不一定，取決於你用的是什麼金屬，以及半導體的摻雜濃度是多少。在金屬與半導體理想接觸的前提下（金屬和半導體之間完全沒有空隙），金屬/半導體之間的接觸依據能帶結構可以分為兩種不同情況：歐姆接觸和肖特基接觸。對於肖特基接觸，半導體和金屬介面存在一個勢壘，電學特性和PN接面相似。對於歐姆接觸，介面沒有勢壘或是勢壘足夠窄（重摻雜半導體，空間電荷區極窄，可以直接隧穿），就可以雙向導電了。對於P/金屬/N的情況，要看金屬的費米能級在什麼位置，以及半導體的摻雜濃度。如果金屬的費米能級在N/P型半導體的費米能級之間，同時半導體摻雜濃度不是很大，那麼兩邊都是肖特基接觸，形成兩個小勢壘（總勢壘高度與P/N直接接觸一樣），電學特性和P/N結還是比較相似的（實際上就是倆肖特基二極體串聯）。如果金屬的費米能級在N/P型半導體的費米能級之間，同時有一側半導體摻雜濃度很大，那麼形成一個肖特基接觸、一個歐姆接觸，電學特性和直接接觸的P/N結比較相似（近似是個肖特基二極體），但是閾值電壓會更小。如果金屬的費米能級在N/P型半導體的費米能級之間，同時兩側都是重摻雜半導體，那麼形成兩個歐姆接觸，基本沒有單向導電性了。如果金屬的費米能級比N型半導體的費米能級更高（或是比P型半導體的費米能級更低），那麼在N型一側（或是P型一側）肯定形成歐姆接觸，另一側取決於摻雜濃度形成肖特基接觸或是歐姆接觸。如果是輕摻雜，會形成肖特基接觸，且勢壘高度比P/N直接接觸更高；如果是重摻雜，形成歐姆接觸，又變成雙向導電了……總之如果至少有一側是肖特基接觸，那麼就能表現出肖特基二極體的特性（當然閾值和直接接觸相比會有變化，反向特性也會不同）；如果兩側都是歐姆接觸，那就是一塊（導電性比較差的）普通導體了。
不一定，取決於你用的是什麼金屬，以及半導體的摻雜濃度是多少。在金屬與半導體理想接觸的前提下（金屬和半導體之間完全沒有空隙），金屬/半導體之間的接觸依據能帶結構可以分為兩種不同情況：歐姆接觸和肖特基接觸。對於肖特基接觸，半導體和金屬介面存在一個勢壘，電學特性和PN接面相似。對於歐姆接觸，介面沒有勢壘或是勢壘足夠窄（重摻雜半導體，空間電荷區極窄，可以直接隧穿），就可以雙向導電了。對於P/金屬/N的情況，要看金屬的費米能級在什麼位置，以及半導體的摻雜濃度。如果金屬的費米能級在N/P型半導體的費米能級之間，同時半導體摻雜濃度不是很大，那麼兩邊都是肖特基接觸，形成兩個小勢壘（總勢壘高度與P/N直接接觸一樣），電學特性和P/N結還是比較相似的（實際上就是倆肖特基二極體串聯）。如果金屬的費米能級在N/P型半導體的費米能級之間，同時有一側半導體摻雜濃度很大，那麼形成一個肖特基接觸、一個歐姆接觸，電學特性和直接接觸的P/N結比較相似（近似是個肖特基二極體），但是閾值電壓會更小。如果金屬的費米能級在N/P型半導體的費米能級之間，同時兩側都是重摻雜半導體，那麼形成兩個歐姆接觸，基本沒有單向導電性了。如果金屬的費米能級比N型半導體的費米能級更高（或是比P型半導體的費米能級更低），那麼在N型一側（或是P型一側）肯定形成歐姆接觸，另一側取決於摻雜濃度形成肖特基接觸或是歐姆接觸。如果是輕摻雜，會形成肖特基接觸，且勢壘高度比P/N直接接觸更高；如果是重摻雜，形成歐姆接觸，又變成雙向導電了……總之如果至少有一側是肖特基接觸，那麼就能表現出肖特基二極體的特性（當然閾值和直接接觸相比會有變化，反向特性也會不同）；如果兩側都是歐姆接觸，那就是一塊（導電性比較差的）普通導體了。