬碟的寫入量，這對SSD還是HDD來說都是一樣的，然而傷硬碟這事情其實沒你想象中那麼嚴重，你知道第二個問題的答案的話就會發現完全沒所謂了。

快閃記憶體有寫入次數限制和它的結構和工作原理有關，需要寫入資料時快閃記憶體需要恢復預設電位，而個操作進行加電，而加電瞬間會產生強大的電場，強大的電場會破壞隧道氧化層的原子結合，也就是說每次寫入操作都會損壞隧道氧化層，這就是快閃記憶體為什麼會有寫入次數限制。

不同型別的快閃記憶體有不一樣的壽命，比如SLC的P/E是100000次，MLC是3000次，TLC為1000次，當然了這三類閃還會在細分下去，上面的數字只是個大概值，同類的快閃記憶體壽命差距也是很大的，這裡就不細說了。

你的第二個問題SSD壽命怎麼算，其實對於一個SSD來說一次P/E需要寫入整個SSD RAM容量（不是可用容量）這麼大的資料才算一次P/E週期，也就是說128GB/120GB的SSD要往裡面寫入128GB的資料才算是一次P/E週期，如果這個SSD用的是3000 P/E的MLC快閃記憶體的話，你得往裡面寫入375TB的東西這SSD才會掛掉，當然了實際上還會有磨損平衡演算法和寫入放大這些東西要考慮，不過解析起來太複雜了這裡就算了。

而且實際上SSD的壽命比你想象中長得多，德國Heise網站做過一次SSD使用壽命測試，三星750 EVO 250GB這種廉價TLC SSD寫入量可達1.2PB，而850 PRO 256GB這種高階SSD更是可達到9.1PB，SSD的實際使用壽命都是大大超過官方標稱值的，實際使用時你10年能寫入100TB的資料都很厲害了。

所以根本不用擔心他會因為P/E次數耗盡而掛掉，直接把虛擬記憶體做到SSD上面吧，會比HDD強很多的。