在化學上，ITO 是Indium Tin Oxides的縮寫。
作為奈米銦錫 金屬氧化物，具有很好的 導電性和透明性，可以切斷對人體有害的 電子輻射、紫外線及 遠紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴塗在玻璃、塑膠及 電子顯示屏上，用作 透明導電薄膜，同時減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。
ITO 是一種N型 氧化物半導體- 氧化銦錫, ITO薄膜即銦錫氧化物半導體 透明導電膜，通常有兩個效能指標： 電阻率和 透光率。
在氧化物 導電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的 透過率最高和導電效能最好，而且容易在酸液中 蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制，通常SnO2:In2O3=1:9。
目前ITO膜層之電阻率一般在5*10E-4左右，最好可達5*10E-5，已接近金屬的電阻率，在實際應用時，常以 方塊電阻來表徵ITO的導電效能，其透過率則可達90%以上，ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例控制，增加 氧化銦比例則可提高ITO之 透過率，通常SnO2: In2O3=1:9，因為 氧化錫之厚度超過200Å時，通常透明度已不夠好---雖然導電效能很好。
如用是電流平行流經ITO脫層的情形，其中d為膜厚，I為電流，L1為在電流方向上膜厚層長度，L2為在垂直於電流方向上的膜層長主，當電流流過方形 導電膜時，該層電阻R=PL1/dL2式中P為導電膜 之 電阻率，對於給定膜層，P和d可視為定值，P/d，當L1=L2時，怒火正方形膜層，無論方塊大小如何，其電阻均為定值P/d，此即 方塊電阻定義： R□=P/d，式中R□單位為：歐姆/□（Ω/□），由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關且ITO膜阻值越低，膜厚越大。
目前在高檔STN 液晶顯示屏中所用ITO玻璃，其R□可達10Ω/□左右，膜厚為100-200nm，而一般低檔TN產品的ITO玻璃R□為100-300Ω/□，膜厚為20-30nm。
在化學上，ITO 是Indium Tin Oxides的縮寫。
作為奈米銦錫 金屬氧化物，具有很好的 導電性和透明性，可以切斷對人體有害的 電子輻射、紫外線及 遠紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴塗在玻璃、塑膠及 電子顯示屏上，用作 透明導電薄膜，同時減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。
ITO 是一種N型 氧化物半導體- 氧化銦錫, ITO薄膜即銦錫氧化物半導體 透明導電膜，通常有兩個效能指標： 電阻率和 透光率。
在氧化物 導電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的 透過率最高和導電效能最好，而且容易在酸液中 蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制，通常SnO2:In2O3=1:9。
目前ITO膜層之電阻率一般在5*10E-4左右，最好可達5*10E-5，已接近金屬的電阻率，在實際應用時，常以 方塊電阻來表徵ITO的導電效能，其透過率則可達90%以上，ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例控制，增加 氧化銦比例則可提高ITO之 透過率，通常SnO2: In2O3=1:9，因為 氧化錫之厚度超過200Å時，通常透明度已不夠好---雖然導電效能很好。
如用是電流平行流經ITO脫層的情形，其中d為膜厚，I為電流，L1為在電流方向上膜厚層長度，L2為在垂直於電流方向上的膜層長主，當電流流過方形 導電膜時，該層電阻R=PL1/dL2式中P為導電膜 之 電阻率，對於給定膜層，P和d可視為定值，P/d，當L1=L2時，怒火正方形膜層，無論方塊大小如何，其電阻均為定值P/d，此即 方塊電阻定義： R□=P/d，式中R□單位為：歐姆/□（Ω/□），由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關且ITO膜阻值越低，膜厚越大。
目前在高檔STN 液晶顯示屏中所用ITO玻璃，其R□可達10Ω/□左右，膜厚為100-200nm，而一般低檔TN產品的ITO玻璃R□為100-300Ω/□，膜厚為20-30nm。