GaN

中文名：氮化嫁。六方晶系鉛鋅礦型結構，為直接帶隙半導體。室溫禁頻寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。採用化學氣相澱積法制備。

GaN材料的研究與應用是全球半導體研究的熱點，是研製微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，並與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之後的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研製高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。工程師用GaN材料製備出了金屬場效應電晶體(MESFET)、異質結場效應電晶體(HFET)、調製摻雜場效應電晶體(MODFET)等新型器件。GaN較寬的禁頻寬度(3.4eV) 及藍寶石等材料作襯底，散熱效能好，有利於器件在大功率條件下工作。

GaN材料系列是一種理想的短波長髮光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜範圍。自從1991年日本研製出同質結GaN藍色 LED之後，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，GaN LED的應用已經普遍，您每天都可能會見到它的身影，在交通訊號燈裡、彩色影片廣告牌上、小孩的玩具中、甚至閃光燈裡。GaN LED的成功不僅僅引發了光電行業中的革命。它還幫助人們投入更多的資金和注意力來發展大功率高頻率GaN電晶體。