面向晶片突破，華為不需要併購整合旗下有關電子技術核心。
一、華為手機、半導體晶片設計能力已經可以對標三星、高通、和蘋果，躋身第一梯隊，缺乏的是把晶片設計變成產品的製造裝置、體系和能力。
現在是社會化大生產、分工緊密合作時代，單打獨鬥闖世界模式巳不合時宜。
以ASML為例：製造一臺光刻機須近10萬個零部件，牽涉到5000多個廠家。凝聚了很多高科技成果和先進工藝，堪稱是工程級產品。這也是英特爾、微軟、高通等各網路和半導體巨頭沒有涉足光刻機的原因之一。
華為的思路是：最尖端、門檻最高的核心技術自己去攻克，而門檻稍弱的周邊零部件則交給本土的小夥伴來實現。大家共同發展，呈現百花齊放局面。
況且，國內很多廠家電子技術已達國際先進水平，如：海思的CPU和高階射頻、電源管理晶片;京東方的柔性摺疊屏;水晶光電的光學元器件;歐菲光的光學鏡頭，等等。華為去整合併購旗下電子技術核心業務，進行同行業競爭，並無必要也沒意義。
所以，華為不會“削足適履”地整合併購旗下全部有關電子技術，呈現“鬥勇”式面向晶片進行突破。
二、華為面向晶片突破，是發揮5G技術領先優勢，爭取在工業網際網路中、將5G和大資料、人工智慧進行互聯而發揮作用的晶片設計研發、生產製造掌握在自已手中。當前主要目標是光刻機。
華為有近萬名在職的數學家、物理學家、化學家，晶片設計能力無須置疑。但華為晶片設計研發能力再強，都必須由第三方晶圓代工廠來落地生產。此次由於美國打壓、高通禁售晶片、臺積電停止供貨，更證實了晶片的核心技術靠買是買不來的。
所以，華為決心開展“南泥灣”專案來自主研發，目標是佔領面向晶片突破的光刻機制造生產高地，不會為一城一池得失而整合併購旗下全部有關電子技術核心業務。因為這有悖於華為企業的宗旨。
三、華為光刻機攻堅之戰是否能夠成功。
光刻機是晶片製造生產裝置(光刻機、蝕刻機、掩膜生產裝置、拋光機和清洗劑、離子注入裝置、擴散爐)中難度最高的。
在中國，高階的蝕刻機中微公司能生產、長春光機所的極紫外光技術日臻成熟、清洗裝置有盛美股份公司、矽片有晶盛機電、測試有長川科技等。但技術水準離ASML光刻機最核心部分差距還較大。
如：上海微電子目前只有商用的90nm工藝，28nm要一年後才能交付。這離ASML已能實現生產的5nm、甚至3nm工藝有著2.5代的差距。
製造生產光刻機的原理是相似相通的，只是工藝的“巧妙”不同。目前看來主要是在精度控制上有三方面制約因素：一、光源控制、二、透鏡工藝、三、材料篩選。
隨著華為“南泥灣”專案逐漸展開和深入，產、學、研力量加強，向世界範圍廣招人才的到位，全國各行業鼎力支援，華為光刻機技術一定會突破封鎖、衝出重圍，製造出中國自己生產、完全的智慧財產權、為世界服務的高階光刻機。
加油，華為！
面向晶片突破，華為不需要併購整合旗下有關電子技術核心。
一、華為手機、半導體晶片設計能力已經可以對標三星、高通、和蘋果，躋身第一梯隊，缺乏的是把晶片設計變成產品的製造裝置、體系和能力。
現在是社會化大生產、分工緊密合作時代，單打獨鬥闖世界模式巳不合時宜。
以ASML為例：製造一臺光刻機須近10萬個零部件，牽涉到5000多個廠家。凝聚了很多高科技成果和先進工藝，堪稱是工程級產品。這也是英特爾、微軟、高通等各網路和半導體巨頭沒有涉足光刻機的原因之一。
華為的思路是：最尖端、門檻最高的核心技術自己去攻克，而門檻稍弱的周邊零部件則交給本土的小夥伴來實現。大家共同發展，呈現百花齊放局面。
況且，國內很多廠家電子技術已達國際先進水平，如：海思的CPU和高階射頻、電源管理晶片;京東方的柔性摺疊屏;水晶光電的光學元器件;歐菲光的光學鏡頭，等等。華為去整合併購旗下電子技術核心業務，進行同行業競爭，並無必要也沒意義。
所以，華為不會“削足適履”地整合併購旗下全部有關電子技術，呈現“鬥勇”式面向晶片進行突破。
二、華為面向晶片突破，是發揮5G技術領先優勢，爭取在工業網際網路中、將5G和大資料、人工智慧進行互聯而發揮作用的晶片設計研發、生產製造掌握在自已手中。當前主要目標是光刻機。
華為有近萬名在職的數學家、物理學家、化學家，晶片設計能力無須置疑。但華為晶片設計研發能力再強，都必須由第三方晶圓代工廠來落地生產。此次由於美國打壓、高通禁售晶片、臺積電停止供貨，更證實了晶片的核心技術靠買是買不來的。
所以，華為決心開展“南泥灣”專案來自主研發，目標是佔領面向晶片突破的光刻機制造生產高地，不會為一城一池得失而整合併購旗下全部有關電子技術核心業務。因為這有悖於華為企業的宗旨。
三、華為光刻機攻堅之戰是否能夠成功。
光刻機是晶片製造生產裝置(光刻機、蝕刻機、掩膜生產裝置、拋光機和清洗劑、離子注入裝置、擴散爐)中難度最高的。
在中國，高階的蝕刻機中微公司能生產、長春光機所的極紫外光技術日臻成熟、清洗裝置有盛美股份公司、矽片有晶盛機電、測試有長川科技等。但技術水準離ASML光刻機最核心部分差距還較大。
如：上海微電子目前只有商用的90nm工藝，28nm要一年後才能交付。這離ASML已能實現生產的5nm、甚至3nm工藝有著2.5代的差距。
製造生產光刻機的原理是相似相通的，只是工藝的“巧妙”不同。目前看來主要是在精度控制上有三方面制約因素：一、光源控制、二、透鏡工藝、三、材料篩選。
隨著華為“南泥灣”專案逐漸展開和深入，產、學、研力量加強，向世界範圍廣招人才的到位，全國各行業鼎力支援，華為光刻機技術一定會突破封鎖、衝出重圍，製造出中國自己生產、完全的智慧財產權、為世界服務的高階光刻機。
加油，華為！