隨著64層堆疊3D NAND快閃記憶體的大規模量產，全球6大NAND快閃記憶體廠商今年都開始轉向96層堆疊的新一代3D NAND，幾家廠商的技術方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新快閃記憶體起了個4D NAND快閃記憶體的名字，在今年的FMS國際快閃記憶體會議上正式宣告了業界首個基於CTF技術的4D NAND快閃記憶體，日前他們又宣佈4D NAND快閃記憶體正式量產，目前主要是TLC型別，96層堆疊，512Gb核心容量，使用該技術可以減少30%的核心面積，讀取、寫入速度分別提升30%、25%。
根據SK Hynix之前公佈的資訊，所謂的4D NAND快閃記憶體其實也是3D NAND，它是把NAND快閃記憶體Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND快閃記憶體，本質上其實還是3D NAND，4D NAND快閃記憶體有很強的商業營銷味道。
SK Hynix的4D NAND快閃記憶體首先會量產TLC型別的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆疊，IO介面速度1.2Gbps，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。
至於QLC型別的，這個未來會是SK Hynix量產的重點，核心容量1Tb，但量產時間會在明年下半年，還需要一些時間。
韓聯社報道稱，SK Hynix公司4日宣佈正式宣佈96層堆疊的4D NAND快閃記憶體，TLC型別，核心容量512Gb，與現有的72層堆疊3D NAND快閃記憶體相比，4D NAND快閃記憶體的核心面積減少了30%，單片晶圓的生產輸出增加了50%，而且效能也更強——讀取速度提升30%，寫入速度提升25%。
根據官方所說，4D NAND快閃記憶體今年內會量產，而主要生產基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達15萬億韓元，約合135億美元。
隨著64層堆疊3D NAND快閃記憶體的大規模量產，全球6大NAND快閃記憶體廠商今年都開始轉向96層堆疊的新一代3D NAND，幾家廠商的技術方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新快閃記憶體起了個4D NAND快閃記憶體的名字，在今年的FMS國際快閃記憶體會議上正式宣告了業界首個基於CTF技術的4D NAND快閃記憶體，日前他們又宣佈4D NAND快閃記憶體正式量產，目前主要是TLC型別，96層堆疊，512Gb核心容量，使用該技術可以減少30%的核心面積，讀取、寫入速度分別提升30%、25%。
根據SK Hynix之前公佈的資訊，所謂的4D NAND快閃記憶體其實也是3D NAND，它是把NAND快閃記憶體Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND快閃記憶體，本質上其實還是3D NAND，4D NAND快閃記憶體有很強的商業營銷味道。
SK Hynix的4D NAND快閃記憶體首先會量產TLC型別的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆疊，IO介面速度1.2Gbps，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。
至於QLC型別的，這個未來會是SK Hynix量產的重點，核心容量1Tb，但量產時間會在明年下半年，還需要一些時間。
韓聯社報道稱，SK Hynix公司4日宣佈正式宣佈96層堆疊的4D NAND快閃記憶體，TLC型別，核心容量512Gb，與現有的72層堆疊3D NAND快閃記憶體相比，4D NAND快閃記憶體的核心面積減少了30%，單片晶圓的生產輸出增加了50%，而且效能也更強——讀取速度提升30%，寫入速度提升25%。
根據官方所說，4D NAND快閃記憶體今年內會量產，而主要生產基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達15萬億韓元，約合135億美元。