現在晶片都是晶園製造出來的，在晶圓上用各種工藝積體電路，比如電腦晶片cpu製造，採用沉浸式光刻技術
晶圓是半導體基礎性原材料，經過拉晶，切片等製成晶圓，在經過一系列技術，就包括剛才說的沉浸式光刻，形成微電路，切割，封裝，測試，最後變成大家看到的晶片
早些時候，鍺（Ge）是最早採用的，由於不耐高溫和抗輻射效能弱，被矽（Si）替代，用作襯底材料，隨後又出現了砷化鎵（GaAs）-氮化鎵（GaN）
晶圓製造：襯底和外延
襯底：矽沙提煉成粗矽（98%）
多次提純，變成電子級高純度多晶矽（99.9999%以上）
經過高溫熔爐合成拉制成單晶矽棒
單晶經加工化學處理，拋光，質檢成拋光薄片
外延：化學氣象沉澱（MOCVD）
分子束外延（MBE）
化學氣象沉澱被廣泛採用，適合大規模生產
經過光刻，離子注射，電鍍，拋光，切片，測試後，裸片封測就成了晶片
有何危險？
這一流程下來，矽作為原料，並沒有毒，但是二氧化矽氣溶膠粉末，保護不當，會引起塵肺和肺癌，還有摻雜原料矽烷，砷烷等，本身或與水反應生成有毒物質，還有拋光工序，也會有粉塵，相信這些，都是在安全生產規定下，會有保護措施的，光刻和外延化學藥劑清洗階段，由機械完成，刻制和切割，要求極高，人不會直接出現在生產過程中，在控制室控制即可，廢料也會有後處理工藝。
關於輻射有兩種：電磁輻射和電離輻射
電磁輻射，電器通電後都會有，不會有太大影響
電離輻射，比較危險，不過晶圓製造用不到
所以說，在晶圓製造工作時，一定按照規章制度，正確操控裝置，穿戴好勞動保護用品，對自己負責，做到三不傷害
現在晶片都是晶園製造出來的，在晶圓上用各種工藝積體電路，比如電腦晶片cpu製造，採用沉浸式光刻技術
晶圓是半導體基礎性原材料，經過拉晶，切片等製成晶圓，在經過一系列技術，就包括剛才說的沉浸式光刻，形成微電路，切割，封裝，測試，最後變成大家看到的晶片
早些時候，鍺（Ge）是最早採用的，由於不耐高溫和抗輻射效能弱，被矽（Si）替代，用作襯底材料，隨後又出現了砷化鎵（GaAs）-氮化鎵（GaN）
晶圓製造：襯底和外延
襯底：矽沙提煉成粗矽（98%）
多次提純，變成電子級高純度多晶矽（99.9999%以上）
經過高溫熔爐合成拉制成單晶矽棒
單晶經加工化學處理，拋光，質檢成拋光薄片
外延：化學氣象沉澱（MOCVD）
分子束外延（MBE）
化學氣象沉澱被廣泛採用，適合大規模生產
經過光刻，離子注射，電鍍，拋光，切片，測試後，裸片封測就成了晶片
有何危險？
這一流程下來，矽作為原料，並沒有毒，但是二氧化矽氣溶膠粉末，保護不當，會引起塵肺和肺癌，還有摻雜原料矽烷，砷烷等，本身或與水反應生成有毒物質，還有拋光工序，也會有粉塵，相信這些，都是在安全生產規定下，會有保護措施的，光刻和外延化學藥劑清洗階段，由機械完成，刻制和切割，要求極高，人不會直接出現在生產過程中，在控制室控制即可，廢料也會有後處理工藝。
關於輻射有兩種：電磁輻射和電離輻射
電磁輻射，電器通電後都會有，不會有太大影響
電離輻射，比較危險，不過晶圓製造用不到
所以說，在晶圓製造工作時，一定按照規章制度，正確操控裝置，穿戴好勞動保護用品，對自己負責，做到三不傷害