陽極氧化工藝引數的影響1）H2SO4濃度。改變H2SO4濃度對氧化膜的阻擋層厚度，溶 液的導電性、氧化膜的耐蝕性和耐磨性以及後處理的封孔質量都將產生一定的影響。H2SO4濃度 阻擋層厚度 維持電壓 耐蝕、耐磨性 氣化膜質量 膜層發灰，疏鬆，膜孔外層孔徑大，封孔困難 2）槽液溫度 陽極氧化過程中，部分電能會轉化為熱能，槽液溫度會不斷上升，而隨著溫度的上升，膜層損失會增加而且成膜質量變差，膜耐磨性下降，尤其對15um以上膜層，甚至在空氣中就會出現“粉化”現象，因此過程中需要對槽液降溫，以維持適宜的溫度。 一般來說：槽溫在一定範圍內提高，獲得氧化膜重量減小，膜變軟但較光亮。槽液溫度高，生成的氧化膜外層膜孔徑和度變大，造成封孔困難，也易產生封孔“粉霜”。槽溫較高時，氧化膜易染色。但對於保持顏色深淺一致時較難，所以一般染色膜的氧化溫度為20~25℃降低溫度，得到的氧化膜硬度高，耐磨性好，在氧化過程中維持電流密度所需電壓較高，能耗大，所以一般普通氧化選擇18~22℃3）氧化電壓 陽極氧化電壓決定氧化膜的孔徑大小，低壓生成的膜孔徑小，孔數多，而高壓生成的膜孔徑大，孔數小，一定範圍內高壓有利於生成緻密，均勻的膜。4）電流密度 電流密度大，成膜快，生產效率高，但過高則易燒傷工件。一般電流密度控制在1.2~1.8A/dm2範圍內電流密度低，生產效率低，但處理面光亮（約1A/dm2）電流密度高，成膜快，但易產生軟膜，甚至燒傷如果冷凍能力足夠，攪拌良好，則採用較大電流氧化，有利於提 高膜的耐磨性。5）攪拌 足夠的攪拌可保持槽液溫度的均勻和恆定，對於控制膜厚，膜層質量，著色均勻性均有好處。6）鋁離子和其它雜質的影響鋁離子。Al3+離子含量升高會使電流密度下降。鋁含量較高會使染色困難，而一定的鋁含量對氧化膜厚度，耐蝕性，耐磨性有很大好處。一般來說鋁含量1~10g/L會產生有利影響，超過10g/L造成不利影響。中國大多廠家選擇控制為12~18g/L其他陽離子雜質鐵含量超過25~50mg/g時會導致光亮度下降，膜層鬆軟等。銅、鎳總量超過100mg/g時，將使氧化膜原有的耐蝕性降低，易產生鹽霧試驗不合格。
陽極氧化工藝引數的影響1）H2SO4濃度。改變H2SO4濃度對氧化膜的阻擋層厚度，溶 液的導電性、氧化膜的耐蝕性和耐磨性以及後處理的封孔質量都將產生一定的影響。H2SO4濃度 阻擋層厚度 維持電壓 耐蝕、耐磨性 氣化膜質量 膜層發灰，疏鬆，膜孔外層孔徑大，封孔困難 2）槽液溫度 陽極氧化過程中，部分電能會轉化為熱能，槽液溫度會不斷上升，而隨著溫度的上升，膜層損失會增加而且成膜質量變差，膜耐磨性下降，尤其對15um以上膜層，甚至在空氣中就會出現“粉化”現象，因此過程中需要對槽液降溫，以維持適宜的溫度。 一般來說：槽溫在一定範圍內提高，獲得氧化膜重量減小，膜變軟但較光亮。槽液溫度高，生成的氧化膜外層膜孔徑和度變大，造成封孔困難，也易產生封孔“粉霜”。槽溫較高時，氧化膜易染色。但對於保持顏色深淺一致時較難，所以一般染色膜的氧化溫度為20~25℃降低溫度，得到的氧化膜硬度高，耐磨性好，在氧化過程中維持電流密度所需電壓較高，能耗大，所以一般普通氧化選擇18~22℃3）氧化電壓 陽極氧化電壓決定氧化膜的孔徑大小，低壓生成的膜孔徑小，孔數多，而高壓生成的膜孔徑大，孔數小，一定範圍內高壓有利於生成緻密，均勻的膜。4）電流密度 電流密度大，成膜快，生產效率高，但過高則易燒傷工件。一般電流密度控制在1.2~1.8A/dm2範圍內電流密度低，生產效率低，但處理面光亮（約1A/dm2）電流密度高，成膜快，但易產生軟膜，甚至燒傷如果冷凍能力足夠，攪拌良好，則採用較大電流氧化，有利於提 高膜的耐磨性。5）攪拌 足夠的攪拌可保持槽液溫度的均勻和恆定，對於控制膜厚，膜層質量，著色均勻性均有好處。6）鋁離子和其它雜質的影響鋁離子。Al3+離子含量升高會使電流密度下降。鋁含量較高會使染色困難，而一定的鋁含量對氧化膜厚度，耐蝕性，耐磨性有很大好處。一般來說鋁含量1~10g/L會產生有利影響，超過10g/L造成不利影響。中國大多廠家選擇控制為12~18g/L其他陽離子雜質鐵含量超過25~50mg/g時會導致光亮度下降，膜層鬆軟等。銅、鎳總量超過100mg/g時，將使氧化膜原有的耐蝕性降低，易產生鹽霧試驗不合格。