石墨烯是一種新型的二維碳材料，在電學和光學上具有優異的效能。 採用的工藝包括:

①採用溫和氧化剝離發，製作出大面積的氧化石墨烯。 用石墨作為材料，在溫和氧化剝離的條件下，離心出大面積的氧化石墨烯。

②使用大面積的氧化石墨烯製作出優質的透明導電膜。

氧化石墨烯可以透過真空抽濾發，旋塗法等等

三星是全球首家CVD法石墨烯透明導電膜製造商（其它競爭者均是他的跟風者）。這種工藝路線需要在高溫、高真空下生產。成品率很低、成本高、投資大、難以量產，目前無法真正替代ITO。

元石盛石墨烯薄膜產業有限公司是全球首家液相法石墨烯透明導電膜製造商，該方法在投資小數量級的前提下，產能遠大於CVD法，效率至少高千倍，效能好於同類產品，生產成本卻遠低於競爭對手。是ITO替代的最佳工藝技術路線，擁有自主智慧財產權和完整的技術體系。我們已經連續跨過透明導電膜、卷對卷連續大規模生產等難關，，三星等競爭對手仍在第一道難關前徘徊。

不同於石墨烯的製備，石墨烯透明導電膜比較具體，所以現有方法並不是很多。而且目前的技術都很難量產出石墨烯透明導電膜，全世界都在攻克這個難題。現在使用在廣泛的透明導電膜氧化銦錫（ITO）存在著諸多問題，而石墨烯透明導電膜是被公認的ITO替代產品，其戰略意義重大，所以其製備工藝也成為了大家突破的重點。

CVD法是最早三星發明的一種製備方法，國內外目前大都是效仿的這種工藝，也是目前使用最廣泛，最成熟的方法。先將銅箔表面處理，然後放入裝置，抽真空，高溫加熱到1200度，現在400-500度可以實現。放入氣體碳源，或者是直接塗覆石墨烯等碳源，在銅箔表面會生長石墨烯。最後將銅箔腐蝕得到石墨烯，再把石墨烯轉移到基底，得到了石墨烯透明導電膜。但是本方法也存在著諸多問題，比如裝置的高溫高真空條件苛刻，加上銅箔的腐蝕，讓生產成本非常之高。加上無損轉移石墨烯到基底上存在很多問題，這就導致了生產出的石墨烯透明導電膜成品率低，而且導電性降低，效能欠佳。

目前國外沒有使用液相法制備石墨烯透明導電膜的企業，國內元石盛石墨烯公司首創的這種方法，也只有這個企業在用這種方法制備。生產工藝也被該公司掌握，所以怎麼生產的我們也無從瞭解。但是我們從相關資料來看，所謂的液相法，採用的是卷對卷的生產方式，除去了腐蝕銅箔並轉移這些步驟，肯定能將成本大大縮小，實現低成本生產。以及卷對卷的生產工藝可以使得生產效率相對CVD法有所提高。