高通驍龍835跑分是182517
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高通驍龍835一款於2017年初由高通廠商研發的支援Quick Charge 4.0快速充電技術的手機處理器。
高通驍龍835晶片基於三星10nm製造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。
驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，並採用八核設計。驍龍835將採用10nm八核心設計，大小核均為Kryo280架構，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代效能提升25%，支援4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道記憶體，整合了Cat.16基帶。
新的驍龍835處理器，支援Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的晶片尺寸，能為手機廠商提供更靈活的內部空間設計。
Quick Charge 4.0快充技術充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支援，適配範圍更廣泛。
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高通驍龍835一款於2017年初由高通廠商研發的支援Quick Charge 4.0快速充電技術的手機處理器。
高通驍龍835晶片基於三星10nm製造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得晶片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。
驍龍835的主頻為1.9GHz+2.45GHz，並採用八核設計。驍龍835將採用10nm八核心設計，大小核均為Kryo280架構，大核心頻率2.45GHz，大核心簇帶有2MB的L2 Cache，小核心頻率1.9GHz，小核心簇帶有1MB的L2 Cache，GPU為Adreno 540@670MHz，相比上代效能提升25%，支援4K屏、UFS 2.1、雙攝以及LPDDR4x四通道記憶體，整合了Cat.16基帶。
新的驍龍835處理器，支援Quick Charge 4快速充電，比起Quick Charge 3.0，其充電速度提升20%，充電效率提升30%。另外其具備更小的晶片尺寸，能為手機廠商提供更靈活的內部空間設計。
Quick Charge 4.0快充技術充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD（Power Delivery）的支援，適配範圍更廣泛。