2018年的智慧手機儲存容量越來越大，快閃記憶體基本上是64GB起了，128GB已經是主流，記憶體晶片普遍是6GB起，高階的上了8GB甚至10GB。想要記憶體容量再上一個臺階，除了期待降價之外，還有賴於大容量LPDDR4記憶體的量產。美光公司今天宣佈大規模量產12Gb核心容量的LPDDR4X記憶體，使用了1Y nm工藝（10nm級別的）生產，頻率可達4266Mbps，同時功耗降低了10%，明年的智慧手機可以上12GB記憶體了。

美光表示其12Gb LPPDR4X顆粒是目前業界容量最高的，速度也是最快的——速度快倒是真的，不過美光的12Gb LPDDR4X記憶體並不是容量最大的了，三星早在4月份就宣佈了16Gb核心容量的LPDDR4X記憶體了，頻率同樣是4266Mbps。

12Gb顆粒意味著單核心就有1.5GB容量，4核心就有6GB記憶體容量，8核心則是12GB記憶體了，明年差不多就會有12GB記憶體的高階智慧手機了。

除了頻率高達4266Mbps之外，美光表示其LPDDR4X記憶體還有能耗上的優勢，功耗降低了10%。

美光的12Gb LPDDR4X記憶體使用了1Y nm工藝，官方表示是10nm級別的，這種說法經常會誤導一些媒體同行，以為是10nm工藝的，它其實是1X nm之後第二代10nm級工藝，1X nm大概是16-19nm，1Y應該是14-16nm工藝，之所以這麼模糊是因為20nm節點之後DRAM工藝也面臨各種困難，線寬指標沒有明確的數值了，所以用XYZ代替，在這之後還有1α及1β工藝。