MOSFET具有導通電阻小，損耗低，驅動電路簡單，熱阻特性佳等優點，特別適合用於 PC、手機、行動電源、車載導航、電動交通工具、UPS 電源等電源控制領域。
MOSFET 市場主要由英飛凌佔據，根據 IHS 統計指出，英飛凌市佔高達 27%，排名第二為安森美，市佔率 13%，第三則是瑞薩的 9%。而在價值含量高的高壓 MOSFET 領域中，英飛凌更是以 36% 的市佔率大幅領先所有競者對手，意法半導體與東芝則以市佔 19% 及 11% 分居二、三名。
IGBT 則是由雙載子接面電晶體 (BJT) 和 MOSFET 組成的複合式半導體功率元件。兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT 的低導通電阻兩方面的優點。IGBT 驅動功率小，非常適合應用於直流電壓為 600V 及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等。至於在 IGBT 市場中，則是由英飛凌，三菱和富士電機處於領先位置，安森美則主攻在低壓的消費電子產業，電壓在 600V 以下。而中高壓 1700V 以上領域，則是應用在高鐵，汽車電子，智慧電網等，基本被英飛凌、ABB 和三菱壟斷。
MOSFET 耐電壓能力沒有 IGBT 強。而 MOSFET 優勢在於可以適用高頻領域，MOSFET 工作頻率可以適用在從幾百 KHZ 到幾十 MHZ 的射頻產品。而 IGBT 到達 100KHZ 幾乎是最佳工作極限。最後，若當電子元件需要進行高速開關動作，MOSFET 則有絕對的優勢，主要在於 IGBT 因有整合 BJT，而 BJT 本身存在電荷儲存時間問題，也就是在 OFF 時需耗費較長時間，導致無法進行高速開關動作。
MOSFET具有導通電阻小，損耗低，驅動電路簡單，熱阻特性佳等優點，特別適合用於 PC、手機、行動電源、車載導航、電動交通工具、UPS 電源等電源控制領域。
MOSFET 市場主要由英飛凌佔據，根據 IHS 統計指出，英飛凌市佔高達 27%，排名第二為安森美，市佔率 13%，第三則是瑞薩的 9%。而在價值含量高的高壓 MOSFET 領域中，英飛凌更是以 36% 的市佔率大幅領先所有競者對手，意法半導體與東芝則以市佔 19% 及 11% 分居二、三名。
IGBT 則是由雙載子接面電晶體 (BJT) 和 MOSFET 組成的複合式半導體功率元件。兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT 的低導通電阻兩方面的優點。IGBT 驅動功率小，非常適合應用於直流電壓為 600V 及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等。至於在 IGBT 市場中，則是由英飛凌，三菱和富士電機處於領先位置，安森美則主攻在低壓的消費電子產業，電壓在 600V 以下。而中高壓 1700V 以上領域，則是應用在高鐵，汽車電子，智慧電網等，基本被英飛凌、ABB 和三菱壟斷。
MOSFET 耐電壓能力沒有 IGBT 強。而 MOSFET 優勢在於可以適用高頻領域，MOSFET 工作頻率可以適用在從幾百 KHZ 到幾十 MHZ 的射頻產品。而 IGBT 到達 100KHZ 幾乎是最佳工作極限。最後，若當電子元件需要進行高速開關動作，MOSFET 則有絕對的優勢，主要在於 IGBT 因有整合 BJT，而 BJT 本身存在電荷儲存時間問題，也就是在 OFF 時需耗費較長時間，導致無法進行高速開關動作。