集電極漏電流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA

發射極漏電流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA

集電極、發射極擊穿電壓BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V

發射極、基極擊穿電壓BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V

集電極、基極擊穿電壓BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V

集電極、發射極飽和壓降VCE(sat

)

IC=100mA,IB=10mA 0.25 V

基極、發射極飽和壓降VBE(sat

)

IC=100mA,IB=10mA 1.0 V

直流電流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700

HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25

引數符號標稱值單位

集電極、基極擊穿電壓VCBO 60 V

集電極、發射極擊穿電壓VCEO 50 V

發射極、基極擊穿電壓VEBO 5 V

集電極電流IC 150 mA

集電極功率PC 625 mW

結溫TJ 150 ℃

貯存溫TSTG -55-150 ℃

6發射

△電引數（Ta=25℃）