目前正在處於試執行階段的是5nm技術，也就是說還需要幾年的時間才能升級到下一代技術，可能是3nm或者其他級別。

不能否認3nm技術的存在但是應該主要還停留在實驗室驗證階段，工藝有待進一步提高，工藝和良品率對於客戶來說都很重要。

至於1nm技術，因為突破了原子極限，會面臨物理層面的障礙，比現在的工藝障礙更大，也意味著臺積電可能需要花費更多的時間來攻克其中的問題。

所以1nm還是很遠的。

臺積電3nm晶片2021年將會量產，不過現在已經在研發2nm程序，預計到2024年會問世。

而臺積電黃漢森表示:摩爾定律依然有效且狀況良好。未來的碳奈米管將取代矽電晶體，程序可以做到1.2nm，到2050年甚至可以推進到不可想象的0.1nm，也就是氫原子的尺度。

技術的進步將會使晶片的運算速度獲得倍數級的增長。

然而這種基於半導體材料的晶片即便做得再微小仍然不是革命性的。

只有量子反常霍爾效應能在未來突破摩爾定律的最終瓶頸問題。量子反常霍爾效應對普通人來說，拗口而晦澀。但在物理學家眼中，它神奇而美妙。

因為半導體電晶體晶片執行中的電子是雜亂無章的，會相互碰撞消耗能量而使晶片發熱，而具有量子反常霍爾效應的材料(如拓撲絕緣體)中的電子卻能有規律的互不干涉的執行。

如用這種材料製成晶片，浪費能耗幾乎為零，執行速度和效率呈指數級增長，而且晶片不存在發熱問題，那麼千億級別的銀河計算機可以做成平板電腦大小，智慧手機記憶體可提高上千倍。

而在這一領域，中國科學家薛其坤院士率領的團隊正走在世界的最前沿。如果量子反常霍爾效應能在未來電子器件中真正得到運用，那將帶來一次偉大的資訊科技革命。