怎麼判斷K4107三極體的好壞?
答:K4107不是普通大功率三極體，它是一種MOS大功率場效電晶體，它是一種電壓控制器件；K4107為N溝道結型場效電晶體，其耐壓值為500V，電流15A。見下圖所示。
這種結構的場效電晶體不像三極體那樣分為基極b、發射極e、集電極c；它分為柵極G、源極S、漏極D。見下圖所示。
用上圖方式判斷K4107管是最好的方法；用二個直流開關電源作為場效電晶體的工作電壓，其中一個電源電壓調整到DC20V，另一個直流電源調整在DC10V，作為柵極控制電壓；在漏極D上串聯一隻24V直流小燈泡，燈泡的另一頭接直流電源的正極20V，源極S接直流電源的負極，柵極G不直流10V電壓，此時燈泡不亮則說明場效電晶體這時候暫時沒問題；接下來在柵極與源極之間加上10直流電壓，看此時的燈泡的變化，如果這時候燈泡亮了，則說明這個場效電晶體是好的。
本人使用測試這種MOS，不會用萬用表測量，怕場效電晶體因為靜電感應損壞它。平時就使用上述方法，簡單可靠。
上述方法簡單地說，就是利用它的三個引腳:源極S、柵極G、漏極D，在漏極接電源正極、源極接電源負極時，柵極和源極之間電壓為0，溝道不導通，管子處於截止狀態。若在柵極和源極之間加一正向電壓Ugs，並使Ugs等於或大於管子的開啟電壓U，此時管子開通，漏、源極間有電流Id流過。Ugs超過Ut越大，導電能力越強，漏極電流越大。
見下圖所示。
在圖1-1a中的A點處，源極金屬電極將N區和P區連線在一起，因此源、漏極之間形成了一個寄生二極體，MOSFET內部無反向電壓阻斷能力,常用圖1-1b表示。在變流電路中，為避免過大的反向電流流過該器件而導致元件損壞，常在該器件外部並接快速二極體VD2和串接二極體VD1，如圖1-1c所示。
在N溝道增強型 MOSFET器件中，當柵源電壓Ugs為負值時，不可能出現溝道，因而無法溝通源區與漏區，即使柵源電壓為正但數值不夠大時，同樣不會出現溝道，使源區與漏區溝通。因此，在上述兩種情況下，MOSFET都處於關斷狀態，即使加上正向漏極電壓Ugs，也沒有漏極電流Id出現。只有當柵源電壓等於或大於開啟電壓時，才能形成溝道，把源區和漏區溝通，在正向漏極電壓下，使 MOSFET進入導通狀態。
平時在應用電力場效應電晶體的注意，防止靜電擊穿。由於MOSFET具有很高的輸入阻抗，因此，在靜電較強的場，所洩放電荷困難，容易引起靜電擊穿，損壞器件，應予以防止。
知足常樂於上海2019.8.1日
怎麼判斷K4107三極體的好壞?
答:K4107不是普通大功率三極體，它是一種MOS大功率場效電晶體，它是一種電壓控制器件；K4107為N溝道結型場效電晶體，其耐壓值為500V，電流15A。見下圖所示。
這種結構的場效電晶體不像三極體那樣分為基極b、發射極e、集電極c；它分為柵極G、源極S、漏極D。見下圖所示。
用上圖方式判斷K4107管是最好的方法；用二個直流開關電源作為場效電晶體的工作電壓，其中一個電源電壓調整到DC20V，另一個直流電源調整在DC10V，作為柵極控制電壓；在漏極D上串聯一隻24V直流小燈泡，燈泡的另一頭接直流電源的正極20V，源極S接直流電源的負極，柵極G不直流10V電壓，此時燈泡不亮則說明場效電晶體這時候暫時沒問題；接下來在柵極與源極之間加上10直流電壓，看此時的燈泡的變化，如果這時候燈泡亮了，則說明這個場效電晶體是好的。
本人使用測試這種MOS，不會用萬用表測量，怕場效電晶體因為靜電感應損壞它。平時就使用上述方法，簡單可靠。
上述方法簡單地說，就是利用它的三個引腳:源極S、柵極G、漏極D，在漏極接電源正極、源極接電源負極時，柵極和源極之間電壓為0，溝道不導通，管子處於截止狀態。若在柵極和源極之間加一正向電壓Ugs，並使Ugs等於或大於管子的開啟電壓U，此時管子開通，漏、源極間有電流Id流過。Ugs超過Ut越大，導電能力越強，漏極電流越大。
見下圖所示。
在圖1-1a中的A點處，源極金屬電極將N區和P區連線在一起，因此源、漏極之間形成了一個寄生二極體，MOSFET內部無反向電壓阻斷能力,常用圖1-1b表示。在變流電路中，為避免過大的反向電流流過該器件而導致元件損壞，常在該器件外部並接快速二極體VD2和串接二極體VD1，如圖1-1c所示。
在N溝道增強型 MOSFET器件中，當柵源電壓Ugs為負值時，不可能出現溝道，因而無法溝通源區與漏區，即使柵源電壓為正但數值不夠大時，同樣不會出現溝道，使源區與漏區溝通。因此，在上述兩種情況下，MOSFET都處於關斷狀態，即使加上正向漏極電壓Ugs，也沒有漏極電流Id出現。只有當柵源電壓等於或大於開啟電壓時，才能形成溝道，把源區和漏區溝通，在正向漏極電壓下，使 MOSFET進入導通狀態。
平時在應用電力場效應電晶體的注意，防止靜電擊穿。由於MOSFET具有很高的輸入阻抗，因此，在靜電較強的場，所洩放電荷困難，容易引起靜電擊穿，損壞器件，應予以防止。
知足常樂於上海2019.8.1日