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DUV也是可以做的，臺機7nm就是DUV不是EUV.區別在於一層layer是EUV用一張mask而DUV可能要兩張甚至更多才能完成，mask越多時間就多，一片晶圓缺陷越多，成本高時間長，效能可能也教EUV差，個人見解
DUV也是可以做的，臺機7nm就是DUV不是EUV.區別在於一層layer是EUV用一張mask而DUV可能要兩張甚至更多才能完成，mask越多時間就多，一片晶圓缺陷越多，成本高時間長，效能可能也教EUV差，個人見解
今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產7nm工藝，第一代7nm工藝將使用傳統的DUV光刻工藝，二代7nm才會上EUV光刻工藝，預計明年量產。那麼儲存晶片行業何時會用上EUV工藝？在美光看來，EUV光刻工藝並不是DRAM晶片必須的，未來幾年內都用不上，在新一代工藝上他們正在交由客戶驗證1Y nm記憶體晶片，未來還有1Z、1α及1β工藝。
記憶體行業在未來幾年都不需要EUV光刻機
記憶體跟CPU等晶片雖然都是積體電路，生產製造過程有相似之處，不過工藝並不相同，CPU邏輯工藝今年進入到了7nm節點，但記憶體主流的還是20nm、18nm工藝，其中18nm就屬於1X nm節點（16-19nm之間），後面的1Y nm則是14-16nm之間，1Z大概是12到14nm。再之後，美光提出的是1α及1β工藝，具體對應xx nm就不明瞭。
三星是第一家量產18nm工藝，也就是第一個進入1X nm節點的，遙遙領先其他公司，美光現在也開始向1X nm工藝轉進，下一代的1Y nm工藝已經進入客戶驗證階段了，今年下半年問世，1Z nm工藝節點在處於工藝最佳化階段，1α及1β工藝則是在不同研發階段。
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰略決策會上回答了有關的工藝問題，在EUV光刻工藝上，他認為EUV光刻機在DRAM晶片製造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會用到它。
ASML早前分享過記憶體進入EUV工藝的進度表
在記憶體工藝上，美光認為1α及1β工藝上依然都不需要EUV光刻工藝，不過早前ASML兩年前提到過記憶體在進入1Y nm節點時就需要考慮EUV工藝了，實際上並沒有，包括三星在內的三大DRAM巨頭都沒有很快進入EUV節點的打算。