BT134可控矽沒有基極，BT134為雙向可控矽半導體器件，廣泛應用於交流調壓，照明等場合。BT134為4A/600Ⅴ。 上圖為BT134的應用電路

雙向可控矽可被認為是一對反並聯連線的普通可控矽的整合，工作原理與普通單向可控矽相同。雙向可控矽有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控矽在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控矽門極加正、負觸發脈衝都能使管子觸發導通，因此有四種觸發方式。雙向可控矽應用為正常使用雙向可控矽，需定量掌握其主要引數，對雙向可控矽進行適當選用並採取相應措施以達到各引數的要求。耐壓級別的選擇： 通常把VDRM(斷態重複峰值電壓)和 VR R M(反向重複峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。 選用時，額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍，作為允許的操作過電壓裕量。

電流的確定： 由於雙向可控矽通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由於可控矽的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控矽的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時， 可控矽承受斷態重複峰值電壓VD R M 和反向重複峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小於器件規定的IDRM 和 IRRM。

·通態(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控矽通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控矽的熱損耗，應儘可能選擇VT M 小的可控矽。維持電流： IH 是維持可控矽保持通態所必需的最小主電流，它與結溫有關，結溫越高， 則 IH 越小。

·電壓上升率的抵制： dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵引數。此值超限將可能導致可控矽出現誤導通的現象。由於可控矽的製造工藝決定了 A2 與 G 之間會存在寄生電容。

安裝對負載小，或電流持續時間短(小於1 秒鐘)的雙向可控矽， 可在自由空間工作。 但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上，為了減小熱阻，可控矽與散熱器間要塗上導熱矽脂。zhaoqifa2017.11.9

可控矽的基極叫控制極，可控矽也是三個腳，但不叫三極體，其三腳分別為陽極A，陰極K，門極（控制極）G，這符號代表的是單向可控矽，使用直流電，門G的控制下直流電源從A流到K，實現導通。如用二個單向矽反向並聯，則是雙向可控矽了，其控制極G，另二腳分別叫T1和T2，T1T2兩端可通交流電，控制G腳，T1T2相於一個開關。

可控矽G腳只要加上0至10幾v等正電壓或正脈衝便可控制A，K或T1，T2的導通。

下圖為用雙向可控BTA12與光耦Moc3083製成的電子繼電器，與NE555組成延時器。在光耦輸入二腳加3一5Ⅴ，可使插座有電，如在輸入端加可調的0一5V，可調燈的光暗。BTA12既最大能透過12A的電流，12x220=功率，大家可自已算下，也可用BT134代替，但透過電流小得多了。

虛線內是一電子繼電器，可當普通繼電器使用，適合電子愛好者製作。

如果你要搞個低壓直流電源調控，手邊又沒可控矽，我這裡試組接了一個可控矽結構圖，告訴你：根據你的需要各選一隻矽管，一隻鍺管，另加一隻二極體，就組成一個可控矽。具體連線：1⃣️兩管的集電極相連進入電源正極開關，2⃣️矽管的發射極與電源負極之間串一隻燈泡，3⃣️矽管的基極與鍺管的發射極之間串一隻二極體，（有十字箭頭的負極接矽管的基極，其作用是阻止反通漏電）、4⃣️鍺管的基極與自身的發射極觸碰時電泡通電亮，如果關閉電源開關燈熄滅，必須再接通電源後，再觸發又再亮。本文答非所問，只是借這個機會，向還屬基礎級的愛好者分享，朋友們也可以當物理試驗搞著玩，這兩種管子舊的電路板上有，不花錢廢物利用，望高工們諒解！不要笑話！

BT134是一個通用系列的可控矽，其下有BT134-400E,BT134-600E,BT134-800E等多個型號。用在交流回路中起到開關作用，可以透過微控制器控制使其導通/斷開。

因為用在迴路中控制強電，而可控矽的門極又要連在被控迴路中，所以為了安全和認證考慮，一般會用一顆光耦實現隔離。筆者常用MOC3052可控矽專用光耦來實現隔離，具體的電路圖如下所示：

光耦的輸入端透過微控制器控制，光耦的輸出端接在被控迴路中。當微控制器引腳輸出高電平時，光耦導通，門極被接入控制迴路中門極電流大於開啟電流後可控矽導通。圖中MOV2是壓敏電阻起到保護作用，圖中R12和C5起到抗干擾作用。

當可控矽導通後，即使把門極電壓去掉，可控矽仍然處於導通狀態，除非迴路中的電流小於可控矽的維持電流。所以關斷可控矽有兩個很重要的條件：

將可控矽的門極觸發訊號移除；

可控矽迴路中的電流要減小到維持電流以下；

要滿足以上兩個條件才可以將可控矽關斷。TO-220封裝的可控矽如下圖所示：

可控矽沒有基極。可控矽有源極、漏極、柵極。

三極體才有基極、發射極、集電極。

只能說三極體的基極和可控矽的柵極作用類似。