超大規模積體電路是指整合度（每塊晶片所包含的元器件數）大於10的積體電路。積體電路一般是在一塊厚0.2～0.5mm、面積約為0.5mm的P型矽片上透過平面工藝製做成的。這種矽片（稱為積體電路的基片）上可以做出包含為十個（或更多）二極體、電阻、電容和連線導線的電路

與分立元器件相比，積體電路元器件有以下特點：

1. 單個元器件的精度不高，受溫度影響也較大，但在同一矽片上用相同工藝製造出來的元器件效能比較一致，對稱性好，相鄰元器件的溫度差別小，因而同一類元器件溫度特性也基本一致；

2. 整合電阻及電容的數值範圍窄，數值較大的電阻、電容佔用矽片面積大。整合電阻一般在幾十Ω～幾十 kΩ範圍內，電容一般為幾十pF。電感目前不能整合；

3. 元器件效能引數的絕對誤差比較大，而同類元器件效能引數之比值比較精確；

4. 縱向NPN管β值較大，佔用矽片面積小，容易製造。而橫向PNP管的β值很小，但其PN接面的耐壓高。

它的設計特點：

由於製造工藝及元器件的特點，模擬積體電路在電路設計思想上與分立元器件電路相比有很大的不同。

1. 在所用元器件方面，儘可能地多用電晶體，少用電阻、電容；

2. 在電路形式上大量選用差動放大電路與各種恆流源電路，級間耦合採用直接耦合方式；

3. 儘可能地利用引數補償原理把對單個元器件的高精度要求轉化為對兩個器件有相同引數誤差的要求；儘量選擇特性只受電阻或其它引數比值影響的電路