這兩者不能相互替代,因為BT136是雙向可控矽Triac,而13003是NPN型的三極體,兩者是完全不同的元器件,控制方式不同、作用不同,不能替換。
BT136是雙向可控矽,具有三個引腳,分別為T1、T2和Gate,It電流為6A。可控矽使用時比較特殊,其導通時需要滿足兩個條件:
1)控制極Gate具有觸發訊號;
2)陽極和陰極之間具有正向電壓。
對於雙向可控矽而言,以上的導通條件具有四種情況:
1)VT1T2為正,VG為正;2)VT1T2為正,VG為負;3)VT1T2為負,VG為正;4)VT1T2為負, VG為負。也就是所說的工作想象。BT136的基本引數如下圖所示。
可控矽一旦導通,將觸發訊號移除後,仍處於導通狀態,這種特性是三極體所不具備的。
13003是NPN型的三極體,具有三個引腳,分別為基極b、發射極e、集電極c,IC電流為1.5A,CE耐壓400V,其外觀和電路符號如下圖所示。
三極體是電流型驅動的元器件,具有三個工作狀態,分別為截止區、放大區、飽和區,用作開關時工作在截止區和飽和區。將基極的觸發訊號移除後,三極體就處於截止狀態,這一點是與可控矽元器件是不一樣的。
引腳不同:三極體的引腳為基極、發射極、集電極,雙向可控矽的引腳為T1、T2、控制極Gate。
觸發方式不同:三極體為電流型驅動的元器件;而雙向可控矽在導通時要求Gate有觸發訊號,同時T1和T2具有相應的電壓。
關斷方式不同:三極體工作在開關狀態時,將基極訊號移除後,三極體即處於截止狀態;而可控矽將控制極訊號移除後,仍處於導通狀態。
半導體結構不同:三極體是由三層PN接面構成的;而可控矽是四層半導體結構,剖開後可以看作是由兩個三極體構成的。
綜上所述,BT136雙向可控矽不能和13003三極體相互替換。
這兩者不能相互替代,因為BT136是雙向可控矽Triac,而13003是NPN型的三極體,兩者是完全不同的元器件,控制方式不同、作用不同,不能替換。
BT136是雙向可控矽TriacBT136是雙向可控矽,具有三個引腳,分別為T1、T2和Gate,It電流為6A。可控矽使用時比較特殊,其導通時需要滿足兩個條件:
1)控制極Gate具有觸發訊號;
2)陽極和陰極之間具有正向電壓。
對於雙向可控矽而言,以上的導通條件具有四種情況:
1)VT1T2為正,VG為正;2)VT1T2為正,VG為負;3)VT1T2為負,VG為正;4)VT1T2為負, VG為負。也就是所說的工作想象。BT136的基本引數如下圖所示。
可控矽一旦導通,將觸發訊號移除後,仍處於導通狀態,這種特性是三極體所不具備的。
13003三極體13003是NPN型的三極體,具有三個引腳,分別為基極b、發射極e、集電極c,IC電流為1.5A,CE耐壓400V,其外觀和電路符號如下圖所示。
三極體是電流型驅動的元器件,具有三個工作狀態,分別為截止區、放大區、飽和區,用作開關時工作在截止區和飽和區。將基極的觸發訊號移除後,三極體就處於截止狀態,這一點是與可控矽元器件是不一樣的。
3 雙向可控矽和三極體的區別引腳不同:三極體的引腳為基極、發射極、集電極,雙向可控矽的引腳為T1、T2、控制極Gate。
觸發方式不同:三極體為電流型驅動的元器件;而雙向可控矽在導通時要求Gate有觸發訊號,同時T1和T2具有相應的電壓。
關斷方式不同:三極體工作在開關狀態時,將基極訊號移除後,三極體即處於截止狀態;而可控矽將控制極訊號移除後,仍處於導通狀態。
半導體結構不同:三極體是由三層PN接面構成的;而可控矽是四層半導體結構,剖開後可以看作是由兩個三極體構成的。
綜上所述,BT136雙向可控矽不能和13003三極體相互替換。