當然是有方向的啦。
可控矽也稱作閘流體，它是由PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極A，陰極K和控制極G 。
單向可控矽的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制極同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處於導通狀態。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。
可控矽擊穿的原因主要是:
1、過壓擊穿：
過壓擊穿是可控矽擊穿的主要原因之一，可控矽對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿的，因此實際應用電路中，在可控矽兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規則的干擾脈衝所引起的瞬間過壓。如果經常發生可控矽擊穿，請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。
2、過流與過熱擊穿：其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在透過可控矽晶片時在晶片內部產生熱效應，使晶片溫度升高，當晶片溫度達到175℃時晶片就會失效且不能恢復。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過可控矽額定電流是不會發生這種熱擊穿的，因為過流擊穿原理是由於溫度升高所引起的，而溫度升高的過程是需要一定時間的，所以在短時間內過流（幾百毫秒到幾秒時間）一般是不會擊穿的。
3、過熱擊穿：這裡所說的過熱擊穿是指在工作電流並不超過可控矽額定電流的情況下而發生的熱擊穿，發生這種擊穿的原因主要是可控矽的輔助散熱裝置工作不良而引起可控矽晶片溫度過高導致擊穿。對於採用水冷方式工作的，主要檢查進水溫度是否過高（一般要求水溫應在25℃以下，但最高不能超過35℃），流量是否充足；對於採用風冷方式工作的，應檢查風扇的轉數是否正常，還有環境溫度也不能太高等，但無論是風冷的還是水冷的，如果你在更換可控矽時只是更換了晶片的話，安裝時要注意晶片與散熱器之間的接觸面一定要保證良好的接觸，接觸面要平整，不能有劃痕或凹凸且不能有灰塵夾入，還要保證有足夠且均勻的壓力，特別是對水冷的可控矽，三個螺栓的拉力一定要均勻，並且還要經常檢查和清理水垢，水垢太多也會影響散熱效果導致過熱擊穿的。另外如果多次更換晶片也會導致散熱器的接觸面變形而影響散熱效果，如果您的機器上的某隻可控矽經常擊穿又找不到其他原因的話，就應該考慮在更換可控矽時連同散熱器一齊更換。
當然是有方向的啦。
可控矽也稱作閘流體，它是由PNPN四層半導體構成的元件，有三個電極，陽極A，陰極K和控制極G 。
單向可控矽的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制極同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處於導通狀態。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。
可控矽擊穿的原因主要是:
1、過壓擊穿：
過壓擊穿是可控矽擊穿的主要原因之一，可控矽對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿的，因此實際應用電路中，在可控矽兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規則的干擾脈衝所引起的瞬間過壓。如果經常發生可控矽擊穿，請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。
2、過流與過熱擊穿：其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在透過可控矽晶片時在晶片內部產生熱效應，使晶片溫度升高，當晶片溫度達到175℃時晶片就會失效且不能恢復。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過可控矽額定電流是不會發生這種熱擊穿的，因為過流擊穿原理是由於溫度升高所引起的，而溫度升高的過程是需要一定時間的，所以在短時間內過流（幾百毫秒到幾秒時間）一般是不會擊穿的。
3、過熱擊穿：這裡所說的過熱擊穿是指在工作電流並不超過可控矽額定電流的情況下而發生的熱擊穿，發生這種擊穿的原因主要是可控矽的輔助散熱裝置工作不良而引起可控矽晶片溫度過高導致擊穿。對於採用水冷方式工作的，主要檢查進水溫度是否過高（一般要求水溫應在25℃以下，但最高不能超過35℃），流量是否充足；對於採用風冷方式工作的，應檢查風扇的轉數是否正常，還有環境溫度也不能太高等，但無論是風冷的還是水冷的，如果你在更換可控矽時只是更換了晶片的話，安裝時要注意晶片與散熱器之間的接觸面一定要保證良好的接觸，接觸面要平整，不能有劃痕或凹凸且不能有灰塵夾入，還要保證有足夠且均勻的壓力，特別是對水冷的可控矽，三個螺栓的拉力一定要均勻，並且還要經常檢查和清理水垢，水垢太多也會影響散熱效果導致過熱擊穿的。另外如果多次更換晶片也會導致散熱器的接觸面變形而影響散熱效果，如果您的機器上的某隻可控矽經常擊穿又找不到其他原因的話，就應該考慮在更換可控矽時連同散熱器一齊更換。