因為這是技術上的突破，隨著科技的發展，數碼產品日新月異，傳統的機械式硬碟已逐漸被新產品SSD固態硬碟所取代，無論是讀取速度還是寫入速度，固態硬碟皆趕超機械硬碟數倍，以絕對的優勢領先，那麼固態硬碟的原理和優勢是什麼呢，讓我們一起來了解一下固態硬碟的原理。

固態硬碟(Solid State Drives)簡稱SSD,是用固態電子儲存晶片陣列 而製成的硬碟，由控制單元和儲存單元組成。

分類

固態硬碟的儲存介質分為兩種：一種是快閃記憶體(FLASH晶片)，另外一種是

DRAMo

基於快閃記憶體的固態硬碟是固態硬碟的主要類別，主要由控制晶片，快取晶片 和快閃記憶體晶片構成。其中控制晶片主要承擔資料調配、資料中轉以及連線快閃記憶體芯 片和外部SATA介面。快取晶片主要用於輔助控制晶片進行資料處理。而快閃記憶體 晶片則是用於資料讀寫。

此外，基於快閃記憶體的固態硬碟中儲存單元又分，SLC(Single Level Cell)單 層儲存單元、MLC(Multi Leveled Cell)多層儲存單元以及TLC( Triple- cell- per-bit)三層儲存單元等。

在SLC架構中，每Cell可儲存Ibit資料，MLC架構中每Cell可以存

儲

2bit資料，而TLC架構每Cell可以儲存3 bit資料。

儲存原理

Flash的最小儲存單元是晶浮柵電晶體，對應於磁碟中的一個bit的儲存 單元。SSD中，在儲存單元電晶體的柵(Gate)中，注入不同數量的電子，通 過改變柵的導電效能，來改變電晶體的導通效果，從而實現對不同狀態的記錄 和識別。在SLC架構中，柵中的電子數目多與少，帶來的只有兩種導通狀態， 對應讀岀的資料就只有0/1； MLC架構中，柵中電子數目不同時，可以讀岀多 種 狀態，能夠對應岀00/01/10/11等不同資料。

因此，SSD資料處理都要進行加電處理，加電的過程等同於HDD硬碟的 資料寫入操作，斷電的過程電位恢復，相當於HDD硬碟的擦除。資料完整的 一次P/E迴圈就是NAND的寫入迴圈。因為P/E迴圈次數是有限的，這也就 直接影響到SSD的壽命。但是根據儲存架構的不同，SDD的壽命也是有差別 的。

由於SLC結構簡單，在寫入資料時電壓變化的區間小，所以壽命較長，傳 統的SLC NAND快閃記憶體可以經受10萬次的讀寫。而且因為一組電壓即可驅動，所 以其速度更好；而MLC釆用較高的電壓驅動，透過不同級別的電壓在一個塊中 記錄兩組位資訊，這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍。不過， MLC的缺點也很明顯，其寫入壽命較短，讀寫方面的能力也比SLC低；.TLC釆 用三層儲存單元，因此可以以較低的成本實現更大的容量。但是，由於TLC擁有 多達8個電平狀態，因此在電位控制上更加複雜，特別是寫入速度會大受影響, 延遲增加。加之眾多的電平狀態，其使用壽命更短